低通滤波器的制造方法
【技术领域】
[0001]本公开涉及低通滤波器，具体地但无排他性地，涉及用于低噪声LDO (低压差稳压器)的低通滤波器。
【发明内容】
[0002]根据第一方面，提供一种低通滤波器，包括:滤波器输入端子；滤波器输出端子；滤波器FET，被配置为在滤波器输入端子和滤波器输出端子之间提供电阻；滤波电容器，连接在滤波器输出端子和参考端子之间；偏置FET，被配置为将偏置电压提供给滤波器FET ;缓冲器，连接在滤波器输入端子和偏置FET之间，所述缓冲器被配置为向偏置FET供给偏置电流；偏移电压源，被配置为供给被提供给滤波器FET的偏置电压。
[0003]使用所述缓冲器使得偏置电流能够以如下方式被供给:该偏置电流不需要被连接到滤波器输入端子的参考电压源直接传送。因此，偏置电流的供应不会改变参考电压，而改变参考电压可能会产生负面效果。
[0004]偏移电压源可被配置为供给偏置FET的源-栅电压。通过这种方式，偏置FET的源-栅电压可以小于滤波器FET的阈值电压。
[0005]滤波器FET的宽长比可以等于或大于偏置FET的宽长比。滤波器FET的宽度可以等于偏置FET的宽度。滤波器FET的长度可以等于偏置FET的长度。
[0006]滤波器FET和偏置FET的阈值电压可以不同。滤波器FET的阈值电压可以大于偏置FET的阈值电压。
[0007]滤波器FET和偏置FET可以是不同类型的晶体管。滤波器FET的阱和偏置FET的阱可连接到不同电位。滤波器FET和偏置FET可具有厚度不同的栅极氧化物层。滤波器FET和偏置FET可适合于不同的电压域。滤波器FET和偏置FET可具有存在于形成器件的讲或衬底中的不同类型和/或量的植入物(implant)。
[0008]滤波器FET和偏置FET可以是相同类型的晶体管
[0009]滤波器FET的阱和偏置FET的阱可连接到不同电位。偏置FET的阱可连接到偏置FET的栅极。偏置FET和滤波器FET可具有相同或不同的几何构型。滤波器FET的宽长比可以不同于偏置FET的宽长比。
[0010]可以在缓冲器内设置偏移电压源。所述缓冲器包括差分输入级，所述差分输入级包括第一缓冲器FET和第二缓冲器FET。第一缓冲器FET的阈值电压可以不同于第二缓冲器FET的阈值电压。
[0011]第一缓冲器FET和第二缓冲器FET可以是不同类型的晶体管。第一缓冲器FET和第二缓冲器FET可具有厚度不同的栅极氧化物层。第一缓冲器FET和第二缓冲器FET可适合于不同的电压域。第一缓冲器FET和第二缓冲器FET可被配置为接收不同电源电压电平。第一缓冲器FET和第二缓冲器FET可具有存在于形成器件的衬底中的不同类型和/或量的植入物。第一缓冲器FET和第二缓冲器FET可具有不同阈值电压。
[0012]第一缓冲器FET和第二缓冲器FET可以是相同类型的晶体管。
[0013]第一缓冲器FET和第二缓冲器FET的阱可以连接到不同电位。第二缓冲器FET的阱可以连接到第二缓冲器FET的栅极。第二缓冲器FET和第一缓冲器FET可以具有相同或不同的几何构型。第一缓冲器FET的宽长比可以不同于第二缓冲器FET的宽长比。
[0014]滤波器FET可包括滤波器FET导电沟道和滤波器FET控制端子。滤波器FET导电沟道可串联在滤波器输入端子和滤波器输出端子之间。
[0015]偏置FET可包括:偏置FET控制端子；以及偏置FET导电沟道，连接在第一偏置FET导电端子和第二偏置FET导电端子之间。偏置FET控制端子可连接到滤波器FET控制端子。
[0016]滤波器还可包括被配置为向偏置FET提供偏置电流的偏置电流源。偏置电流源可连接到第一偏置FET导电端子、偏置FET控制端子和滤波器FET控制端子。偏移电压源可连接到第二偏置FET导电端子。
[0017]偏移电压或其它的偏移电压源可串联在缓冲器输出端子和第二缓冲器输入端子之间。
[0018]缓冲器可包括第一缓冲器输入端子、第二缓冲器输入端子和缓冲器输出端子。第一缓冲器输入端子可连接到滤波器输入端子。缓冲器输出端子可连接到第二缓冲器输入端子。偏移电压源可串联在缓冲器输出端子和第二偏置FET导电端子之间。
[0019]可提供一种低通滤波器，包括:滤波器输入端子；滤波器输出端子；滤波器FET，被配置为在滤波器输入端子和滤波器输出端子之间提供电阻；滤波电容器，连接在滤波器输出端子和参考端子之间；偏置FET，被配置为将偏置电压提供给滤波器FET ;偏移电压源，被配置为供给被提供给滤波器FET的偏置电压；其中，滤波器FET和偏置FET是不同类型的晶体管，或者其中滤波器FET的阱和偏置FET的阱连接到不同电位。
[0020]滤波器FET和偏置FET可具有厚度不同的栅极氧化物层。滤波器FET和偏置FET可适合于不同的电压域。滤波器FET和偏置FET可具有存在于形成器件的阱或衬底中的不同类型和/或量的植入物。滤波器FET和偏置FET可具有不同的阈值电压。
[0021]偏移电压源可被配置为供给偏置FET的源-栅电压，使得偏置FET的源-栅电压小于滤波器FET的阈值电压。
[0022]滤波器FET的宽长比可以等于或大于偏置FET的宽长比。滤波器FET的宽度可以等于偏置FET的宽度。滤波器FET的长度可以等于偏置FET的长度。
[0023]滤波器FET的阈值电压可以大于偏置FET的阈值电压。
[0024]滤波器还可包括连接在滤波器输入端子和偏置FET之间的缓冲器。所述缓冲器可被配置为向偏置FET供应偏置电流。
[0025]可以在缓冲器内设置偏移电压源。所述缓冲器包括差分输入级，所述差分输入级包括第一缓冲器FET和第二缓冲器FET。第一缓冲器FET的阈值电压可以不同于第二缓冲器FET的阈值电压。
[0026]第一缓冲器FET和第二缓冲器FET可以是相同类型的晶体管。第一缓冲器FET和第二缓冲器FET的阱可以连接到不同电位。第二缓冲器FET的阱可以连接到第二缓冲器FET的栅极。第二缓冲器FET和第一缓冲器FET可以具有相同或不同的几何构型。
[0027]滤波器FET可包括滤波器FET导电沟道和滤波器FET控制端子。滤波器FET导电沟道可串联在滤波器输入端子和滤波器输出端子之间。
[0028]偏置FET可包括:偏置FET控制端子；以及偏置FET导电沟道，连接在第一偏置FET导电端子和第二偏置FET导电端子之间。偏置FET控制端子可连接到滤波器FET控制端子。
[0029]滤波器还可包括被配置为向偏置FET提供偏置电流的偏置电流源。偏置电流源可连接到第二偏置FET导电端子、偏置FET控制端子和滤波器FET控制端子。
[0030]偏移电压源可连接到第一偏置FET导电端子。
[0031]偏移电压源可串联在缓冲器输出端子和第二缓冲器输入端子之间。
[0032]缓冲器可包括第一缓冲器输入端子、第二缓冲器输入端子和缓冲器输出端子。第一缓冲器输入端子可连接到滤波器输入端子。缓冲器输出端子可连接到第二缓冲器输入端子。偏移电压源可串联在缓冲器输出端子和第一偏置FET导电端子之间。
[0033]可以提供包括在此公开的任意低通滤波器的低压差稳压器。
【附图说明】
[0034]现在参照附图以示例的方式描述实施例，其中:
[0035]图1示出低噪声低压差稳压器的示例构造；
[0036]图2a和图2b示出低通滤波器的示例；
[0037]图3示出低通滤波器的另一示例；
[0038]图4示出可以是图2a、图2b和图3中的任何一个中的缓冲器的一部分的PMOS差分输入级401 ；
[0039]图5示出另一低噪声低压差稳压器。
【具体实施方式】
[0040]图1示出低噪声低压差稳压器(LDO) 100的示例构造。
[0041]带隙电压源102被用于产生参考电压VBG，其被设计为尽量与工艺、温度或电源电压无关。在一些示例中(未在图1中示出)，反馈电阻分压器可被布置在稳压器的输出端以将带隙电压放大到期望的输出电压。然而，由于反馈分压器可能是主要的噪声来源之一，因此将其从输出端移除是有益的。
[0042]在图1的低噪声稳压器中，带隙参考电压VB(；被提供为到缩放放大器106的输入，缩放放大器106被配置为将带隙参考电压Vbs缩放为缩放参考电压V ref0缩放放大器106包括控制回路，所述控制回路包括电阻分压器104。然而，带隙电压源102、缩放放大器106和电阻分压器104可能产生显著噪声。为此，图1的电路100包括低通滤波器108，其对缩放参考电压Vraf进行低通滤波以提供滤波后的缩放参考电压V ref, flltCT。滤波后的缩放参考电压Vraf,flltCT被提供给输出电压控制回路的LDO运算放大器110的第一输入端子(在该示例中是反相输入端)。LDO运算放大器110在其输出端提供输出电压V。# u。，其中，所述输出端连接到LDO输出级FET 112的栅极。LDO FET 112还具有连接在LDO输入端子114和LDO输出端子116之间的导电沟道。LDO输出端子116还连接到LDO运算放大器110的第二输入端子(在该示例中是正相输入端)。LDO运算放大器110和LDO FET 112 一起构成LD0。LDO输出端子116还可连接到负载118。
[0043]为了实现针对