300.1到300.N中的每一者分别耦合到控制信号Cl到CN，以选择性地接通或断开每一对应开关。在图3中，参数N可为对于本发明的特定实施例中所支持的一组不同芯片外组件的数目为特定的任意数字。
[0043]在图3中，每一芯片外连接220.1到220.N分别耦合到一组个别芯片外组件250.1到250.N。在一实施例中，每一组芯片外组件250.1到250.N可包括设计用于根据(例如)不同无线标准、操作模式、频带等进行操作的芯片外电路。举例来说，芯片外组件250.1包括耦合到功率放大器PA1240.1的外部SAW滤波器SAW1230.1，而芯片外组件250.N包括功率放大器PAN 240.N而不包括SAW滤波器。所属领域的技术人员将认识到，根据本发明，任何数目N的芯片外连接可耦合到DA输出。所属领域的技术人员还将认识到，一组芯片外组件可进一步包括未展示于图3中的组件(例如，其它滤波器、天线、匹配网络等)。
[0044]图3A描绘参看图3而描述的技术的实施例，其特写耦合到五个可选择芯片外连接的开关的特定实施方案。注意，图3A中所展示的实施例仅出于说明目的，且不打算将本发明的技术限制于所展示的任何特定数目的芯片外连接、开关或可配置模式。
[0045]在图3A中，选择电路包括将DA输出耦合到芯片外连接220.1的PMOS开关210.1及将芯片外连接220.1耦合到接地的NMOS接地开关215.1。芯片外连接220.2到220.5类似地具有对应选择电路。注意，开关210.1到210.5是通过设定对应控制信号Cl’到C5’ (这些控制信号表示在极性上与图3中描绘的控制信号Cl到CN互补的信号)而选择性地接通或断开。举例来说，为了选择性地将DA 130的输出耦合到芯片外连接220.1，接通PMOS开关210.1且断开PMOS开关210.2到210.5。类似地，断开NMOS接地开关215.1且接通NMOS接地开关215.2到215.5。通过在任何时间仅选择性地启用芯片外连接中的一者，可在多组芯片外组件之间对DA 130的输出进行多路复用而不过度加载DA 130的输出。
[0046]为了降低开关210.1到210.5的插入损耗，可提供电阻器Rl到R5以将PMOS晶体管的块体耦合到供应电压VDD。在一实施例中，开关210.1到210.5可为高电压厚氧化物PMOS晶体管。在“断开”状态下，控制电压Cl’到C5’可具有比驱动放大器(DA) 130的供应电压VDD的对应电压电平高的电压电平。当DA 130的输出电压摆动高于VDD时(例如，在使用加载电感器的共源极放大器拓扑的DA电路中)，这可为有利的。
[0047]在图3A中，PMOS开关210.1到210.5的大小可经选择以平衡线性、增益及噪声考虑因素。举例来说，较小装置大小导致多个芯片外连接之间的较佳隔离但导致较高插入损耗。另一方面，较大装置大小导致较低插入损耗但导致较差隔离。可考虑参考图2A中的NMOS开关200A而描述的因素来选择开关的大小。所属领域的技术人员将认识到，可通过(例如)计算机电路模拟来确定PMOS开关210.1到210.5的最佳大小。
[0048]所属领域的技术人员将了解，可使用未展示于图3A中的替代开关类型及架构来实施图3中所描绘的开关300.1到300.No举例来说，在替代实施例中，可替代图3A中展示的PMOS晶体管210.1到210.5而使用厚氧化物NMOS晶体管。在此实施例中，DA 130的输出可经由对应AC耦合电容器(未图示)而耦合到每一 NMOS开关晶体管。预期这些替代开关实施方案属于本发明的范围内。
[0049]图4展示用于图2及图3中所描绘的发射器电路的可能配置设定的实例。根据设定#1，控制信号Al为L0，pDA启用信号pDA EN(例如，图1A中的ENl)为HI，且对应于Cl的芯片外连接被接通。在此设定中，PDA 12作用O在中，外部SAW滤波器SAW1230.1耦合到DA输出，且经SAW滤波的输出被提供到功率放大器PA1240.1。可见对应于设定#1的TX信号路径具有与图1B中描绘的TX信号路径相同的特性。对应于设定#1的TX信号路径可用于支持(例如)根据WCDMA标准在900MHz的操作频率范围下进行的TX操作，如在“实例模式”列下所列出。
[0050]根据设定#2，控制信号Al为HI，pDA EN为L0，且对应于C2的芯片外连接被接通。在此设定中，旁路PDA 120，提供外部SAW滤波器SAW2230.2，且经滤波的输出被提供到功率放大器PA2240.2。对应于设定#2的TX信号路径可用于支持(例如)根据CDMA IX及/或LTE (长期演进)标准在700MHz的操作频率范围下进行的TX操作。
[0051]根据设定#3，控制信号Al为HI，pDA EN为L0，且对应于C3的芯片外连接被接通。在此设定中，旁路pDA 120，不提供外部SAW滤波器，且DA输出直接耦合到功率放大器PA3240.3。可见对应于设定#3的TX信号路径具有与图1C中描绘的TX信号路径相同的特性。对应于设定#3的TX信号路径可用于支持(例如)根据GSM/EDGE标准进行的TX操作。
[0052]根据设定#4，控制信号Al为HI，pDA EN为L0，且对应于C4的芯片外连接被接通。在此设定中，旁路pDA 120，不提供外部SAW滤波器，且DA输出直接耦合到功率放大器PA4240.4。可见对应于设定#4的TX信号路径具有与图1C中描绘的TX信号路径相同的特性。对应于设定#4的TX信号路径可用于支持(例如)根据CDMA IX标准进行的TX操作。
[0053]根据设定#5，控制信号Al为LO，pDA EN为HI，且对应于C5的芯片外连接被接通。在此设定中，PDA 120在作用中，不提供外部SAW滤波器，且DA输出直接耦合到功率放大器PA5240.5。对应于设定#5的TX信号路径可用于支持(例如)根据WCDMA标准在PCS (个人通信服务)频率下进行的TX操作。
[0054]通过选择例如图4中所展示的配置设定，图2及图3中所描绘的发射器架构允许使用发射器电路的单一例项的多模式/多频带操作，同时提供多个芯片外连接用于多标准及漫游应用。
[0055]图5描绘根据本发明的方法的实施例。注意，图5中所展示的实施例仅打算为说明性的，且不打算将本发明的范围限制于所展示的任何特定实施例。此外，图5中所展示的步骤的次序不应被解释为将所揭示技术限制于各步骤的任何特定序列。
[0056]在图5中，在步骤500处，将TX信号提供到pDA的输入。在步骤510处，将pDA输出耦合到DA的输入。在步骤520处，提供使pDA输入及pDA输出分流的旁路开关。在步骤530处，在第一操作模式期间，通过所述旁路开关旁路所述pDA，且断开所述pDA。在步骤540处，在第二操作模式期间，不旁路所述PDA，且接通所述pDA。在步骤550处，选择性地将DA输出耦合到多个芯片外连接中的至少一者以供进一步处理，如本文中先前所揭示。
[0057]基于本文中所描述的教示，应显而易见，本文中所揭示的一方面可独立于任何其它方面来实施，且可以各种方式来组合这些方面中的两者或两者以上。在一个或一个以上示范性实施例中，所描述的功能可以硬件、软件、固件或其任何组合来实施。如果以软件实施，则可将功能作为一个或一个以上指令或代码存储于计算机可读媒体上或经由计算机可读媒体来传输。计算机可读媒体包括计算机存储媒体及通信媒体两者，通信媒体包括促进将计算机程序从一处传送到另一处的任何媒体。存储媒体可为可由计算机存取的任何可用媒体。借助于实例而非限制，所述计算机可读媒体可包含RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置，或可用于以指令或数据结构的形式载运或存储所要程序代码且可由计算机存取的任何其它媒体。而