一种低噪音电子镇流器的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种低噪音电子镇流器，其特征在于，主要由处理芯片U1，二极管整流器U，正极与二极管整流器U的正极输出端相连接、负极则与二极管整流器U的负极输出端相连接的电容C1，与电容C1相连接的电磁滤波电路，一端与处理芯片U的RT管脚相连接、另一端则与电磁滤波电路相连接的电阻R2，串接在处理芯片U1的PGND管脚和SGND管脚之间的电阻R4等组成。本发明可以把工作中产生的电磁干扰信号进行抑制，降低电磁干扰信号对本发明的影响，极大的提高了本发明的稳定性，使日光灯可以稳定的工作，从而延长了日光灯的工作寿命。
【专利说明】
一种低噪音电子镇流器
技术领域
[0001]本发明涉及一种镇流器，具体是指一种低噪音电子镇流器。
【背景技术】
[0002]随着社会的发展，镇流器已被广泛的应用于日光灯上，镇流器可以使输入电流稳定在灯管的额定电流范围内，而灯管两端的电压也被稳定在额定的工作电压范围内，起到降压限流的作用，不仅保护了日光灯，而且使日光灯的照明效果更好。然而，传统的镇流器容易受到电磁干扰信号的影响，导致其稳定性低，这严重的影响了日光灯的使用寿命。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于克服传统的镇流器容易受到电磁干扰信号影响的缺陷，提供一种低噪音电子镇流器。
[0004]本发明的目的通过下述技术方案实现:一种低噪音电子镇流器，主要由处理芯片Ul，二极管整流器U，正极与二极管整流器U的正极输出端相连接、负极则与二极管整流器U的负极输出端相连接的电容Cl，与电容Cl相连接的电磁滤波电路，一端与处理芯片U的RT管脚相连接、另一端则与电磁滤波电路相连接的电阻R2，串接在处理芯片UI的PGND管脚和SGND管脚之间的电阻R4，分别与处理芯片Ul和电磁滤波电路相连接的变压输出电路，以及N极与处理芯片Ul的VB管脚相连接、P极经电阻R3后与处理芯片Ul的VCC管脚相连接的二极管D3组成;所述处理芯片U的VCC管脚和HV管脚均与电容Cl的正极相连接、其VB管脚和VS管脚均与变压输出电路相连接、其CT管脚和SGND管脚均与电磁滤波电路相连接。
[0005]进一步的，所述电磁滤波电路由场效应管MOS，三极管VTI，串接在场效应管MOS的漏极和栅极之间的电阻Rl，P极与场效应管MOS的漏极相连接、N极则与三极管VTl的发射极相连接的二极管Dl，正极与场效应管MOS的源极相连接、负极则与三极管VTl的基极相连接的电容C2，负极与三极管VTI的集电极相连接、正极则与变压输出电路相连接的电容C3，P极与三极管VTl的发射极相连接、N极则与处理芯片Ul的CT管脚相连接的二极管D2，以及正极与三极管VTl的发射极相连接、负极则与处理芯片Ul的SGND管脚相连接的同时接地的电容C4组成;所述电容Cl的负极与场效应管MOS的栅极相连接;所述场效应管MOS的栅极还经电阻R2后与处理芯片Ul的RT管脚相连接。
[0006]所述变压输出电路由变压器T，三极管VT2，三极管VT3，串接在三极管VT2的集电极和处理芯片Ul的VB管脚之间的电阻R5，正极与三极管VT2的集电极相连接、负极经电阻R6后与三极管VT3的基极相连接的电容C5，正极与三极管VT2的发射极相连接、负极经电阻R8后与三极管VT3的发射极相连接的电容C6，正极与变压器T的原边电感线圈的同名端、负极则与变压器T的原边电感线圈的非同名端相连接的同时接地的电容C7，以及串接在电容C3的正极和变压器T的原边电感线圈的同名端之间的电阻R7组成;所述三极管VT2的基极与处理芯片Ul的VS管脚相连接、其发射极接地;所述三极管VT3的集电极与变压器T的副边电感线圈的非同名端相连接。
[0007]所述处理芯片Ul为GR6953集成芯片。
[0008]本发明较现有技术相比，具有以下优点及有益效果:
[0009]本发明可以把工作中产生的电磁干扰信号进行抑制，降低电磁干扰信号对本发明的影响，极大的提高了本发明的稳定性，使日光灯可以稳定的工作，从而延长了日光灯的工作寿命。
【附图说明】
[0010]图1为本发明的整体结构示意图。
【具体实施方式】
[0011]下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
[0012]实施例
[0013]如图1所示，本发明主要由处理芯片Ul，二极管整流器U，正极与二极管整流器U的正极输出端相连接、负极则与二极管整流器U的负极输出端相连接的电容Cl，与电容Cl相连接的电磁滤波电路，一端与处理芯片U的RT管脚相连接、另一端则与电磁滤波电路相连接的电阻R2，串接在处理芯片Ul的PGND管脚和SGND管脚之间的电阻R4，分别与处理芯片Ul和电磁滤波电路相连接的变压输出电路，以及N极与处理芯片Ul的VB管脚相连接、P极经电阻R3后与处理芯片Ul的VCC管脚相连接的二极管D3组成。
[0014]所述处理芯片U的VCC管脚和HV管脚均与电容Cl的正极相连接、其VB管脚和VS管脚均与变压输出电路相连接、其CT管脚和SGND管脚均与电磁滤波电路相连接。为了更好的实施本发明，所述处理芯片Ul优选GR6953集成芯片来实现。
[0015]进一步的，该电磁滤波电路由场效应管MOS，三极管VTl，电阻Rl，电容C2，电容C3，电容C4，二极管Dl以及二极管D2组成。
[0016]连接时，电阻Rl串接在场效应管MOS的漏极和栅极之间。二极管Dl的P极与场效应管MOS的漏极相连接、其N极则与三极管VTl的发射极相连接。电容C2的正极与场效应管MOS的源极相连接、其负极则与三极管VTI的基极相连接。电容C3的负极与三极管VTI的集电极相连接、其正极则与变压输出电路相连接。二极管D2的P极与三极管VTl的发射极相连接、其N极则与处理芯片Ul的CT管脚相连接。电容C4的正极与三极管VTl的发射极相连接、其负极则与处理芯片Ul的SGND管脚相连接的同时接地。
[0017]同时，所述电容Cl的负极与场效应管MOS的栅极相连接。所述场效应管MOS的栅极还经电阻R2后与处理芯片Ul的RT管脚相连接。
[0018]另外，所述变压输出电路由变压器T，三极管VT2，三极管VT3，电阻R5，电阻R6，电阻R7，电阻R8，电容C5，电容C6以及电容C7组成。
[0019]连接时，电阻R5串接在三极管VT2的集电极和处理芯片Ul的VB管脚之间。电容C5的正极与三极管VT2的集电极相连接、其负极经电阻R6后与三极管VT3的基极相连接。电容C6的正极与三极管VT2的发射极相连接、其负极经电阻R8后与三极管VT3的发射极相连接。电容C7的正极与变压器T的原边电感线圈的同名端、其负极则与变压器T的原边电感线圈的非同名端相连接的同时接地。电阻R7串接在电容C3的正极和变压器T的原边电感线圈的同名端之间。所述三极管VT2的基极与处理芯片Ul的VS管脚相连接、其发射极接地。所述三极管VT3的集电极与变压器T的副边电感线圈的非同名端相连接。日光灯则串接在变压器T的副边电感线圈的同名端和电容Cl的负极之间。
[0020]工作时，本发明对工频电源全波整流和功率因素校正后，使工频电源变为直流电源，直流电源经过变换后，输出20K-1OOKHZ的高频交流电源，从而保证日光灯获得正常工作所需的电压和电流。本发明可以把工作中产生的电磁干扰信号进行抑制，降低电磁干扰信号对本发明的影响，极大的提高了本发明的稳定性，使日光灯可以稳定的工作，从而延长了日光灯的工作寿命。
[0021 ]如上所述，便可以很好的实现本发明。
【主权项】
1.一种低噪音电子镇流器，其特征在于，主要由处理芯片Ul，二极管整流器U，正极与二极管整流器U的正极输出端相连接、负极则与二极管整流器U的负极输出端相连接的电容Cl，与电容Cl相连接的电磁滤波电路，一端与处理芯片U的RT管脚相连接、另一端则与电磁滤波电路相连接的电阻R2，串接在处理芯片Ul的PGND管脚和SGND管脚之间的电阻R4，分别与处理芯片Ul和电磁滤波电路相连接的变压输出电路，以及N极与处理芯片Ul的VB管脚相连接、P极经电阻R3后与处理芯片Ul的VCC管脚相连接的二极管D3组成;所述处理芯片U的VCC管脚和HV管脚均与电容Cl的正极相连接、其VB管脚和VS管脚均与变压输出电路相连接、其CT管脚和SGND管脚均与电磁滤波电路相连接。2.根据权利要求1所述的一种低噪音电子镇流器，其特征在于，所述电磁滤波电路由场效应管MOS，三极管VTl，串接在场效应管MOS的漏极和栅极之间的电阻Rl，P极与场效应管MOS的漏极相连接、N极则与三极管VTl的发射极相连接的二极管Dl，正极与场效应管MOS的源极相连接、负极则与三极管VTl的基极相连接的电容C2，负极与三极管VTl的集电极相连接、正极则与变压输出电路相连接的电容C3，P极与三极管VTl的发射极相连接、N极则与处理芯片Ul的CT管脚相连接的二极管D2，以及正极与三极管VTl的发射极相连接、负极则与处理芯片Ul的SGND管脚相连接的同时接地的电容C4组成;所述电容Cl的负极与场效应管MOS的栅极相连接;所述场效应管MOS的栅极还经电阻R2后与处理芯片Ul的RT管脚相连接。3.根据权利要求2所述的一种低噪音电子镇流器，其特征在于，所述变压输出电路由变压器T，三极管VT2，三极管VT3，串接在三极管VT2的集电极和处理芯片Ul的VB管脚之间的电阻R5，正极与三极管VT2的集电极相连接、负极经电阻R6后与三极管VT3的基极相连接的电容C5，正极与三极管VT2的发射极相连接、负极经电阻R8后与三极管VT3的发射极相连接的电容C6，正极与变压器T的原边电感线圈的同名端、负极则与变压器T的原边电感线圈的非同名端相连接的同时接地的电容C7，以及串接在电容C3的正极和变压器T的原边电感线圈的同名端之间的电阻R7组成;所述三极管VT2的基极与处理芯片Ul的VS管脚相连接、其发射极接地;所述三极管VT3的集电极与变压器T的副边电感线圈的非同名端相连接。4.根据权利要求3所述的一种低噪音电子镇流器，其特征在于，所述处理芯片Ul为GR6953集成芯片。
【文档编号】H05B41/285GK105934059SQ201610412056
【公开日】2016年9月7日
【申请日】2016年6月12日
【发明人】不公告发明人
【申请人】成都卡诺源科技有限公司