低附加相位噪声倍频器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及三极管倍频器技术领域，具体涉及一种低附加相位噪声倍频器。
【背景技术】
[0002]随着微波电子技术的发展，尤其是雷达技术、通信系统的快速发展，对频率合成器的指标要求越来越高，频率合成器的低相噪要求越来越高；为实现所需频率合成器，实现方案有很多种，主要有:直接模拟式、直接数字式、间接模拟式和间接数字式。这些方案为达到输出频率的低相噪，均对输入参考信号的相位噪声提出了很高的要求；迄今为止大多数频率合成器均由晶体振荡器提供参考，但晶体振荡器的输出频率往往很低(一般不超过500MHz)，在X波段及更高频率的微波系统中，常常需要高稳的本振信号，这时如果通过直接对晶振信号进行倍频得到所需高次本振信号，往往会使附加相噪恶化严重、信号的信噪比较差；最有效的方法是采用倍频链实现倍频，因而倍频链的前级倍频的附加相噪恶化要尽可能的低，针对前级倍频，本实用新型提出了较好的解决方法，该方法具有很高的实用性及推广价值。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于针对现有技术的不足，提供一种低附加相位噪声倍频器，该低附加相位噪声倍频器解决现有技术中存在的问题，在满足低附加相位噪声倍频的同时使成本更低、系统更稳定。
[0004]为达到上述要求，本实用新型采取的技术方案是:提供一种低附加相位噪声倍频器，该低附加相位噪声倍频器包括电路连接的输入匹配电路和输入隔离电路；输入隔离电路与三极管电连接，三极管与供电谐振电路电连接，输入隔离电路和供电谐振电路均与供电滤波电路电路连接，三极管与串联谐振电路电路连接，串联谐振电路与输出匹配电路电连接。
[0005]该低附加相位噪声倍频器具有的优点如下:
[0006](I)通过设置输入隔离电路能很好的隔离参考和倍频电路。
[0007](2)通过设置供电电路良好的滤波使外界电源引入的噪声尽可能的降低，并且三极管静态偏置电路给三极管提供良好的静态工作点。
[0008](3)三极管的集电极供电并不是仅仅提供三极管所需电源，而是通过LC并联谐振的形式加入，在供电的同时，也给倍频电路提供所需倍频谐振频率，从而提高倍频效率。
[0009](4)通过设置空闲电路可以使基波分量形成回路，提高倍频效率。
[0010](5)通过串联谐振电路直接输出，能提高倍频效率。
[0011](6)通过设置串联谐振电路可以在所需输出点能良好的匹配到后级输出。
[0012](7)通过设置供电谐振电路可以通过高频旁路电路提供高频回路。
[0013](8)由于采用A类放大，可以精确设置三极管的基极电压，有利于整个电路系统的稳定，并且失真度较小。
[0014](9)对于三极管集电极供电电压采用LC并联谐振电路加入，能提高倍频效率。
[0015](10)串联谐振与输出匹配电路相连，提高前后极的匹配有利于电路系统的稳定。本实用新型结构简单、装配调试难度低、电路系统可靠性高、成本低具有很高的实用性及推广价值。
【附图说明】
[0016]此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，在这些附图中使用相同的参考标号来表示相同或相似的部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中:
[0017]图1示意性地示出了根据本申请一个实施例的低附加相位噪声倍频器的原理框图。
[0018]图2示意性地示出了根据本申请一个实施例的低附加相位噪声倍频器的示意图。
[0019]其中:1、输入匹配电路；2、输入隔离电路；3、三极管；4、供电谐振电路；5、供电滤波电路；6、串联谐振电路；7、输出匹配电路；8、空闲电路。
【具体实施方式】
[0020]为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，以下结合附图及具体实施例，对本申请作进一步地详细说明。
[0021]在以下描述中，对“一个实施例”、“实施例”、“一个示例”、“示例”等等的引用表明如此描述的实施例或示例可以包括特定特征、结构、特性、性质、元素或限度，但并非每个实施例或示例都必然包括特定特征、结构、特性、性质、元素或限度。另外，重复使用短语“根据本申请的一个实施例”虽然有可能是指代相同实施例，但并非必然指代相同的实施例。
[0022]为简单起见，以下描述中省略了本领域技术人员公知的某些技术特征。
[0023]根据本申请的一个实施例，提供一种低附加相位噪声倍频器，如图1所示，包括电路连接的输入匹配电路I和输入隔离电路2 ;所述输入隔离电路2与三极管3电连接，所述三极管3与供电谐振电路4电连接，所述输入隔离电路2和所述供电谐振电路4均与供电滤波电路电路连接，三极管3与串联谐振电路6电路连接，所述串联谐振电路6与输出匹配电路7电路连接。
[0024]根据本申请的一个实施例，该低附加相位噪声倍频器的三极管3的集电极供电通过LC并联谐振的形式加入。
[0025]根据本申请的一个实施例，该低附加相位噪声倍频器的三极管集电极采用使基波分量形成回路的空闲电路8。
[0026]根据本申请的一个实施例，该低附加相位噪声倍频器的供电谐振电路4通过高频芳路电路提供尚频回路。
[0027]根据本申请的一个实施例，该低附加相位噪声倍频器的串联谐振电路6接地。
[0028]根据本申请的一个实施例，该低附加相位噪声倍频器的输出匹配电路7接地。
[0029]如图1所示Rl、R2、R3为三极管提供适当的偏置。
[0030]根据本申请的一个实施例，该低附加相位噪声倍频器，如图2所示L1、C1为三极管的输入参考和基极间提供良好的匹配；C5为三极管提供良好的滤波性能；L2、C3为三极管集电极提供所需电压；集电极电压通过L2、C3的并联谐振回路加入，为三极管倍频提供所需谐振频率；C4为三极管集电极直流回路提供高频旁路；L3、C6为三极管倍频提供空闲回路；L4、C7为串联谐振回路。
[0031]以上所述实施例仅表示本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能理解为对本实用新型范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型保护范围。因此本实用新型的保护范围应该以所述权利要求为准。
【主权项】
1.一种低附加相位噪声倍频器，其特征在于:包括电路连接的输入匹配电路(I)和输入隔离电路(2);所述输入隔离电路(2)与三极管(3)电连接，所述三极管(3)与供电谐振电路(4)电连接，所述输入隔离电路(2)和所述供电谐振电路(4)均与供电滤波电路电路连接，三极管(3)与串联谐振电路(6)电路连接，所述串联谐振电路(6)与输出匹配电路(7)电连接。2.根据权利要求1所述的低附加相位噪声倍频器，其特征在于:所述三极管(3)的集电极供电通过LC并联谐振的形式加入。3.根据权利要求1所述的低附加相位噪声倍频器，其特征在于:所述三极管(3)集电极采用使基波分量形成回路的空闲电路(8 )。4.根据权利要求1所述的低附加相位噪声倍频器，其特征在于:所述供电谐振电路(4)通过尚频芳路电路提供尚频回路。5.根据权利要求1所述的低附加相位噪声倍频器，其特征在于:所述串联谐振电路(6)接地。6.根据权利要求1所述的低附加相位噪声倍频器，其特征在于:所述输出匹配电路(7)接地。
【专利摘要】本实用新型提供一种低附加相位噪声倍频器，该低附加相位噪声倍频器包括电路连接的输入匹配电路和输入隔离电路；输入隔离电路与三极管电连接，三极管与供电谐振电路电连接，输入隔离电路和供电谐振电路均与供电滤波电路电路连接，三极管与串联谐振电路电路连接，串联谐振电路与输出匹配电路电连接。
【IPC分类】H03B19/14
【公开号】CN204886874
【申请号】CN201520658449
【发明人】陈国敏
【申请人】成都联帮微波通信工程有限公司
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年8月28日