一种基于降噪滤波电路的混合型镇流器的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种镇流器，具体是指一种基于降噪滤波电路的混合型镇流器。
【背景技术】
[0002]随着社会的发展，人们在生活中对日光灯的照明效果要求也越来越高。为了达到人们的需求，在20世纪80年代后期开始出现了镇流器。目前，镇流器已被广泛的应用于日光灯上，其可以使输入电流稳定在灯管的额定电流范围内，而灯管两端的电压也被稳定在额定的工作电压范围内，起到降压限流的作用，不仅保护了日光灯，还使日光灯的照明效果更好。然而，当日光灯在工作时，镇流器始终有电流通过，在长时间工作后镇流器则会发出很大的电流噪声，给人们带来很大的困扰。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于克服传统的镇流器在长时间工作后镇流器则会发出很大的电流噪声的缺陷，提供一种基于降噪滤波电路的混合型镇流器。
[0004]本发明的目的通过下述技术方案实现:一种基于降噪滤波电路的混合型镇流器，其包括驱动芯片M,与驱动芯片M相连接的驱动电路，以及与驱动芯片M相连接的自激混合电路；所述自激混合电路由与驱动芯片M相连接的同相交流信号放大电路，与同相交流信号放大电路相连接的自锁光激发电路，以及与该自锁光激发电路相连接的自举电路组成；所述驱动电路由变压器T，串接于驱动芯片M的VCC管脚与BOOST管脚之间的二极管D1，串接于驱动芯片M的BOOST管脚与TG管脚之间的电容C5，串接于驱动芯片M的TG管脚与TS管脚之间的电阻R8，以及基极与驱动芯片M的TG管脚相连接、集电极顺次经电容C6和电容C7后接地、而发射极接地的晶体管Ql组成；所述变压器T的原边线圈的同名端与电容C6和电容C7的连接点相连接，同时，晶体管Ql的发射极还与驱动芯片M的TS管脚相连接，所述变压器T的副边线圈则为镇流器的输出端。为了达到本发明的目的，本发明还包括有串接在变压器T的原边线圈的非同名端与三极管Ql的发射极之间的降噪滤波电路。
[0005]进一步的，所述降噪滤波电路由功率放大器P4，功率放大器P5，功率放大器P6，功率放大器P7，正极经电阻RlO后与功率放大器P4的负极输入端相连接、负极则与功率放大器P5的输出端相连接的极性电容CS，负极与功率放大器P4的负极输入端相连接、正极则经电阻R9后与功率放大器P5的输出端相连接的极性电容C9，一端与功率放大器P4的输出端相连接、另一端则经电阻R12后与功率放大电路相连接的电阻R11，N极与功率放大器P4的输出端相连接、P极则经电阻R13后接地的二极管D2，一端与功率放大器P4的输出端相连接、另一端则经电阻R16后与功率放大器P6的负极输入端相连接的电阻R14，负极与功率放大器P6的负极输入端相连接、正极则经电阻R15后与功率放大器P7的输出端相连接的极性电容C10，正极与电阻R14和电阻R16的连接点相连接、负极则与功率放大器P7的输出端相连接的极性电容C11，以及一端与功率放大器P6的输出端相连接、另一端则经电阻R18后接地的电阻R17组成；所述功率放大器P4、功率放大器P5、功率放大器P6以及功率放大器P7的正极输入端均与其输出端相连接，而功率放大器P5的负极输入端则与电阻Rll和电阻R12的连接点相连接，功率放大器P7的负极输入端则与电阻R17和电阻R18的连接点相连接；所述极性电容C8的正极则与三极管Ql的发射极相连接，功率放大器P6的输出端与该变压器T的原边线圈的非同名端相连接。
[0006]所述同相交流信号放大电路由功率放大器P，一端与驱动芯片M的VCC管脚相连接、另一端与功率放大器P的正极输入端相连接的电阻R7，一端与功率放大器P的负极输入端相连接、另一端与自锁光激发电路相连接的电阻R6，以及正极与功率放大器P的正极输入端相连接、负极外接电源的极性电容C4组成，所述功率放大器P的输出端与驱动芯片M的INP管脚相连接。
[0007]所述的自锁光激发电路由或非门IC1，或非门IC2，或非门IC3，一端与功率放大器P的正极输入端相连接、另一端经电位器R5后接地的光电池⑶S，以及串接在或非门IC3的第一输入端与输出端之间的电容C3组成；所述或非门ICl的第一输入端与光电池CDS与电位器R5的连接点相连接，其第二输入端与或非门IC2的输出端相连接，而其输出端则与或非门IC2的第一输入端相连接；所述或非门IC2的输出端与或非门IC3的第二输入端相连接，而或非门IC3的输出端则功率放大器P的输出端相连接；所述电阻R6的另一端则与或非门IC2的输出端相连接；所述或非门IC2的第二输入端则与自举电路相连接。
[0008]所述自举电路由场效应管MOS，一端与场效应管MOS的源极相连接、另一端接地的电阻R4，负极与场效应管MOS的栅极相连接、正极经电阻Rl后与场效应管MOS的漏极相连接的极性电容Cl，与极性电容Cl相并联的电阻R2，正极与极性电容Cl的正极相连接、负极与或非门IC2的第二输入端相连接的极性电容C2，以及一端与极性电容C2的正极相连接、另一端接地的电阻R3组成；所述场效应管MOS的漏极与光电池CDS和电阻R7的连接点相连接；所述场效应管MOS的漏极与极性电容C2的正极一起形成镇流器的输入端。
[0009]为确保使用效果，所述驱动芯片M优先由LTC4440A集成芯片来实现。
[0010]本发明较现有技术相比，具有以下优点及有益效果:
[0011](I)本发明采用自举电路来为自锁光激发电路和驱动芯片提供控制信号，因此具有很尚的输入阻抗，能确保整个电路的性能稳定。
[0012](2)本发明中设有同相交流信号放大电路，因此能确保脉冲信号的强度不会衰减，从而确保性能稳定。
[0013](3)本发明设置有降噪滤波电路，其可以对工作电流做滤波处理，并且其滤波效果显著，能够有效的降低本发明的电流噪声。
【附图说明】
[0014]图1为本发明的整体结构示意图。
[0015]图2为本发明的降噪滤波电路结构示意图。
【具体实施方式】
[0016]下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
[0017]实施例
[0018]如图1所示，本发明包括降噪滤波电路，驱动芯片M，与驱动芯片M相连接的驱动电路，以及与驱动芯片M相连接的自激混合电路。
[0019]所述自激混合电路由与驱动芯片M相连接的同相交流信号放大电路，与同相交流信号放大电路相连接的自锁光激发电路，以及与该自锁光激发电路相连接的自举电路组成。
[0020]为确保使用效果，该驱动芯片M优先采用凌力尔特公司生产的高频率N沟道MOSFET栅极驱动芯片，即LTC4440A集成芯片来实现。该驱动芯片M的特点是能以高达80V的输入电压工作，且能在高达100V瞬态时可连续工作。
[0021]所述同相交流信号放大电路由功率放大器P，电阻R7，电阻R6及极性电容C4组成。连接时，电阻R7的一端与驱动芯片M的VCC管脚相连接，其另一端与功率放大器P的正极输入端相连接；而电阻R6的一端与功率放大器P的负极输入端相连接，其另一端与自锁光激发电路相连接；极性电容C4的正极与功率放大器P的正极输入端相连接，其负极外接电源Vin。
[0022]所述功率放大器P的输出端与驱动芯片M的INP管脚相连接，为确保功率放大器P能正常工作，该外接电源Vin的电压值需要为6?12V。
[0023]自锁光激发电路由或非门IC1，或非门IC2，或非门IC3，光电池⑶S，电位器R5及电容C3组成。连接时，光电池⑶S的一端与功率放大器P的正极输入端相连接，其另一端经电位器R5后接地。
[0024]所述电容C3串接在或非门IC3的第一输入端与输出端之间，即电容C3的正极要与或非门IC3的第一输入端相连接，而其负极则与或非门IC3的输出端相连接。
[0025]同时，或非门ICl的第一输入端要与光电池⑶S与电位器R5的连接点相连接，其第二输入端与或非门IC2的输出端相连接，而其输出端则与或非门IC2的第一输入端相连接。所述或非门IC2的输出端与或非门IC3的第二输入端相连接，而或非门IC3的输出端则功率放大器P的输出端相连接。
[0026]电阻R6的另一端与或非门IC2的输出端相连接，即或非门IC2的输出端经电阻R6后与功率放大器P的负极输入端相连接。同时，该或非门IC2的第二输入端要与自举电路相连接。
[0027]所述自举电路由场效应管MOS、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4及极性电容Cl和极性电容C2组成。连接时，电阻R4的一端与场效应管MOS的源极相连接、另一端接地；极性电容Cl的负极与场效应管MOS的栅极相连接，其正极经电阻Rl后与场效应管MOS的漏极相连接；电阻R2与极