用于移动设备的音频输出控制装置和移动设备的制作方法

文档序号:11845428阅读:275来源:国知局
用于移动设备的音频输出控制装置和移动设备的制作方法

本公开涉及通信技术领域,尤其涉及一种用于移动设备的音频输出控制装置和移动设备。



背景技术:

为了支持HiFi(High-Fidelity,高保真)品质的音频输出,很多高端移动设备的耳机输出采用了专门的运算放大器作为耳机放大器,在提高输出音频品质的同时,也增大了移动设备的功耗。为了节能,在移动设备没有音频输出时,对耳机放大电路采取关断电源的处理,从而避免耳机放大电路在不工作时继续产生功耗。

但是,与此同时带来了一个新的问题,就是耳机放大电路在关断电源之后,会使连接到移动设备的外部功放或者有源音箱产生明显的噪音,影响用户体验。



技术实现要素:

为克服相关技术中存在的问题,本公开实施例提供了一种用于移动设备的音频输出控制装置和移动设备。所述技术方案如下:

根据本公开实施例的第一方面,提供一种用于移动设备的音频输出控制装置,该装置包括:

静音控制信号接收端,所述静音控制信号接收端用于接收静音控制信号;

开关控制电路,所述开关控制电路具有控制信号输入端、第一控制输出端和第二控制输出端,所述控制信号输入端与所述静音控制信号接收端相连,所述第一控制输出端连接到所述移动设备的音频输出左声道,所述第二控制输出端连接到所述移动设备的音频输出右声道,所述音频输出左声道和所述音频输出右声道分别连接到音频输出接口,其中,在关闭所述移动设备的音频输出时所述开关控制电路根据所述静音控制信号通过所述第一控制输出端和第二控制输出端以控制所述音频输出接口保持低输出阻抗状态。

如上所述的装置,所述开关控制电路由MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)、JFET(Junction Field Effect Transistor,结型场效应晶体管)或三极管构成。

如上所述的装置,当所述开关控制电路由MOSFET构成时,所述开关控制电路包括:

第一MOSFET至第三MOSFET,所述第一MOSFET至第三MOSFET的G极连接到一起以作为所述控制信号输入端,所述第一MOSFET至第三MOSFET的S极连接到一起,所述第一MOSFET的D极作为所述第一控制输出端,第二MOSFET的D极作为所述第二控制输出端,第三MOSFET的D极接地。

如上所述的装置,当所述开关控制电路由MOSFET构成时,所述开关控制电路包括:

第四MOSFET和第五MOSFET,所述第四MOSFET的G极与所述第五MOSFET的G极相连后与所述静音控制信号接收端相连,所述第四MOSFET的S极与所述第五MOSFET的S极相连,所述第四MOSFET的D极作为所述第一控制输出端,所述第五MOSFET的D极接地;

第六MOSFET和第七MOSFET,所述第六MOSFET的G极与所述第七MOSFET的G极相连后与所述静音控制信号接收端相连,所述第六MOSFET的S极与所述第七MOSFET的S极相连,所述第六MOSFET的D极作为所述第二控制输出端,所述第七MOSFET的D极接地。

如上所述的装置,在关闭所述移动设备的音频输出时,所述静音控制信号为高电平信号,所述开关控制电路中的MOSFET处于导通状态,以使所述音频输出接口保持低输出阻抗状态。

如上所述的装置,所述音频输出左声道为所述移动设备内部的第一耳机放大器的输出端,所述音频输出右声道为所述移动设备内部的第二耳机放大器的输出端。

根据本公开实施例的第二方面,提供一种移动设备,所述移动设备包括:本公开实施例的第一方面所述用于移动设备的音频输出控制装置。

如上所述的移动设备,所述移动设备为手机或平板。

本公开实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果:

在关闭移动设备的音频输出时,开关控制电路根据静音控制信号通过第一控制输出端和第二控制输出端以控制音频输出接口保持低输出阻抗状态。实现了在移动设备的音频输出关闭时,音频输出接口保持低输出阻抗状态,避免了移动设备与外部功放或有源音箱相连时产生噪声,提高了用户体验。

应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本公开的实施例,并与说明书一起用于解释本公开的原理。

图1是根据一示例性实施例示出的一种用于移动设备的音频输出控制装置的框图;

图2是根据一示例性实施例示出的一种用于移动设备的音频输出控制装置的电路图;

图3是根据另一示例性实施例示出的一种用于移动设备的音频输出控制装置的电路图;

图4是根据另一示例性实施例示出的一种用于移动设备的音频输出控制装置的电路图;

图5是根据一示例性实施例示出的一种移动设备的框图。

通过上述附图,已示出本公开明确的实施例,后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本公开构思的范围,而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本公开的概念。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明,其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时,除非另有表示,不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反,它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本公开的一些方面相一致的装置和方法的例子。

图1是根据一示例性实施例示出的一种用于移动设备的音频输出控制装置的框图。该用于移动设备的音频输出控制装置可以通过软件、硬件或者两者的结合实现,如图1所示,该用于移动设备的音频输出控制装置可以包括:

静音控制信号接收端Rev,静音控制信号接收端Rev用于接收静音控制信号;

开关控制电路11,开关控制电路11具有控制信号输入端IN、第一控制输出端OUT1和第二控制输出端OUT2,控制信号输入端IN与静音控制信号接收端Rev相连,第一控制输出端OUT1连接到移动设备的音频输出左声道,第二控制输出端OUT2连接到移动设备的音频输出右声道,音频输出左声道和音频输出右声道分别连接到音频输出接口,其中,在关闭移动设备的音频输出时开关控制电路11根据静音控制信号通过第一控制输出端OUT1和第二控制输出端OUT2以控制音频输出接口保持低输出阻抗状态。

作为一个示例,音频输出左声道为移动设备内部的第一耳机放大器的输出端,音频输出右声道为移动设备内部的第二耳机放大器的输出端。

为了支持HiFi品质的音频输出,很多高端移动设备(如手机、平板或个人计算机等)的耳机输出采用了专门的运算放大器作为耳机放大器,在提高输出音频品质的同时,也增大了移动设备的功耗。为了节能,在移动设备没有音频输出时,对耳机放大电路采取关断电源的处理,从而避免耳机放大电路在不工作时继续产生功耗。

但是,与此同时带来了一个新的问题,就是耳机放大电路在关断电源之后,耳机放大电路的输出阻抗从低阻抗变成高阻抗,这虽然对于耳机应用来说不构成影响,但是,如果用户把移动设备连接到普通放大器(推动音箱)或者驳接有源音箱时,移动设备一旦没有音频输出,移动设备的耳机输出端将呈现高阻抗,从而造成从移动设备到外部功放或者有源音箱的音频线处于高阻输入状态(高达10K以上),此时极容易拾取空间的干扰以及交流电源噪声,使得在外部功放或者有源音箱上可以听到明显的噪声,非常影响用户体验。

为了避免在移动设备没有音频输出时,由于耳机输出端呈现高阻抗导致外部功放或有源音箱上可以听到明显的噪声,在移动设备没有音频输出时,例如移动设备处于静音模式,可以通过移动设备中的控制器输出相应的静音控制信号至音频输出控制装置的静音控制信号接收端Rev。开关控制电路11的控制信号输入端IN与静音控制信号接收端Rev相连,开关控制电路11也将接收到静音控制信号,然后开关控制电路11根据静音控制信号通过第一控制输出端OUT1和第二控制输出端OUT2控制音频输出接口保持低输出阻抗状态。

综上所述,本实施例提供的音频输出控制装置,在移动设备的音频输出关闭时,音频输出接口保持低输出阻抗状态,避免了移动设备与外部功放或有源音箱相连时产生噪声,提高了用户体验。

基于上述实施例,开关控制电路11可以由MOSFET、JFET或三极管构成。

作为一种示例,如图2所示,当开关控制电路由MOSFET构成时,开关控制电路11包括:第一MOSFET(S1)至第三MOSFET(S3),第一MOSFET(S1)至第三MOSFET(S3)的G极连接到一起以作为控制信号输入端IN,第一MOSFET(S1)至第三MOSFET(S3)的S极连接到一起,第一MOSFET(S1)的D极作为第一控制输出端OUT1,第二MOSFET(S2)的D极作为第二控制输出端OUT2,第三MOSFET(S3)的D极接地GND。此时MOSFET的背对背连接方式为S极相连。

或者,如图3所示,当开关控制电路由MOSFET构成时,开关控制电路11包括:第一MOSFET(S1)至第三MOSFET(S3),第一MOSFET(S1)至第三MOSFET(S3)的G极连接到一起以作为控制信号输入端IN,第一MOSFET(S1)至第三MOSFET(S3)的D极连接到一起,第一MOSFET(S1)的S极作为第一控制输出端OUT1,第二MOSFET(S2)的S极作为第二控制输出端OUT2,第三MOSFET(S3)的S极接地GND。此时MOSFET的背对背连接方式为D极相连。

其中,在关闭移动设备的音频输出时,静音控制信号为高电平信号,开关控制电路11中的MOSFET处于导通状态,以使音频输出接口保持低输出阻抗状态。

如图2或图3所示,当移动设备有音频输出时,例如移动设备正常播放音乐等,移动设备中的控制器将输出低电平信号至静音控制信号接收端Rev,此时施加在第一MOSFET(S1)至第三MOSFET(S3)的G极为低电平信号,第一MOSFET(S1)至第三MOSFET(S3)处于关断状态,开关控制电路11对音频的输出品质没有影响。而当移动设备没有音频输出时,例如移动设备处于静音模式,移动设备中的控制器将输出高电平信号至静音控制信号接收端Rev,此时施加在第一MOSFET(S1)至第三MOSFET(S3)的G极为高电平信号,第一MOSFET(S1)至第三MOSFET(S3)处于导通状态,使得移动设备的音频输出左声道和音频输出右声道均接地,从而使得移动设备的音频输出接口对外呈低阻抗。由于第一MOSFET(S1)至第三MOSFET(S3)的G极阻抗极高,静音控制信号不消耗功耗,因而不增加移动设备的功耗。

可以理解的是,图2和图3所示的示例也适用于多个耳机输出共参考地的场合(包括共虚拟地),具体这里不再详述。

作为另一种示例,如图4所示,当开关控制电路由MOSFET构成时,开关控制电路11可以包括:第四MOSFET(S4)和第五MOSFET(S5),第四MOSFET(S4)的G极与第五MOSFET(S5)的G极相连后与静音控制信号接收端Rev相连,第四MOSFET(S4)的S极与第五MOSFET(S5)的S极相连,第四MOSFET(S4)的D极作为第一控制输出端OUT1,第五MOSFET(S5)的D极接地GND;第六MOSFET(S6)和第七MOSFET(S7),第六MOSFET(S6)的G极与第七MOSFET(S7)的G极相连后与静音控制信号接收端Rev相连,第六MOSFET(S6)的S极与第七MOSFET(S7)的S极相连,第六MOSFET(S6)的D极作为第二控制输出端OUT2,第七MOSFET的D极接地GND。此时MOSFET的背对背连接方式为S极相连,或者MOSFET的背对背连接方式为D极相连,这里不再详述。

其中,在关闭移动设备的音频输出时,静音控制信号为高电平信号,开关控制电路11中的MOSFET处于导通状态,以使音频输出接口保持低输出阻抗状态。

如图4所示,当移动设备有音频输出时,例如移动设备正常播放音乐等,移动设备中的控制器将输出低电平信号至静音控制信号接收端Rev,此时施加在第四MOSFET(S4)至第七MOSFET(S7)的G极为低电平信号,第四MOSFET(S4)至第七MOSFET(S7)处于关断状态,开关控制电路11对音频的输出品质没有影响。而当移动设备没有音频输出时,例如移动设备处于静音模式,移动设备中的控制器将输出高电平信号至静音控制信号接收端Rev,此时施加在第四MOSFET(S4)至第七MOSFET(S7)的G极为高电平信号,第四MOSFET(S4)至第七MOSFET(S7)处于导通状态,使得移动设备的音频输出左声道和音频输出右声道均接地,从而使得移动设备的音频输出接口对外呈低阻抗。由于第四MOSFET(S4)至第七MOSFET(S7)的G极阻抗极高,静音控制信号不消耗功耗,因而不增加移动设备的功耗。

可以理解的是,该示例也适用于采用独立平衡输出的方案,此时背对背的MOSFET分别接到平衡输出的正负端子上,具体这里不再详述。

综上所述,本实施例提供的音频输出控制装置,在关闭移动设备的音频输出时,静音控制信号为高电平信号,开关控制电路中的MOSFET处于导通状态,以使音频输出接口保持低输出阻抗状态,从而避免移动设备在无音频输出时导致外部功放或有源音箱产生噪声,提高了用户体验,且由于MOSFET的G极阻抗极大,因此静音控制信号几乎不消耗电能。而在正常输出移动设备的音频信号时,静音控制信号为低电平信号,不影响音频的输出品质。

下面描述本公开移动设备的实施例,可以包括本公开用于移动设备的音频输出控制装置。对于本公开移动设备实施例中未披露的细节,请参照本公开用于移动设备的音频输出控制装置。

作为一种示例,移动设备为手机或平板。需要说明的是,本公开实施例中的移动设备包括参照图1-4中描述的移动设备的音频输出控制装置,在此不再赘述。

综上所述,本公开实施例提供的移动设备,在关闭音频输出时,可以通过开关控制电路根据静音控制信号通过第一控制输出端和第二控制输出端以控制音频输出接口保持低输出阻抗状态,从而避免与外部功放或有源音箱相连时,在外部功放或有源音箱上产生噪声,提高了用户体验。

图5是根据一示例性实施例示出的一种移动设备1000的框图。例如,移动设备1000可以是移动电话,计算机,数字广播终端,消息收发设备,游戏控制台,平板设备,医疗设备,健身设备,个人数字助理等。

参照图5,移动设备1000可以包括以下一个或多个组件:处理组件1002,存储器1004,电力组件1006,多媒体组件1008,音频组件1010,输入/输出(I/O)的接口1012,传感器组件1014,以及通信组件1016。

处理组件1002通常控制移动设备1000的整体操作,诸如与显示,电话呼叫,数据通信,相机操作和记录操作相关联的操作。处理组件1002可以包括一个或多个处理器1020来执行指令,以完成上述的方法的全部或部分步骤。此外,处理组件1002可以包括一个或多个模块,便于处理组件1002和其他组件之间的交互。例如,处理组件1002可以包括多媒体模块,以方便多媒体组件1008和处理组件1002之间的交互。

存储器1004被配置为存储各种类型的数据以支持在移动设备1000的操作。这些数据的示例包括用于在移动设备1000上操作的任何应用程序或方法的指令,联系人数据,电话簿数据,消息,图片,视频等。存储器1004可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现,如静态随机存取存储器(SRAM),电可擦除可编程只读存储器(EEPROM),可擦除可编程只读存储器(EPROM),可编程只读存储器(PROM),只读存储器(ROM),磁存储器,快闪存储器,磁盘或光盘。

电力组件1006为移动设备1000的各种组件提供电力。电力组件1006可以包括电源管理系统,一个或多个电源,及其他与为移动设备1000生成、管理和分配电力相关联的组件。

多媒体组件1008包括在所述移动设备1000和用户之间的提供一个输出接口的屏幕。在一些实施例中,屏幕可以包括液晶显示器(LCD)和触摸面板(TP)。如果屏幕包括触摸面板,屏幕可以被实现为触摸屏,以接收来自用户的输入信号。触摸面板包括一个或多个触摸传感器以感测触摸、滑动和触摸面板上的手势。所述触摸传感器可以不仅感测触摸或滑动动作的边界,而且还检测与所述触摸或滑动操作相关的持续时间和压力。在一些实施例中,多媒体组件1008包括一个前置摄像头和/或后置摄像头。当移动设备1000处于操作模式,如拍摄模式或视频模式时,前置摄像头和/或后置摄像头可以接收外部的多媒体数据。每个前置摄像头和后置摄像头可以是一个固定的光学透镜系统或具有焦距和光学变焦能力。

音频组件1010被配置为输出和/或输入音频信号。例如,音频组件1010包括一个麦克风(MIC),当移动设备1000处于操作模式,如呼叫模式、记录模式和语音识别模式时,麦克风被配置为接收外部音频信号。所接收的音频信号可以被进一步存储在存储器1004或经由通信组件1016发送。在一些实施例中,音频组件1010还包括一个扬声器,用于输出音频信号。

I/O接口1012为处理组件1002和外围接口模块之间提供接口,上述外围接口模块可以是键盘,点击轮,按钮等。这些按钮可包括但不限于:主页按钮、音量按钮、启动按钮和锁定按钮。

传感器组件1014包括一个或多个传感器,用于为移动设备1000提供各个方面的状态评估。例如,传感器组件1014可以检测到移动设备1000的打开/关闭状态,组件的相对定位,例如所述组件为移动设备1000的显示器和小键盘,传感器组件1014还可以检测移动设备1000或移动设备1000一个组件的位置改变,用户与移动设备1000接触的存在或不存在,移动设备1000方位或加速/减速和移动设备1000的温度变化。传感器组件1014可以包括接近传感器,被配置用来在没有任何的物理接触时检测附近物体的存在。传感器组件1014还可以包括光传感器,如CMOS或CCD图像传感器,用于在成像应用中使用。在一些实施例中,该传感器组件1014还可以包括加速度传感器,陀螺仪传感器,磁传感器,压力传感器或温度传感器。

通信组件1016被配置为便于移动设备1000和其他设备之间有线或无线方式的通信。移动设备1000可以接入基于通信标准的无线网络,如WiFi,2G或3G,或它们的组合。在一个示例性实施例中,通信组件1016经由广播信道接收来自外部广播管理系统的广播信号或广播相关信息。在一个示例性实施例中,所述通信组件1016还包括近场通信(NFC)模块,以促进短程通信。例如,在NFC模块可基于射频识别(RFID)技术,红外数据协会(IrDA)技术,超宽带(UWB)技术,蓝牙(BT)技术和其他技术来实现。

在示例性实施例中,移动设备1000可以被一个或多个应用专用集成电路(ASIC)、数字信号处理器(DSP)、数字信号处理设备(DSPD)、可编程逻辑器件(PLD)、现场可编程门阵列(FPGA)、控制器、微控制器、微处理器或其他电子元件实现,用于执行上述方法。

在示例性实施例中,还提供了一种包括指令的非临时性计算机可读存储介质,例如包括指令的存储器1004,上述指令可由移动设备1000的处理器1020执行以完成上述方法。例如,所述非临时性计算机可读存储介质可以是ROM、随机存取存储器(RAM)、CD-ROM、磁带、软盘和光数据存储设备等。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后,将容易想到本发明的其它实施方案。本申请旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的,本发明的真正范围和精神由下面的权利要求指出。

应当理解的是,本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构,并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本发明的范围仅由所附的权利要求来限制。

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