一种抗反射内嵌式微纳金属互联线路及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明属于印刷电子技术领域，特别是涉及一种抗反射内嵌式微纳金属互联线路及其制备方法。
【背景技术】
[0002]印刷电子技术是基于印刷原理的电子制造技术。在过去的几十年时间内，硅基半导体微电子技术占据了电子技术的绝对主导地位。但由于硅基集成电路制造技术的日益复杂和所需要的巨大投资，硅基集成电路的制造完全垄断在全世界少数几家大公司手中。因此，在过去10多年中对溶液化有机与无机半导体材料的研究开发，催生了用传统印刷技术制造各种电子器件的探索研究。
[0003]印刷电子技术是继硅基微电子技术之后电子制造领域的一项变革性产业技术。印刷制作的电子器件与系统具有大面积、塑料化、柔性化、透明化和明显的低成本优势。因此，印刷电子技术是最近几年来在国际上蓬勃发展的新兴技术与产业，印刷技术的发展已受到全球人民的广泛关注，成为了当前科学研究的热点。
[0004]目前，印刷行业采用全印刷银浆或者铜浆等金属导电油墨，成本极高，造成的原材料浪费现象严重。金属导电油墨与普通油墨在光学特性上有很大不同，普通油墨的颜色不会随观察角度的变化而发生改变。由于金属油墨镜面反射和漫反射双重影响，其颜色会随观察角度不同而不同，造成了光学性能上极大的缺陷。此外，为了使得线路导通，微纳级线路制备均采用多次刮印的方式，对线路板电路有很大的损伤，严重影响线路板的外观，限制了线路板的应用领域。
[0005]因此，提供一种避免了多次刮印对器件表面的损伤，同时改善了外观，可以用于对表面形貌要求高的触控产品的金属互联线路及其制备工艺十分必要。
【发明内容】
[0006]鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种抗反射内嵌式微纳金属互联线路及其制备方法，用于解决现有技术中多次刮印对线路表面的损伤、线路外观较差等问题。
[0007]为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种抗反射内嵌式微纳金属互联线路的制备方法，包括步骤:
[0008]I)提供一基底，于所述基底表面形成柔性材料层，于所述柔性材料层表面形成有多个凹槽结构；
[0009]2)于柔性材料层表面及各凹槽结构的中形成导电金属层，所述导电金属层表面具有与各凹槽结构对应的多个凹陷区域；
[0010]3)于各凹陷区域中形成抗反射层；
[0011]4)以所述抗反射层为掩膜对所述导电金属层进行刻蚀，以去除所述柔性材料层表面的导电金属层，于各凹槽结构中形成表面具有抗反射层的金属互联线路。
[0012]作为本发明的抗反射内嵌式微纳金属互联线路的制备方法的一种优选方案，步骤
1)包括以下步骤:
[0013]1-1)提供一基底，于所述基底表面形成柔性材料层；
[0014]1-2)提供一表面具有凸起结构的模具，藉由该模具采用压印的方法于所述柔性材料层表面形成有多个凹槽结构；
[0015]或者包括以下步骤:
[0016]1-1)提供一基底，于所述基底表面形成柔性材料层；
[0017]1-2)于所述柔性材料层表面形成具有刻蚀窗口的掩膜层，藉由所述掩膜层于所述柔性材料层表面刻蚀出多个凹槽结构。
[0018]作为本发明的抗反射内嵌式微纳金属互联线路的制备方法的一种优选方案，步骤
2)包括以下步骤:
[0019]2-1)于柔性材料层表面及各凹槽结构的中形成种子层；
[0020]2-2)通过电镀或化学镀的方法于所述种子层表面形成导电金属层；
[0021]或者包括以下步骤:
[0022]直接采用溅射法于所述柔性材料层表面及各凹槽结构的中形成导电金属层。
[0023]作为本发明的抗反射内嵌式微纳金属互联线路的制备方法的一种优选方案，所述多个凹槽结构呈独立分布或呈网络状互联分布。
[0024]作为本发明的抗反射内嵌式微纳金属互联线路的制备方法的一种优选方案，步骤
3)采用刮印方法于各凹陷区域中形成抗反射层，所述抗反射层为包括黑油的非反光材料。
[0025]本发明还提供一种抗反射内嵌式微纳金属互联线路，包括:
[0026]基底；
[0027]柔性材料层，结合于所述基底表面，所述柔性材料层表面形成有多个凹槽结构；
[0028]导电金属层，形成于所述柔性材料层表面及各凹槽结构中，所述导电金属层表面具凹陷区域；
[0029]抗反射层，形成于所述导电金属层表面的各凹陷区域中。
[0030]作为本发明的抗反射内嵌式微纳金属互联线路的一种优选方案，所述抗反射层覆盖于所述导电金属层的部分表面或全部表面。
[0031]作为本发明的抗反射内嵌式微纳金属互联线路的一种优选方案，所述多个凹槽结构呈独立分布或呈网络状互联分布。
[0032]作为本发明的抗反射内嵌式微纳金属互联线路的一种优选方案，所述凹槽结构的深度为I微米?5微米，宽度为I微米?20微米。
[0033]作为本发明的抗反射内嵌式微纳金属互联线路的一种优选方案，所述柔性材料层为UV胶层。
[0034]作为本发明的抗反射内嵌式微纳金属互联线路的一种优选方案，所述导电金属层为金属铜，或包括种子层及金属铜的叠层。
[0035]作为本发明的抗反射内嵌式微纳金属互联线路的一种优选方案，所述抗反射层为包括黑油的非反光材料。
[0036]作为本发明的抗反射内嵌式微纳金属互联线路的一种优选方案，所述基底为刚性基底或柔性基底，所述刚性基底包括金属基底、玻璃基底及陶瓷基底，所述柔性基底包括PET柔性基底及PI柔性基底。
[0037]如上所述，本发明提供一种抗反射内嵌式微纳金属互联线路及其制备方法，包括步骤:1)提供一基底，于所述基底表面形成柔性材料层，于所述柔性材料层表面形成有多个凹槽结构；2)于柔性材料层表面及各凹槽结构的中形成导电金属层，所述导电金属层表面具有与各凹槽结构对应的多个凹陷区域；3)于各凹陷区域中形成抗反射层；4)以所述抗反射层为掩膜对所述导电金属层进行刻蚀，以去除所述柔性材料层表面的导电金属层，于各凹槽结构中形成表面具有抗反射层的金属互联线路。本发明与现有技术相比，避免了多次刮印对器件表面的损伤，同时改善了外观，可以用于对表面形貌要求高的触控产品工艺。在经济成本方面，本发明采用的特种催化油墨和黑油价格便宜，相对于传统的全印刷导电金属油墨法，成本大大减少，具有极大的经济效益。此外，本发明在柔性和非柔性基材上均可制备微纳级线路，即能耐蚀刻的材料即可制备电路，可以应用在触摸屏行业、天线制备及HDI板等行业，极大的拓展了应用领域。
【附图说明】
[0038]图1?图2显示为本发明的抗反射内嵌式微纳金属互联线路的制备方法步骤I)所呈现的结构示意图。
[0039]图3?图4显示为本发明的抗反射内嵌式微纳金属互联线路的制备方法步骤2)所呈现的结构示意图。
[0040]图5显示为本发明的抗反射内嵌式微纳金属互联线路的制备方法步骤3)所呈现的结构示意图。
[0041]图6显示为本发明的抗反射内嵌式微纳金属互联线路的制备方法步骤4)所呈现的结构示意图，即为本发明的抗反射内嵌式微纳金属互联线路的最终结构示意图。
[0042]元件标号说明
[0043]101基底
[0044]102柔性材料层
[0045]103凹槽结构
[0046]104种子层
[0047]105导电金属层
[0048]1