包括定向MEMS话筒组装件的电子设备的制作方法

文档序号:19160852发布日期:2019-11-16 01:20阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种电子设备,包括:

定向微机电系统(mems)话筒组装件包括:

mems话筒封壳;

固定到所述mems话筒封壳的印刷电路板(pcb);

在所述pcb的与所述mems话筒封壳相对的一侧上固定到所述pcb的壳体;

穿过所述pcb的第一内部端口和第二内部端口,其中所述第一内部端口和第二内部端口与所述mems话筒封壳流体连通;

穿过所述壳体的第一外部端口和第二外部端口,其中所述第一外部端口在垂直于所述定向mems话筒的厚度方向的偏移方向上偏离所述第一内部端口;以及

位于所述pcb和所述壳体之间的第一腔体和第二腔体,其中,所述第一腔体与所述第一内部端口和所述第一外部端口流体连通,而所述第二腔体与所述第二内部端口和所述第二外部端口流体连通。

2.如权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述偏移方向是第一偏移方向,并且其中所述第二外部端口在垂直于所述厚度方向的第二偏移方向上偏离所述第二内部端口。

3.如权利要求1所述的电子设备,其特征在于,进一步包括在所述pcb和所述壳体之间的粘合衬垫层。

4.如权利要求1所述的电子设备,其特征在于,进一步包括声学网格,所述声学网格沿着从所述电子设备外部到所述定向mems话筒的声波路径的至少一部分定位。

5.如权利要求4所述的电子设备,其特征在于,所述声学网格位于从由所述第一外部端口、所述第二外部端口、所述第一腔体、所述第二腔体、所述第一内部端口和所述第二内部端口组成的集合中选择的位置。

6.如权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述第一和第二外部端口分隔10到12毫米的距离。

7.如权利要求1所述的电子设备,其特征在于:

所述第一和第二内部端口沿内部端口轴对齐;以及

所述第一和第二外部端口沿外部端口轴对齐,其中所述外部端口轴旋转偏离所述内部端口轴。

8.如权利要求7所述的电子设备,其特征在于:

所述第一腔体和所述第二腔体中的每一者都是l形的;

所述第一和第二外部端口沿着所述壳体在垂直于所述厚度方向的相应相反方向上偏离所述第一和第二内部端口。

9.如权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述pcb和所述壳体具有1.8到2.4毫米之间的组合厚度,并且从所述壳体的外表面到所述mems话筒封壳的内表面的距离在2.9到3.8毫米之间。

10.如权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述第一腔体和所述第二腔体是所述壳体中的凹口。

11.一种用于制造包括定向微机电系统(mems)话筒组装件的电子设备的方法,所述方法包括:

在壳体中形成第一外部端口和第二外部端口;

在所述壳体中形成第一腔体和第二腔体,其中所述第一腔体与所述第一外部端口流体连通,而所述第二腔体与所述第二外部端口流体连通;

在印刷电路板(pcb)中形成第一内部端口和第二内部端口;

将mems话筒封壳固定到所述pcb,使得所述第一内部端口和第二内部端口与所述mems话筒封壳流体连通;以及

将所述壳体固定到所述pcb上,使得:

所述第一内部端口与所述第一腔体流体连通;

所述第二内部端口与所述第二腔体流体连通;以及

所述第一外部端口在垂直于所述定向mems话筒的厚度方向的偏移方向上偏离所述第一内部端口。

12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,所述偏移方向是第一偏移方向,并且其中所述第二外部端口在垂直于所述定向mems话筒组装件的所述厚度方向的第二偏移方向上偏离所述第二内部端口。

13.如权利要求11所述的方法,其特征在于,所述第一外部端口、第二外部端口、第一腔体和第二腔体通过布线被形成。

14.如权利要求11所述的方法,其特征在于,进一步包括将粘合衬垫层施加到所述壳体和/或pcb,从而将所述壳体连接到所述pcb。

15.如权利要求11所述的方法,其特征在于,进一步包括将声学网格插入所述第一和/或第二外部端口与所述mems话筒封壳之间的声波路径的至少一部分中。


技术总结
提供了一种具有定向MEMS话筒组装件的电子设备,包括具有固定到其的PCB的MEMS话筒封壳以及固定到PCB的壳体。话筒组装件包括穿过PCB的第一内部端口和第二内部端口,其中第一和第二内部端口与MEMS话筒封壳流体连通。话筒组装件进一步包括穿过壳体的第一和第二外部端口,其中第一外部端口在垂直于话筒组装件的厚度方向的偏移方向上偏离第一内部端口。话筒组装件进一步包括位于PCB和壳体之间的第一和第二腔体,其中第一腔体与第一内部端口和第一外部端口进行流体连通,而第二腔体与第二内部端口和第二外部端口进行流体连通。

技术研发人员:K·J·维纳莱宁;B·W·阿兹诺;D·W·伯克
受保护的技术使用者:微软技术许可有限责任公司
技术研发日:2018.03.14
技术公布日:2019.11.15
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