射频发射装置的制作方法

本实用新型涉及信号处理，特别涉及一种射频发射装置。

背景技术：

根据目前的通信协议的要求，射频产品的射频功率在不同温度变化范围内需要保持良好的温度特性。

而实际信号发射过程中，由于射频收发芯片会产生大量的热量，从而导致射频收发芯片及整个设备的温度上升，对于常见的射频收发芯片来说，在高温状态工作时会造成2～3dB的增益变化，因而不能在不同温度变化范围内需要保持良好的温度特性。

技术实现要素：

本实用新型要解决的技术问题是为了克服现有技术的射频收发芯片中信号发射过程中，不能在不同温度变化范围内需要保持良好的温度特性的缺陷，提供一种射频发射装置。

本实用新型是通过下述技术方案来解决上述技术问题：

本实用新型提供了一种射频发射装置，所述射频发射装置包括射频收发芯片、衰减器、功率放大器、合路器和天线；

所述射频收发芯片依次与所述衰减器、所述功率放大器、所述合路器和所述天线电连接；

所述射频收发芯片包括数模转换器、第一滤波器、混频器和第一信号放大器；

所述数模转换器用于将输入的数字信号转换为模拟信号；

所述第一滤波器用于对所述模拟信号进行滤波处理；

所述混频器用于对经由所述第一滤波器滤波处理后的所述模拟信号进行混频处理，获取所述模拟信号中设定频段的射频信号；

所述第一信号放大器对所述射频信号进行放大处理，并将所述射频信号发射至所述衰减器；

所述衰减器用于根据所述射频发射装置发生的温度变化，对所述射频信号进行衰减处理，并发送至所述功率放大器；

其中，所述衰减器包括热敏电阻、第一电阻和第二电阻；

所述第一电阻的一端与所述热敏电阻的一端电连接，所述第二电阻的一端与所述热敏电阻的另一端电连接，所述第一电阻的另一端和所述第二电阻的另一端均接地；

所述功率放大器用于对经由所述衰减器衰减处理后的所述射频信号进行放大处理；

所述合路器用于将经由所述功率放大器放大处理后的所述射频信号传输至所述天线进行无线发射。

较佳地，所述衰减器还包括第三电阻；

所述第三电阻的一端与所述热敏电阻的一端电连接，所述第三电阻的另一端与所述热敏电阻的另一端电连接。

较佳地，所述射频发射装置还包括第二滤波器和第二信号放大器；

所述第二信号放大器分别与所述第一信号放大器和所述衰减器电连接，用于对经过所述第一信号放大器放大处理后的所述射频信号进行放大处理；

所述第二滤波器的一端与所述衰减器电连接，所述第二滤波器的另一端与所述功率放大器电连接；

所述第二滤波器用于对经由所述衰减器衰减处理后的所述射频信号进行滤波处理；

所述功率放大器用于对经过所述第二滤波器滤波处理后的所述射频信号进行放大处理，并发送至所述合路器。

较佳地，所述第二滤波器为带通滤波器。

较佳地，所述合路器还用于将所述天线接收的射频信号传输至所述射频收发芯片。

较佳地，所述射频收发芯片还包括数据接口；

所述数据接口分别与所述数模转换器、外部处理模块电连接；

所述数据接口用于将所述外部通信模块输入的所述数字信号传输至所述数模转换器。

较佳地，所述外部处理模块包括FPGA(Field－Programmable Gate Array，现场可编程门阵列)芯片和/或CPU(Central Processing Unit，中央处理器)。

较佳地，所述天线接地。

本实用新型的积极进步效果在于：

本实用新型中，通过在射频收发芯片和功率放大器之间增加衰减器，来补偿射频收发芯片中信号发射过程中因温度变化造成的增益变化，保证射频收发芯片在不同温度变化范围内总保持良好的温度特性，从而保证射频功率发射器器件符合通信协议的要求。

附图说明

图1为本实用新型较佳实施例的射频发射装置的结构示意图。

图2为本实用新型较佳实施例的射频发射装置的衰减器的电路结构图。

具体实施方式

下面举个较佳实施例，并结合附图来更清楚完整地说明本实用新型。

如图1所示，本实用新型的射频发射装置包括射频收发芯片1、衰减器 2、功率放大器3、第二滤波器4、第二信号放大器5、合路器6和天线7。

射频收发芯片1依次与第二信号放大器5、衰减器2、第二滤波器4、功率放大器3、合路器6和天线7电连接。

其中，各个器件之间的射频线的阻抗均为50欧姆。

射频收发芯片1包括数模转换器11、第一滤波器12、混频器13、第一信号放大器14和数据接口15。

数模转换器11用于将输入的数字信号转换为模拟信号。

第一滤波器12用于对模拟信号进行滤波处理。

混频器13用于对经由第一滤波器滤波处理后的模拟信号进行混频处理，获取模拟信号中设定频段的射频信号。

第一信号放大器14对射频信号进行放大处理，并将射频信号发射至衰减器2。

数据接口15分别与数模转换器11和外部处理模块电连接。

其中，外部处理模块包括FPGA芯片和/或CPU。

数据接口15用于将外部通信模块输入的数字信号传输至数模转换器11。

第二信号放大器5用于对经过第一信号放大器14放大处理后的射频信号进行放大处理。

衰减器2用于根据射频发射装置发生的温度变化，对射频信号进行衰减处理，并发送至功率放大器3。

如图2所示，衰减器2包括热敏电阻R、第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3。

第一电阻R1的一端与热敏电阻R的一端电连接，第二电阻R2的一端与热敏电阻R的另一端电连接，第一电阻R1的另一端和第二电阻R2的另一端均接地，第三电阻R3的一端与热敏电阻R的一端电连接，第三电阻R3 的另一端与热敏电阻R的另一端电连接。

其中，热敏电阻R选用精度大于1％的热敏电阻，第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3均选用精度1％的电阻。

第二滤波器4用于对经由衰减器2衰减处理后的射频信号进行滤波处理；其中，第二滤波器4为带通滤波器。

功率放大器3用于对经过第二滤波器4滤波处理后的射频信号进行放大处理，并发送至合路器6。

功率放大器3用于对经由衰减器2衰减处理后的射频信号进行放大处理。

合路器6用于将经由功率放大器3放大处理后的射频信号传输至天线7 进行无线发射。其中，天线7接地。

具体地，合路器6用于将经由功率放大器3放大处理后的射频信号传输至天线7进行无线发射。合路器6还用于将天线7接收的射频信号传输至射频收发芯片1。

下面结合两组数据具体说明：

假定实际要求输入功率放大器3的射频功率为-11dBm。

当射频收发芯片1中的PCB板(印制电路板)温度为25℃时，射频收发芯片1对应的射频信号的射频功率为-7.8dBm，则此时采用衰减器2对射频收发芯片1对应的射频信号的射频功率进行衰减处理，得到实际衰减的射频功率为-3.2dBm，从而保证输入功率放大器3的射频功率为-11dBm；

当射频收发芯片1中的PCB板温度为75℃时，射频收发芯片1对应的射频信号的射频功率为-10.1dBm，则此时采用衰减器2对射频收发芯片1对应的射频信号的射频功率进行衰减处理，得到实际衰减的射频功率为- 1.1dBm，从而保证输入功率放大器3的射频功率为-11.2dBm。

由上述两组数据可知，衰减器2的对功率放大器3的射频功率的衰减量恰好抵消了射频收发芯片1因温度影响造成的射频功率的减小量，从而使得输入功率放大器3的射频功率得到了保证。

另外，在射频收发芯片1的射频功率的变化达到2.3dBm时，输入功率放大器3的射频功率仅变化为0.2dBm，因此，本实施例实现了射频收发芯片在不同温度变化范围内总保持良好的温度特性。

本实施例中，通过在射频收发芯片和功率放大器之间增加衰减器，来补偿射频收发芯片中信号发射过程中因温度变化造成的增益变化，保证射频收发芯片在不同温度变化范围内总保持良好的温度特性，从而保证射频功率发射器器件符合通信协议的要求。

虽然以上描述了本实用新型的具体实施方式，但是本领域的技术人员应当理解，这些仅是举例说明，本实用新型的保护范围是由所附权利要求书限定的。本领域的技术人员在不背离本实用新型的原理和实质的前提下，可以对这些实施方式作出多种变更或修改，但这些变更和修改均落入本实用新型的保护范围。