专利名称：智能手机存储系统结构及其运行方法
技术领域：
本发明涉及智能手机领域，特别涉及一种智能手机存储系统结构。本发明还涉及所述智能手机存储结构的运行方法。
背景技术：
随着半导体加工技术的发展，人们可以在相同的晶圆面积上集成数量更多的半导体器件，实现更复杂的功能。手机也由打电话手机，经历功能手机，向智能手机发展。智能手机指具有独立的操作系统，可以由用户自行安装软件等第三方服务商提供的程序，能通过此类程序不断对手机功能进行扩充，并可以通过移动通讯网络实现无线网络接入的手机。智能手机要支持打电话、发短信、处理音频、视频、安装第三方程序等功能，对硬件系统的性能要求越来越高。智能手机的操作系统、用户数据、应用软件均存放在非易失存储器中；智能手机在运行时，将实时数据存放在易失性存储器中。目前，在智能手机系统中，非易失性存储器如闪存，承担着PC中系统硬盘的角色；易失性存储器如同步动态随机存储器(SDRAM)，承担着PC中系统内存的角色。目前，主流智能手机采用的非易失性存储器包括eMMC模块，LBA NAND FLASH, RAWNAND FLASH等，所述三种非易失性存储器的单位容量存储成本逐个递减。目前，主流智能手机采用的易失性存储器包括静态随即存储器(SRAM)，伪静态随机存储器(PSRAM)，同步动态随机存储器(SDRAM)等，所述三种易失性存储器的单位容量存储成本逐个递减。常见的智能手机 存储器管理架构多采用eMMC作为非易失性存储器，LPDDR2 SDRAM作为易失性存储器。其优点在于使用简便，缺点是与智能手机主处理芯片集成时集成度低，成本高。如何在满足智能手机功能与应用的前提下，在众多种类与规格的存储器中进行器件的恰当选型，将直接影响智能手机的制成成本和产品的市场竞争力。目前智能手机硬件系统包括中央处理器、调制解调单元、内存、闪存、图形加速器、图像处理器、音频处理器、外设接口等，系统的软件、硬件均相当复杂，而手机系统的供电仅仅依赖手机电池，因此智能手机的电量消耗是一个极为关键的问题。在手机电池容量不能无限增加的情况下，如何降低智能手机的功耗是智能手机设计优先考虑的问题之一。降低智能手机功耗的设计思想体现在智能手机设计的方方面面。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种能降低智能手机生产成本和运行功耗的智能手机存储系统结构；本发明还提供了一种所述智能手机存储系统结构的运行方法。为解决上述技术问题，本发明的智能手机存储系统结构，包括应用处理单元102通过NAND FLASH总线104与RAW NAND FLASH器件103连接，用于存储非易失数据及程序，通过DDR总线101与DDR3L SDRAM器件100连接，用于大容量高速数据(数据量大于256兆比特)存储，通过应用基带桥总线105与基带处理单元106连接，通过应用基带桥总线105实现对PSRAM器件108的扩展访问；应用处理单元102还设置有RAW NAND FLASH控制器110，用以控制NAND FLASH总线104，并对读写数据进行编解码保护；基带处理单元106通过SRAM总线107与PSRAM器件108连接，用于小容量(数据量小于256兆比特)数据存储；基带处理单元106还设置有时钟管理单元109，用以控制手机运行模式切换时，应用处理单元102时钟、DDR3L SDRAM器件100时钟和NAND FLASH器件103时钟的打开和关闭；所述智能手机存储系统结构的运行方法，包括所述存储系统结构工作状态划分为待机模式和工作模式；工作模式应用处理单元102经NAND FLASH总线104访问RAW NAND FLASH器件103 ;应用处理单元102经DDR总线101访问DDR3L SDRAM器件100 ；
基带处理单元106经SRAM总线107访问PSRAM器件108 ；启动待机模式应用处理单元102将唤醒程序通过经应用基带桥总线105写入PSRAM 器件 108 ；进入待机模式时钟管理单元109关闭应用处理单元102的时钟，关闭DDR3SDRAM100的时钟，关闭RAW NAND FLASH器件103的时钟，即应用处理单元102处于待机状态时，仅有漏电消耗，基带处理单元106维持工作；退出待机模式基带处理单元106通知应用处理单元102的时钟管理单元109，打开应用处理单元102的时钟，将应用处理单元102切换至工作状态；返回工作模式时钟管理单元109打开应用处理单元102中其他电路的时钟，打开DDR3 SDRAM器件100的时钟，应用处理单元102从PSRAM器件108中读取唤醒程序并执行，进入正常工作状态。本发明的智能手机存储系统结构采用RAW NAND FLASH器件，RAW NAND FLASH器件在所有非易失性存储器中，单位容量存储成本是最低的；智能手机在进入待机模式后，DDR3L SDRAM器件、应用处理单元、RAW NAND FLASH器件全部关断时钟，能降低系统运行功耗。
下面结合附图与具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明图1是本发明智能手机存储系统结构一实施例的示意图。附图标记说明100 是 DDR3L SDRAM 器件101 是 DDR 总线102是应用处理单元103 是 RAW NAND FLASH 器件
104 是 NAND FLASH 总线
105是应用基带桥总线106是基带处理单元108 是 PSRAM 器件109是时钟管理单元110 是 RAW NAND FLASH 控制器
具体实施例方式如图1所示，DDR3L SDRAM器件 100、DDR总线 101、应用处理单元 102、RAW NAND FLASH器件 103、NAND FLASH总线104、应用基带桥总线105、基带处理单元106、SRAM总线107、PSRAM108和时钟管理单元109 ；应用处理单元102通过NAND FLASH总线104与RAW NAND FLASH器件103连接，用于存储非易失数据及程序，通过DDR总线101与DDR3L SDRAM器件100连接，用于大容量高速数据存储，通过应用基带桥总线105与基带处理单元106连接相互通讯，通过应用基带桥总线105实现对PSRAM器件108的扩展访问；应用处理单元102还设置有RAW NAND FLASH控制器110，用以控制NAND FLASH总线104，并对读写数据进行编解码保护；
基带处理单元106通过SRAM总线与PSRAM器件108连接，用做小容量数据存储空间，通过应用基带桥总线105通知应用处理单元102，使手机进入待机模式或自待机模式中唤醒，进入工作模式；基带处理单元106还设置有时钟管理单元109，用以控制手机运行模式切换时，应用处理单元102时钟、DDR3L SDRAM器件100时钟和NAND FLASH器件103时钟的打开和关闭。所述智能手机存储系统结构的运行方法，包括所述存储系统结构工作状态划分为待机模式和工作模式；工作模式应用处理单元102经NAND FLASH总线104访问RAWNAND FLASH器件103 ;应用处理单元102经DDR总线101访问DDR3L SDRAM器件100 ；基带处理单元106经SRAM总线107访问PSRAM器件108 ；启动待机模式应用处理单元102将唤醒程序通过经应用基带桥总线105写入PSRAM 器件 108 ；进入待机模式时钟管理单元109关闭应用处理单元102的时钟，关闭DDR3SDRAM100的时钟，关闭RAW NAND FLASH器件103的时钟，即应用处理单元102处于待机状态时，仅有漏电消耗，基带处理单元106维持工作；退出待机模式基带处理单元106通知应用处理单元102的时钟管理单元109，打开应用处理单元102的时钟，将应用处理单元102切换至工作状态。以上通过具体实施方式
和实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。
权利要求
1.一种智能手机存储系统结构，其特征是，包括 应用处理单元(102)通过NAND FLASH总线(104)与RAW NAND FLASH器件(103)连接，用于存储非易失数据及程序，通过DDR总线(101)与DDR3L SDRAM器件(100)连接，用于大容量高速数据存储，通过应用基带桥总线(105)与基带处理单元(106)连接，通过应用基带桥总线(105)实现对PSRAM器件(108)的扩展访问； 应用处理单元(102)还设置有RAW NAND FLASH控制器(110)，用以控制NAND FLASH总线(104)，并对读写数据进行编解码保护； 基带处理单元(106)通过SRAM总线(107)与PSRAM器件(108)连接，用于小容量数据存储空间； 基带处理单元(106)还设置有时钟管理单元(109)，用以控制手机运行模式切换时，应用处理单元(102)时钟、DDR3L SDRAM器件(100)时钟和NAND FLASH器件(103)时钟的打开和关闭。
2.如权利要求1所述智能手机存储系统结构的运行方法，其特征是，包括 所述存储结构工作状态划分为待机模式和工作模式； 工作模式应用处理单元(102)经NAND FLASH总线(104)访问RAW NAND FLASH器件(103);应用处理单元(102)经DDR总线(101)访问DDR3L SDRAM器件(100)； 基带处理单元(106)经SRAM总线(107)访问PSRAM器件(108); 启动待机模式应用处理单元(102)将唤醒程序通过经应用基带桥总线(105)写入PSRAM 器件(108)； 进入待机模式时钟管理单元(109)关闭应用处理单元(102)的时钟，关闭DDR3SDRAM(100)的时钟，关闭RAW NAND FLASH器件(103)的时钟，即应用处理单元(102)处于待机状态时，仅有漏电消耗，基带处理单元(106)维持工作； 退出待机模式基带处理单元(106)通知应用处理单元(102)的时钟管理单元(109)，打开应用处理单元(102)的时钟，将应用处理单元(102)切换至工作状态； 返回工作模式时钟管理单元(109)打开应用处理单元(102)中其他电路的时钟，打开DDR3SDRAM器件(100)的时钟，应用处理单元(102)从PSRAM器件(108)中读取唤醒程序并执行，进入正常工作状态。
全文摘要
本发明公开了一种智能手机存储系统结构包括应用处理单元通过NAND FLASH总线与RAW NAND FLASH器件连接，用于存储非易失数据及程序，通过DDR总线与DDR3L SDRAM器件连接，用于大容量高速数据存储，通过应用基带桥总线与基带处理单元连接，通过应用基带桥总线实现对PSRAM器件的扩展访问；应用处理单元还设置有RAW NAND FLASH控制器，用以控制NAND FLASH总线，并对读写数据进行编解码保护；基带处理单元通过SRAM总线与PSRAM器件连接，用于小容量数据存储空间；基带处理单元还设置有时钟管理单元，用以控制手机运行模式切换时，应用处理单元时钟、DDR3L SDRAM器件时钟和NAND FLASH器件时钟的打开和关闭。本发明还公开了一种所述智能手机存储系统结构的运行方法。本发明能降低智能手机生产成本和运行功耗。
文档编号H04M1/725GK103067582SQ20121057282
公开日2013年4月24日 申请日期2012年12月25日 优先权日2012年12月25日
发明者黄秀荪, 李琳, 黎骅, 毛天然 申请人:锐迪科科技有限公司