以及滤波电容C12L的一端连接，且驱动电阻R22L的另一端还与下半桥驱动信号输出端⑶L连接。驱动电阻R22L的另一端、滤波电容C12L的另一端以及下半桥MOSFET管Q16L的源极端均接功率地。
[0025]上半桥MOSFET管Q16H的源极端与下半桥MOSFET管Q16L的漏极端、电阻R21H的另一端、滤波电容C21H的另一端以及下拉电阻R23的一端连接后形成半桥电路输出连接端，所述半桥电路输出连接端与MOSFET驱动电路20内的驱动电路连接端相互连接后形成电机相线连接端，通过半桥电路10连接并控制电动机时，电机相线接线端用于与电动机的相线端连接。
[0026]具体工作时，通过控制信号输入端U+、控制信号输入端U-接收输入的PWM控制信号；当使半桥电路10内的上半桥MOSFET管Q16H导通时，则控制信号输入端U+接收低电平，且控制信号输入端U-接收高电平。而当控制信号输入端U+接收低电平时，三极管Q11H、三极管Q12H均处于截止状态，而三极管Q13H导通，从而使得开关MOSFET管Q14H导通，第二电压通过开关MOSFET管Q14H给半桥电路10的上半桥MOSFET管Q16H供电，使得上半桥MOSFET 管 Q16H 导通。
[0027]与此相反，控制信号输入U-为高电平时，三极管Q11L、三极管Q12L均导通，三极管Q13L截止，从而使得开关MOSFET管Q14L截止，第四电压无法提供给半桥电路10内的下半桥MOSFET管Q16L供电，使得下半桥MOSFET管Q16L截止。
[0028]当使半桥电路10的下半桥MOSFET管Q16L导通时，则控制信号输入端U+接收高电平，而控制信号输入端U-接收低电平。控制信号输入端U+接收高电平时，三极管Q11H、三极管Q12H导通，三极管Q13H截止，从而使得开关MOSFET管Q14H截止，第二电压无法提供给半桥电路10的上半桥MOSFET管Q16H供电，使得上半桥MOSFET管Q16H截止；与此相反，控制信号输入端U-为低电平时，三极管Q11L、三极管Q12L截止，三极管Q13L导通，从而使得开关MOSFET管Q14L导通，第四电压通过开关MOSFET管Q14L给半桥电路10的下半桥MOSFET管Q16L供电，使得下半桥MOSFET管Q16L导通，下半场MOSFET管Q16L导通后，上半桥MOSFET管Q16H的源极等于接到功率地，这时，第二电压通过D12反向二极管给充电电容C12进行充电，为上半桥MOSFET管Q16H导通做准备。
[0029]上述各实施例仅用于说明本发明，其中各部件的结构、连接方式等都是可以有所变化的，凡是在本发明技术方案的基础上进行的等同变化和改进，均不应该排除在本发明的保护范围之外。
【主权项】
1.一种半桥驱动电路，包括上半桥驱动信号放大输出电路以及下半桥驱动信号放大输出电路，其特征是:所述上半桥驱动信号放大输出电路包括三极管Q11H、三极管Q12H以及三极管Q13H ;所述三极管Q11H的基极端与限流电阻R12H的一端连接，限流电阻R12H的另一端与上拉电阻R11H的一端、滤波电容C11H的一端连接，所述滤波电容C11H的另一端接地，上拉电阻R11H的另一端与第一电压连接，且限流电阻R12的另一端还与控制信号输入端U+连接； 三极管Q11H的发射极通过分压电阻R13H接地，三极管Q11H的集电极端与分压电阻R14H的一端以及三极管Q12H的基极端连接，所述分压电阻R14的另一端与自举电路(30)连接，三极管Q12H的集电极端分别与反向保护二极管D11H的阳极端、三极管Q13H的基极端以及限流电阻R15H的一端连接，三极管Q12H的发射极端与分压电阻R14的另一端、限流电阻R18H的一端以及开关MOSFET管Q14H的源极端连接； 限流电阻R18H的另一端与限流电阻R17H的一端、开关MOSFET管Q14H的栅极端以及开关MOSFET管Q15H的栅极端连接，限流电阻R17H的另一端与限流电阻R16H的一端以及三极管Q13H的发射极端连接，限流电阻R16H的另一端与反向保护二极管D11H的阴极端连接，三极管Q13H的集电极端、限流电阻R15H的另一端均与开关MOSFET管Q15H的源极端连接，且三极管Q13H的集电极端、限流电阻R15的另一端以及开关MOSFET管Q15H的源极端相互连接后形成驱动电路连接端； 开关MOSFET管Q14H的漏极端与驱动电阻R19H的一端连接，驱动电阻R19H的另一端与驱动电阻R20H的一端连接，驱动电阻R20H的另一端与开关MOSFET管Q15H的漏极端连接，且驱动电阻R19H的另一端与驱动电阻R20H的一端相互连接后形成上半桥驱动信号输出端GUH。2.根据权利要求1所述的半桥驱动电路，其特征是:所述第一电压为3.3V电压，三极管Q11H为NPN三极管，三极管Q12H以及三极管Q13H为PNP三极管。3.根据权利要求1所述的半桥驱动电路，其特征是:所述自举电路(30)包括反向二极管D12以及电解电容C12，所述反向二极管D12的阳极端与第二电压连接，反向二极管D12的阴极端与分压电阻R14的另一端、三极管Q12H的发射极端、开关MOSFET管Q14H的源极端以及电解电容C12的正端连接，电解电容C12的负端与电机相线连接端连接。4.根据权利要求1所述的半桥驱动电路，其特征是:所述下半桥驱动信号放大输出电路包括三极管Q11L、三极管Q12L以及三极管Q13L ;所述三极管Q11L的基极端与驱动电阻R12L的一端连接，驱动电阻R12L的另一端与上拉电阻R11L的一端以及滤波电容C11L的一端连接，滤波电容C11L的另一端接地，上拉电阻R11L的另一端与第三电压连接，且驱动电阻R12L的另一端还与控制信号输入端U-连接； 三极管Q11L的发射极端通过分压电阻R13L接地，三极管Q11L的集电极端与分压电阻R14L的一端以及三极管Q12L的基极端连接，分压电阻R14L的另一端与三极管Q12L的发射极端、限流电阻R18L的一端、开关MOSFET管Q14L的源极端以及第四电压连接，三极管Q12L的集电极端与反向保护二极管D11L的阳极端、三极管Q13L的基极端以及限流电阻R15L的一端连接，限流电阻R15的另一端以及三极管Q13L的发射极端均接地，反向保护二极管D11L的阴极端与限流电阻R16L的一端连接，限流电阻R16L的另一端限流电阻R17L的一端、三极管Q13L的发射极端连接，限流电阻R17L的另一端与限流电阻R18L的另一端、开关MOSFET管Q14L的栅极端以及开关MOSFET管Q15L的栅极端连接； 开关MOSFET管Q14L的漏极端与驱动电阻R19L的一端连接，驱动电阻R19L的另一端与驱动电阻R20L的一端连接，且驱动电阻R19L的另一端与驱动电阻R20L的一端相互连接后形成下半桥驱动信号输出端GUL，驱动电阻R20L的另一端与开关MOSFET管Q15L的漏极端连接，开关MOSFET管Q15L的源极端接地。5.根据权利要求4所述的半桥驱动电路，其特征是:所述第三电压为3.3V，第四电压为12V~15Vo
【专利摘要】本发明涉及半桥驱动电路，其包括上半桥驱动信号放大输出电路以及下半桥驱动信号放大输出电路，上半桥驱动信号放大输出电路包括三极管Q11H、三极管Q12H、三极管Q13H；三极管Q11H的基极端通过限流电阻R12H与控制信号输入端U+连接；三极管Q13H的集电极端、限流电阻R15的另一端以及开关MOSFET管Q15H的源极端相互连接后形成驱动电路连接端；开关MOSFET管Q14H的漏极端与驱动电阻R19H的一端连接，驱动电阻,19H的另一端与驱动电阻R20H的一端相互连接后形成上半桥驱动信号输出端GUH。本发明结构紧凑，驱动电流大，确保满足半桥电路的驱动要求，安全可靠。
【IPC分类】H03K19/0944, H02M1/08
【公开号】CN105322948
【申请号】CN201510726410
【发明人】朱袁正, 支强, 高金东, 张惠国
【申请人】无锡新洁能股份有限公司
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2015年10月30日