高频模块的制作方法
【技术领域】
[0001 ]本发明涉及具备多个滤波器元件的高频模块。
【背景技术】
[0002]具备无线通信功能的移动设备等为了仅使所希望频率的高频信号通过，并使该希望频率以外的高频信号衰减，具备滤波器电路。
[0003]例如在专利文献1中记载了具备多个谐振器的滤波器电路。具体地说，专利文献1的滤波器电路在输入端子和输出端子之间串联连接多个谐振器。
[0004]专利文献1中所记载的结构为了改善通频带以外的衰减特性，将电感器或电感器和电容器的路径(以下称为校正电路)与滤波器电路并联连接。此时，调整校正电路使得在校正电路中传输的抑制信号与在滤波器电路中传输的通频带以外的高频信号(抑制目标信号)振幅一致，并且相位相反。由此，抑制目标信号在滤波器电路与校正电路的连接点处被抵消，从而不会从输出端子输出。
现有技术文献专利文献
[0005]专利文献1:日本专利特开2012 —109818号公报
【发明内容】
发明所要解决的技术问题
[0006]然而，上述结构的高频模块将校正电路设置在滤波器电路的外部，从而模块尺寸会变大。
[0007]此外，滤波器电路的外部容易受到外部环境的影响。具体地说，校正电路容易受到滤波器电路外部的噪声影响，容易与其他电路耦合。此外，校正电路容易受到滤波器电路外部的安装元件间耦合的影响。其结果，高频模块的特性容易产生偏差，衰减特性难以成为所希望的特性。
[0008]为此，本发明的目的是提供一种具备通频带以外的衰减特性优异的小型滤波器电路的尚频t旲块。
解决技术问题的技术方案
[0009]本发明的高频模块包括被输入高频信号的第1外部连接端子、输出高频信号的第2外部连接端子、连接在第1外部连接端子与第2外部连接端子之间的高频信号处理部。
[0010]而且，高频信号处理部的内部具备:第1滤波器电路，该第1滤波器电路具有串联连接在第1外部连接端子与第2外部连接端子之间的多个滤波器元件；以及取出用电路部，该取出用电路部的一端与连接至所述第1滤波器电路的任意一个滤波器元件的连接导体直接或以电磁场耦合的方式连接，另一端为第3外部连接端子，第3外部连接端子连接至第2外部连接端子。
[0011]电磁场耦合通过电感性耦合或电容性耦合来实现。例如，取出用电路部的一端通过电感性耦合或电容性耦合，连接至将滤波器元件相互连接的连接导体。由此，流过滤波器元件间的高频信号被分配并向第3外部连接端子传输。此外，取出用电路部的一端也可以与滤波器元件间的连接导体直接连接(例如电阻分配)。此外，取出用电路部的一端不局限于连接至将滤波器元件彼此间连接的连接导体，例如也可以连接至将第1外部连接端子与滤波器元件连接的连接导体。
[0012]被分配的高频信号通过取出用电路部的传输，其相位及振幅发生变化。例如根据传输距离，相位发生周期性变化，振幅会由于取出用电路部的损耗而变小。
[0013]将第3外部连接端子的高频信号称为抑制信号，将通过第1滤波器电路的高频信号称为抑制目标信号时，取出用电路部例如设定传输距离使得抑制信号的相位与抑制目标信号的相位大致反相，并且抑制信号的振幅与抑制目标信号的振幅大致相同。
[0014]抑制信号因第3外部连接端子与第2外部连接端子连接而与抑制目标信号合成。于是，在第3外部连接端子与第2外部连接端子的连接部上，通频带外的分量通过抑制信号与抑制目标信号的合成而相互抵消，从而提高衰减特性。
[0015]取出用电路部被装在高频信号处理部的内部，因此不容易受到外部环境的影响。由此，高频模块的特性不容易产生偏差，衰减特性的调整变得容易。
[0016]此外，第3外部连接端子可以是与所述第2外部连接端子直接连接，也可以是经由电感性耦合或电容性耦合的连接与所述第2外部连接端子连接的方式。
[0017]此外，也可以是在所述第2外部连接端子与所述第3外部连接端子之间具备匹配元件。
[0018]匹配元件最终调整抑制信号的相位，因此，抑制目标信号的通频带外的分量进一步被抵消。
[0019]此外，所述匹配元件可以是电容器或电感器，也可以是线状导体。
[0020]在匹配元件为线状导体的情况下，抑制信号的相位可以通过线状导体的长度调整。在该情况下，抑制信号的振幅也可以通过线状导体的长度调整。
[0021]此外，所述匹配元件也可以将所述第1滤波器电路的通频带以外的频带中的高频信号设定为反相。
[0022]在通频带外，抑制信号的相位若与抑制目标信号的相位反相(180°)，则通频带外的分量基本被抵消。
[0023]此外，高频模块是具备第2滤波器电路的双工器，所述第2滤波器电路的一端连接至所述第2外部连接端子，该第2滤波器电路的另一端连接至第4外部连接端子。
[0024]例如若提高发送侧的第1滤波器电路的衰减特性，向接收侧的第2滤波器电路泄漏的分量就会减少。由此，能提高连接至第1外部连接端子的发送电路和连接至第4外部连接端子的接收电路之间的隔离性。
[0025]此外，本发明的高频模块也可以是下述结构。
[0026]包括:平板状的滤波器基板，该平板状的滤波器基板在第1主面上形成构成所述多个滤波器元件的多个IDT电极;平板状的保护层，该平板状的保护层与该滤波器基板的所述第1主面隔开间隔地相对;多个连接电极，该多个连接电极从所述第1主面突出并呈贯通所述保护层的形状；以及层叠基板，所述滤波器基板配置成所述第1主面侧面向所述层叠基板的安装面，所述滤波器基板经由所述多个连接电极连接至所述层叠基板。
[0027]该结构能将高频信号处理部以WLP(;Wafer Level Package-晶圆级封装)结构来实现。由此，能小型化高频模块。
[0028]此外，所述取出用电路部可以形成在所述滤波器基板的所述第1主面或所述滤波器基板的内部，所述多个连接电极中至少1个连接电极是所述第3外部连接端子。
[0029]此外，所述取出用电路部可以形成在所述保护层的表面或所述保护层的内部，所述多个连接电极中至少1个连接电极是所述第3外部连接端子。
[0030]此外，所述取出用电路部的一端也可以直接连接至所述第1滤波器电路的连接导体。
[0031 ] WLP结构在俯视高频模块时，能在滤波器基板的区域中设置取出用电路部及第3外部连接端子，因此高频模块能小型化。
[0032]所述取出用电路部的一端可以配置成在从所述第1主面的法线方向俯视时与所述连接导体重叠。
[0033]该结构中，取出用电路部的一端与将形成在滤波器基板的第1主面上的多个IDT电极间加以连接的导体进行电感性耦合或电容性耦合，从而取出高频信号。
[0034]此外，高频模块也可以是下述结构。
[0035]包括:平板状的滤波器基板，该平板状的滤波器基板在第1主面上形成构成所述多个滤波器元件的多个IDT电极;层叠基板；以及多个连接电极，该多个连接电极从所述第1主面突出并连接至所述层叠基板，所述滤波器基板配置成所述第1主面侧面向所述层叠基板的安装面，所述滤波器基板被封入树脂薄膜。
[0036]该结构能将高频信号处理部以所谓裸芯片结构来实现。
[0037]所述取出用电路部可以形成在所述滤波器基板的所述第1主面或所述滤波器基板的内部，所述多个连接电极中至少1个连接电极是所述第3外部连接端子。
[0038]所述取出用电路部可以形成在所述滤波器基板的内部，所述多个连接电极中至少1个连接电极是所述第3外部连接端子，所述取出用电路部的一端配置成在从所述第1主面的法线方向俯视时与所述连接导体重叠。
[0039]此外，高频模块也可以是下述结构。高频模块包括:平板状的滤波器基板，该平板状的滤波器基板在第1主面上形成构成所述多个滤波器元件的多个IDT电极；以及平板状的滤波器安装用基板，该平板状的滤波器安装用基板配置在该滤波器基板的所述第1主面侧，并且该滤波器基板的所述第1主面侧安装在所述平板状的滤波器安装用基板上。
[°04°] 该结构能将高频信号处理部以所谓CSP( ;Chip Sized Package-芯片尺寸封装)结构来实现。此外，CSP结构也可以在滤波器安装用基板上安装匹配元件。
技术效果
[0041]采用本发明，能够实现具备小型滤波器电路的高频模块，该小型滤波器电路具有优异的通频带以外的衰减特性。
【附图说明】
[0042]图1是表示实施方式1所涉及的高频模块的第1电路例的电路框图。
图2是表示实施方式1所涉及的高频模块的通过特性的示意图。
图3是表示实施方式1所涉及的高频模块的第2电路例的电路框图。 图4是表示实施方式1所涉