一种线性功率放大器的温度补偿方法及装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子通信技术领域，具体涉及一种线性功率放大器的温度补偿方法。
【背景技术】
[0002]以WCDMA (Wideband Code Divis1n Multiple Access,宽带码分多址)为代表的第三代移动通信技术，为实现宽带调制、多载波应用，同时减小邻信道干扰以满足通信系统的误码率要求，对基站发射极功率放大器线性指标要求严格，一般WCDMA手机采用线性功率放大器(PA，Power Amplifier)，由于线性功率放大器在不同环境温度下输出功率不同，增益会随着环境温度的变化而变化，发射功率会随着温度升高而下降，反之亦然；如果在高低温度环境下不做温度补偿的话，线性功率放大器的输出功率就会随温度变化而出现较大的波动，甚至于在高低温环境下不能通过3GPP (3rd Generat1n Partnership Project,第三代合作伙伴计划)规定的范围，导致测试用例(case)失败。因此在不同的环境温度下需要对线性功率放大器做温度补偿才能保证手机发射功率的恒定不变。即通过调整线性功率放大器输入端的功率来补偿由于线性功率放大器增益变化带来的功率损失。
[0003]目前常用的温度补偿方法是三段式(或η段式)补偿法，即把整个频带平均分成三段或η段(η> = I)，然后分别去补偿这几个采样信道的功率，其余信道和与它最近的采样信道用同样的补偿值。现有技术存在的主要缺点是不能保证整个频带内功率的平坦性，可能只有采样到的那几个信道的补偿值最贴近实际情况，而其它信道的补偿值总是会有一定误差的。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于，提供一种线性功率放大器的温度补偿方法，解决以上技术问题。
[0005]本发明的目的还在于，提供一种线性功率放大器的温度补偿装置，解决以上技术问题。
[0006]本发明所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现:
[0007]—种线性功率放大器的温度补偿方法，应用于具有射频发射芯片的射频系统中，其特征在于，包括以下步骤，
[0008]步骤1，于一设定温度下检测整个频带内每一频点可达到的最大发射功率，并获得频带的发射功率曲线；
[0009]步骤2，确定所述频带内一组标识所述发射功率曲线变化趋势的第一类频点对应的最大发射功率与目标功率的偏移值；当前发射频点不是所述第一类频点时，执行步骤4 ;
[0010]步骤3，如当前发射频点为所述第一类频点，则依据当前发射频点对应的偏移值对射频发射芯片输出功率进行补偿并退出；
[0011]步骤4，如当前发射频点为所述第一类频点之间的频点，根据所述第一类频点于所述发射功率曲线上对应的位置，以线性插值获得相邻的所述第一类频点之间的频点对应的偏移值；
[0012]步骤5，依据当前发射频点对应的偏移值对射频发射芯片输出功率进行补偿并退出。
[0013]本发明的线性功率放大器的温度补偿方法，所述步骤4的具体方法如下:
[0014]步骤41，对相邻的所述第一类频点以直线段连接；
[0015]步骤42，依据每一段直线段两端的端点对应的第一类频点及对应的最大发射功率计算每一段直线段的斜率；
[0016]步骤43，采用以下公式计算相邻的所述第一类频点之间的频点的最大发射功率:
[0017]y = k*x+b,其中:
[0018]y为所述频点对应的最大发射功率；
[0019]k为每一段直线段对应的斜率；
[0020]X为频点值；
[0021]b为常数，等于每一段直线段起始端的第一类频点对应的最大发射功率值。
[0022]步骤44，依据步骤43计算得到的最大发射功率计算与目标功率的偏移值。
[0023]本发明的线性功率放大器的温度补偿方法，所述设定温度的取值范围为-20°C?65。。。
[0024]本发明还提供一种线性功率放大器的温度补偿装置，其中，用于实施上述的线性功率放大器的温度补偿方法，包括，
[0025]一功率检测单元，用以获取整个频带内每一频点对应的最大发射功率；
[0026]一发射功率曲线生成单元，用以依据所述最大发射功率生成发射功率曲线；
[0027]—第一类频点计算单元，用以确定所述频带内一组标识所述发送功率曲线变化趋势的第一类频点；
[0028]一第一偏移值计算单元，用以确定所述第一类频点对应的最大发射功率与目标功率的偏移值；
[0029]一第二偏移值计算单元，用以根据线性插值获得相邻的所述第一类频点之间的频点与目标功率的偏移值；
[0030]一补偿单元，用以依据所述偏移值对射频发射芯片输出功率进行补偿。
[0031]本发明的线性功率放大器的温度补偿装置，还包括一直线段生成单元，对相邻的所述第一类频点以直线段连接。
[0032]本发明的线性功率放大器的温度补偿装置，还包括一斜率计算单元，依据每一段直线段两端的第一类频点及对应的最大发射功率计算每一段直线段的斜率。
[0033]本发明的线性功率放大器的温度补偿装置，还包括一存储单元，用以存储每一频点及对应的最大发射功率、和/或所述目标功率、和/或所述偏移值。有益效果:由于采用以上技术方案，本发明提出了一种新的基于线性插值方法的温度补偿方法，从而保证线性功率放大器在不同环境温度下的发射功率保持一致；一方面减少了温度补偿所需的信道数目，另一方面也可以保持在整个频带内手机发射功率的平坦性。
【附图说明】
[0034]图1为本发明的方法流程示意图；
[0035]图2为本发明的步骤4的方法流程示意图；
[0036]图3为本发明的发射功率曲线及连接后的直线段示意图。
【具体实施方式】
[0037]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0038]需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0039]下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。
[0040]参照图1，一种线性功率放大器的温度补偿方法，其中，包括以下步骤，
[0041]步骤1，于一设定温度下检测整个频带内每一频点可达到的最大发射功率，并获得频带的发射功率曲线；
[0042]步骤2，确定频带内一组标识发射功率曲线变化趋势的第一类频点对应的最大发射功率与目标功率的偏移值；依据当前发射频点是否为第一类频点，执行步骤3或步骤4 ；
[0043]步骤3，如当前发射频点为第一类频点，则依据当前发射频点对应的偏移值对射频发射芯片输出功率进行补偿并退出；
[0044]步骤4，如当前发射频点为第一类频点之间的频点，根据第一类频点于发射功率曲线上对应的位置，以线性插值获得相邻的第一类频点之间的频点对应的偏移值；
[0045]步骤5，依据当前发射频点对应的偏移值对射频发射芯片输出功率进行补偿。
[0046]本发明首先需要在一设定温度下全扫整个频带内的所有信道的最大发射功率，获得频带的发射功率曲线，了解频带内功率的波动情况；其次，确定频带内一组标识发射功率曲线变化趋势的第一类频点，计算第一类频点对应的最大发射功率与目标功率的偏移值，当前发射频点为第一类频点时，依据当前发射频点对应的偏移值对射频发射芯片输出功率进行补偿并退出；当前发射频点为第一类频点之间的频点时，根据第一类频点于发射功率曲线上对应的位置，以线性插值获得相邻的第一类频点之间的频点对应的偏移值，在上面测量和计算的基础上完成所有信道的温度补偿。上述的计算可以利用数字信号处理算法或专用的数字信号处理芯片进行。
[0047]作为本