发光二极管电路的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明关于一种发光二极管电路，特别关于一种适于直接W交流电驱动的低闪烁 高利用率的发光二极管电路。
【背景技术】
[0002] 发光二极管作为一种高效率的发光组件，已经被广泛的应用于各种照明的领域 中。其中适用于直接W交流电驱动的发光二极管电路由于无需交流转直流的转换电路 (AC-DCconve;rte;r)，出光的效率更高。
[0003] 然而，市面上常见的直接W交流电驱动的发光二极管电路，往往随着驱动电压而 驱动不同数量的发光二极管。随之而来的问题是闪烁、发光二极管利用率不均匀W及发光 二极管的利用率太低。更进一步的问题是由于部分的发光二极管相较于其它发光二极管有 较高的利用率，因此送部份的发光二极管往往较早发生光衰等损坏。
【发明内容】
[0004] 鉴于上述问题，本发明提出一种发光二极管电路，藉由电路架构W及相应的控制 程序，使发光二极管电路中的每一颗发光二极管都具有相同的利用率，且每一颗发光二极 管的利用率都接近100%。
[0005] 依据本发明一个或多个实施例所提出的一种发光二极管电路，包括：第一发光二 极管、第二发光二极管、第H发光二极管、第四发光二极管W及组态控制模块。其中组态控 制模块分別电性禪接至第一发光二极管、第二发光二极管、第H发光二极管与第四发光二 极管。组态控制模块用W依据施与此发光二极管的驱动电压，调整第一发光二极管、第二发 光二极管、第H发光二极管与第四发光二极管选择性地切换至一第一组态、一第二组态、一 第H组态或一第四组态。其中于第一组态中，第一发光二极管、第二发光二极管、第H发光 二极管与第四发光二极管彼此并联，从而在驱动电压的输入端与接地端之间形成四条第一 电流路径。而于第二组态中，第一发光二极管与第二发光二极管串联，第H发光二极管与第 四发光二极管串联，从而在驱动电压的输入端与接地端之间形成两条第二电流路径。而于 第H组态中，第H发光二极管与第四发光二极管并联而串联第一发光二极管与第二发光二 极管，从而在驱动电压的输入端与接地端之间形成第H电流路径。另一种接法是，第一发光 二极管与第二发光二极管并联，而后串联于第H发光二极管与第四发光二极管。于第四组 态中，第一发光二极管、第二发光二极管、第H发光二极管与第四发光二极管串联，在驱动 电压的输入端与接地端之间形成第四电流路径。
[0006] 依据本发明一个或多个实施例所掲露的一种发光二极管电路，具有一个输入端与 一个接地端，所述的发光二极管电路包含：N个发光二极管、（N-I)个单向元件、控制单元、 (N-I)个第一开关与（N-I)个第二开关。其中第1个发光二极管的正端电性禪接至输入端 W接收驱动电压，第N个发光二极管的负端电性禪接至接地端，N为大于1的整数。第i个 单向元件的正端电性禪接至第i个发光二极管的负端，且第i个单向元件的负端电性禪接 至第（i+1)个发光二极管的正端，i为小于N的正整数。控制单元电性禪接至输入端，用W依据驱动电压W产生一组控制信号。第j个第一开关电性禪接于第j个发光二极管的正端 与第（j+1)个发光二极管的正端之间，每个第一开关受控于控制信号而选择性地导通，j为 小于N的正整数。第k个第二开关电性禪接于第k个发光二极管的负端与第化+1)个发光 二极管的负端之间，每个第二开关受控于控制信号而选择性地导通，k为小于N的正整数。
[0007] 藉由本发明提出一种发光二极管电路，依据驱动电压的电压值，调整多颗发光二 极管之间的串联与并联，使发光二极管电路中的每一颗发光二极管都具有相同的利用率， 且每一颗发光二极管的利用率都接近100%。如此，所有的发光二极管都同时发光，因此发 光二极管电路出光的闪烁程度被减低。
[0008] W上的关于本
【发明内容】
的说明及W下的实施方式的说明用W示范与解释本发明 的精神与原理，并且提供本发明的专利申请范围更进一步的解释。
【附图说明】
[0009] 图1依据本发明第一实施例的发光二极管电路示意图。
[0010] 图2依据本发明第二实施例的发光二极管电路示意图。
[0011] 图3依据本发明第H实施例的发光二极管电路示意图。
[0012] 图4依据本发明第二实施例中的控制单元的部份电路示意图。
[0013] 图5依据本发明一实施例的发光二极管电路运作在驱动电压小于两倍的发光电 压的实施状态示意图。
[0014] 图6依据本发明一实施例的发光二极管电路运作在驱动电压介于两倍的发光电 压至H倍的发光电压的实施状态示意图。
[0015] 图7依据本发明一实施例的发光二极管电路运作在驱动电压介于H倍的发光电 压至四倍的发光电压的实施状态示意图。
[0016] 图8依据本发明一实施例的发光二极管电路运作在驱动电压介于H倍的发光电 压至四倍的发光电压的另一实施状态示意图。
[0017] 图9依据本发明一实施例的发光二极管电路运作在驱动电压大于四倍的发光电 压下的实施状态示意图。
[0018] 图10依据本发明第四实施例的发光二极管电路示意图。
[0019] 图11依据本发明一实施例的发光二极管电路运作在驱动电压小于两倍发光电压 时的实施状态示意图。
[0020] 图12依据本发明一实施例的发光二极管电路运作在驱动电压介于两倍发光电压 与H倍发光电压时的实施状态示意图。
[0021] 图13依据本发明一实施例的发光二极管电路运作在驱动电压介于H倍发光电压 与四倍发光电压时的实施状态示意图。
[0022] 图14依据本发明一实施例的发光二极管电路运作在驱动电压大于四倍发光电压 时的实施状态示意图。
[0023] 图15依据本发明第五实施例的发光二极管电路示意图。
[0024] 图16依据本发明一实施例的发光二极管电路运作在驱动电压小于两倍发光电压 时的实施状态示意图。
[00巧]图17依据本发明一实施例的发光二极管电路运作在驱动电压介于两倍发光电压 与H倍发光电压时的实施状态示意图。
[0026] 图18依据本发明一实施例的发光二极管电路运作在驱动电压介于H倍发光电压 与四倍发光电压时的实施状态示意图。
[0027] 图19依据本发明一实施例的发光二极管电路运作在驱动电压介于H倍发光电压 与四倍发光电压时的实施状态示意图。
[0028] 图20依据本发明一实施例的发光二极管电路运作在驱动电压大于四倍发光电压 时的实施状态示意图。
[0029] 图21依据本发明第六实施例的发光二极管电路示意图。
[0030] 图22依据本发明一实施例的发光二极管电路运作在驱动电压小于两倍发光电压 时的实施状态示意图。
[0031] 图23依据本发明一实施例的发光二极管电路运作在驱动电压介于两倍发光电压 与H倍发光电压时的实施状态示意图。
[0032] 图24依据本发明一实施例的发光二极管电路运作在驱动电压介于H倍发光电压 与四倍发光电压时的实施状态示意图。
[0033] 图25依据本发明一实施例的发光二极管电路运作在驱动电压大于四倍发光电压 时的实施状态示意图。
[0034] 图26依据本发明一实施例中的驱动电压与驱动电流时序图。
[0035] 图27依据本发明第走实施例的发光二极管电路示意图。
[0036] 其中，附图标记：
[0037] 10 控制单元
[003引 101~105 比较器
[0039] 107~109 互斥或间
[0040]Dl~D4 单向元件
[0041]DOl~D(N-I) 单向元件
[004引 Il~14 电流源
[0043]LEDl~LED5 发光二极管
[0044]L邸Ol~LEDN 发光二极管
[0045]SWl~SW8 开关
[0046]SWll~SWl(N-I)第一开关
[0047]SW21 ~SW2(N-1)第二开关
[0048]Vctrll~Vctrl3 控制信号
[004引 Vcomp 比较信号
[0050] VIN 驱动电压
[005。 VDIM 调光信号
【具体实施方式】
[0052] W下在实施方式中详细叙述本发明的详细特征，其内容足W使任何本领域技术人 员了解本发明的技术内容并据W实施，且根据本说明书所掲露的内容、申请专利范围及图 式，任何本领域技术人员可轻易地理解本发明。W下的实施例进一步详细说明本发明的观 点，但非W任何观点限制本发明的范畴。
[0053] 请参照图1，其依据本发明第一实施例的发光二极管电路示意图。如图1所示，发 光二极管电路可W包括发光二极管LEDl、发光二极管LED2、发光二极管LED3、开关SWl、开 关SW2、开关SW3、开关SW4、单向元件D1、单向元件D2与控制单元10。