1.一种发射器，其特征在于，包括：
一第一晶体管群组，包括串接的一第一晶体管与一第二晶体管，其中所述第二晶体管利用井追踪功能操作；以及
一第二晶体管群组，包括串接的一第三晶体管与一第四晶体管，其中所述第三晶体管利用井追踪功能操作；
其中所述第一晶体管群组与所述第二晶体管群组之间具有一输出节点，且所述第二晶体管与所述第三晶体管耦接所述输出节点。
2.根据权利要求1所述的发射器，其特征在于，还包括：
一第一电路，耦接所述输出节点与一地电位，用以进行瞬态电压抑制。
3.根据权利要求1所述的发射器，其特征在于，所述第二晶体管具有一第二电路，所述第二电路进行井追踪，用以根据施加在所述第二晶体管的源极或漏极上的一第一最高电压，控制所述第二晶体管的一第一井电压；以及所述第三晶体管具有一第三电路，所述第三电路进行井追踪，用以根据施加在所述第三晶体管的源极或漏极上的一第二最高电压，控制所述第三晶体管的一第二井电压。
4.根据权利要求1所述的发射器，其特征在于，所述第一晶体管与所述第二晶体管分别为一低电压形式的P型金属氧化物半导体晶体管与一高电压形式的P型金属氧化物半导体晶体管，且所述第一晶体管的电路面积经配置介于所述第二晶体管的电路面积的二分之一至四分之一之间。
5.根据权利要求1所述的发射器，其特征在于，所述第三晶体管与所述第四晶体管分别为一高电压形式的N型金属氧化物半导体晶体管与一低电压形式的N型金属氧化物半导体晶体管，且所述第四晶体管的电路面积经配置介于所述第三晶体管的电路面积的二分之一至四分之一之间。
6.一种共模收发器，其特征在于，包括：
一发射器，包括：
一输出级，包括：
一第一晶体管群组，包括串接的一第一晶体管与一第二晶体管，其中所述第二晶体管利用井追踪功能操作；以及
一第二晶体管群组，包括串接的一第三晶体管与一第四晶体管，其 中所述第三晶体管利用井追踪功能操作，并且所述第一串接晶体管群组与所述第二串接晶体管群组之间具有一输出节点，且所述第二晶体管与所述第三晶体管耦接所述输出节点；以及
一第一电路，耦接所述输出节点与一地电位，用以进行瞬态电压抑制；以及
一接收器，耦接所述输出节点。
7.根据权利要求6所述的共模收发器，其特征在于，所述第二晶体管具有一第二电路，所述第二电路进行井追踪，用以根据施加在所述第二晶体管的源极或漏极上的一第一最高电压，控制所述第二晶体管的一第一井电压；以及所述第三晶体管具有一第三电路，所述第三电路进行井追踪，用以根据施加在所述第三晶体管的源极或漏极上的一第二最高电压，控制所述第三晶体管的一第二井电压。
8.根据权利要求6所述的共模收发器，其特征在于，所述第一晶体管与所述第二晶体管分别为一低电压形式的P型金属氧化物半导体晶体管与一高电压形式的P型金属氧化物半导体晶体管，且所述第一晶体管的电路面积经配置介于所述第二晶体管的电路面积的二分之一至四分之一之间。
9.根据权利要求6所述的共模收发器，其特征在于，所述第三晶体管与所述第四晶体管分别为一高电压形式的N型金属氧化物半导体晶体管与一低电压形式的N型金属氧化物半导体晶体管，且所述第四晶体管的电路面积经配置介于所述第三晶体管的电路面积的二分之一至四分之一之间。
10.一种共模收发器的操作方法，其特征在于，包括：
提供一第一晶体管群组，包括串接的一第一晶体管与一第二晶体管；
提供一第二晶体管群组，包括串接的一第三晶体管与一第四晶体管；以及
所述第二晶体管及所述第三晶体管分别利用井追踪功能操作。
11.根据权利要求10所述的操作方法，其特征在于，还包括：
提供一第一电路，耦接所述输出节点与一地电位，用以进行瞬态电压抑制。
12.根据权利要求10所述的操作方法，其特征在于，所述第二晶体管及所述第三晶体管分别利用井追踪功能操作的步骤包括：
在所述第二晶体管配置一第二电路，所述第二电路进行井追踪，用以根据施加在所述第二晶体管的源极或漏极上的一第一最高电压，控制所述第二晶体管的一第一井电压；以及
在所述第三晶体管配置一第三电路，所述第三电路进行井追踪，用以根据施加在所述第三晶体管的源极或漏极上的一第二最高电压，控制所述第三晶体管的一第二井电压。
13.根据权利要求10所述的操作方法，其特征在于，所述第一晶体管与所述第二晶体管分别为一低电压形式的P型金属氧化物半导体晶体管与一高电压形式的P型金属氧化物半导体晶体管，且所述第一晶体管的电路面积经配置介于所述第二晶体管的电路面积的二分之一至四分之一之间。
14.根据权利要求10所述的操作方法，其特征在于，所述第三晶体管与所述第四晶体管分别为一高电压形式的N型金属氧半晶体管与一低电压形式的N型金属氧化物半导体晶体管，且所述第四晶体管的电路面积经配置介于所述第三晶体管的电路面积的二分之一至四分之一之间。