且，适当地将任何连接称为计算机可读媒体。举例来说，如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)或例如红外线、无线电及微波等无线技术从网站、服务器或其它远程源传输软件，则同轴电缆、光纤电缆、双绞线、DSL或例如红外线、无线电及微波等无线技术均包括于媒体的定义中。如本文中所使用，磁盘及光盘包括压缩光盘(CD)、激光光盘、光学光盘、数字通用光盘(DVD)、软性磁盘及蓝光光盘，其中磁盘通常以磁性方式再生数据，而光盘用激光以光学方式再生数据。以上各项的组合也应包括于计算机可读媒体的范围内。
[0058]在本说明书中及在权利要求书中，将理解，当一元件被称作“连接到”或“耦合到”另一元件时，其可直接连接或親合到所述另一元件或可存在介入元件。相反，当一元件被称作“直接连接到”或“直接耦合到”另一元件时，不存在介入元件。
[0059]已描述了许多方面及实例。然而，对这些实例的各种修改为可能的，且本文提出的原理同样可应用于其它方面。这些及其它方面属于所附权利要求书的范围内。
【主权项】
1.一种用于配置用于通信装置的发射器的方法，所述方法包含: 将发射(TX)信号提供到驱动放大器(DA)的输入，所述DA具有DA输出； 将所述DA输出耦合到多个可选择芯片外连接，每一芯片外连接将所述DA输出耦合到一组芯片外组件，每一芯片外连接包含将所述DA输出耦合到所述对应芯片外连接的对应芯片外连接开关；及 基于芯片外连接控制信号而启用所述多个可选择芯片外连接中的至少一者。
2.根据权利要求1所述的方法，其中将所述DA输出耦合到所述多个可选择芯片外连接包含: 将所述DA输出耦合到多个厚氧化物PMOS装置的漏极，每一 PMOS装置的源极耦合到所述多个可选择芯片外连接中的对应一者； 其中启用所述多个可选择芯片外连接中的至少一者包含: 将低电压电平提供到对应于所述经启用的可选择芯片外连接的所述PMOS装置的栅极；及 将高电压电平提供到对应于未经启用的所述可选择芯片外连接的所述PMOS装置的栅极。
3.根据权利要求2所述的方法，其中将所述DA输出耦合到所述多个可选择芯片外连接进一步包含: 将所述多个可选择芯片外连接中的每一者耦合到对应NMOS装置的漏极，每一 NMOS装置的源极耦合到接地电压； 其中启用所述多个可选择芯片外连接中的所述至少一者包含: 将低电压电平提供到对应于所述经启用的可选择芯片外连接的所述NMOS装置的栅极；及 将高电压电平提供到对应于未经启用的所述可选择芯片外连接的所述NMOS装置的栅极。
4.根据权利要求1所述的方法，其中将所述DA输出耦合到所述多个可选择芯片外连接包含: 经由对应AC耦合电容器将所述DA输出耦合到多个厚氧化物NMOS装置的漏极，每一NMOS装置的源极耦合到所述多个可选择芯片外连接中的对应一者； 其中启用所述多个可选择芯片外连接中的至少一者包含: 将高电压电平提供到对应于所述经启用的可选择芯片外连接的所述NMOS装置的所述栅极；及 将低电压电平提供到对应于未经启用的所述可选择芯片外连接的所述NMOS装置的所述栅极。
5.一种用于通信装置的发射器设备，所述设备包含: 驱动放大器(DA)，其具有DA输出；及 多个可选择芯片外连接，每一芯片外连接将所述DA输出耦合到一组芯片外组件，每一芯片外连接包含将所述DA输出耦合到所述对应芯片外连接的对应芯片外连接开关，其中所述多个可选择芯片外连接中的至少一者经配置以基于芯片外连接控制信号而被接通。
6.一种用于通信装置的发射器设备，所述设备包含: 驱动放大器(DA)，其具有DA输出； 用于选择性地将所述DA输出耦合到多个芯片外连接中的一者的装置，其中所述多个芯片外连接中的一者包括芯片外连接开关，所述芯片外连接开关经配置以将所述DA输出耦合到所述多个芯片外连接中的一者；及 用于基于芯片外连接控制信号而启用所述多个芯片外连接中的至少一者的装置。
7.根据权利要求6所述的发射器设备，其中用于选择性地耦合的装置包含: 用于将所述DA输出耦合到多个厚氧化物PMOS装置的漏极，每一 PMOS装置的源极耦合到所述多个可选择芯片外连接中的对应一者的装置； 其中用于启用的装置包含: 用于将低电压电平提供到对应于经启用的可选择芯片外连接的所述PMOS装置的栅极的装置?’及 用于将高电压电平提供到对应于未经启用的所述可选择芯片外连接的所述PMOS装置的栅极的装置。
8.根据权利要求7所述的发射器设备，其中用于选择性地耦合的装置包含: 用于将所述多个可选择芯片外连接中的每一者耦合到对应NMOS装置的漏极的装置，每一 NMOS装置的源极耦合到接地电压； 其中用于启用的装置包含: 用于将低电压电平提供到对应于经启用的可选择芯片外连接的所述NMOS装置的栅极的装置?’及 用于将高电压电平提供到对应于未经启用的所述可选择芯片外连接的所述NMOS装置的栅极的装置。
9.根据权利要求6所述的发射器设备，其中用于选择性地耦合的装置包含: 用于将所述DA输出经由对应AC耦合电容器耦合到多个厚氧化物NMOS装置的漏极的装置，每一 NMOS装置的源极耦合到所述多个可选择芯片外连接中的对应一者； 其中用于启用的装置包含: 用于将高电压电平提供到对应于经启用的可选择芯片外连接的所述NMOS装置的栅极的装置?’及 用于将低电压电平提供到对应于未经启用的所述可选择芯片外连接的所述NMOS装置的栅极的装置。
10.一种用于配置发射器的方法，所述方法包含: 在第一模式下，启用多个可选择芯片外连接中的第一芯片外连接且禁用所述多个可选择芯片外连接中的第二芯片外连接，其中将发射(TX)信号提供到驱动放大器(DA)的输入，所述DA具有耦合到所述多个可选择芯片外连接的DA输出，每一芯片外连接包含将DA输出耦合到对应的芯片外连接的开关；及 在第二模式下，启用所述多个可选择芯片外连接中的所述第二芯片外连接且禁用所述多个可选择芯片外连接中的所述第一芯片外连接。
11.一种用于通信装置的发射器设备，所述设备包含: 用于在第一模式下，启用多个可选择芯片外连接中的第一芯片外连接且禁用所述多个可选择芯片外连接中的第二芯片外连接的装置，其中将发射(TX)信号提供到驱动放大器(DA)的输入，所述DA具有耦合到所述多个可选择芯片外连接的DA输出，每一芯片外连接包含将DA输出耦合到对应的芯片外连接的开关；及 用于在第二模式下，启用所述多个可选择芯片外连接中的所述第二芯片外连接且禁用所述多个可选择芯片外连接中的所述第一芯片外连接的装置。
【专利摘要】本申请涉及多模式可配置发射器电路。本发明揭示用于配置发射器电路以支持多个模式及/或频带的方法及设备。在一实施例中，通过可控制开关选择性地旁路发射(TX)信号路径中的前置驱动放大器(pDA)。可基于所述发射器电路的操作模式来控制所述开关。本发明还揭示用于选择性地将驱动放大器(DA)的输出耦合到多个芯片外连接中的至少一者的其它技术，其中每一连接将所述DA输出耦合到一组芯片外组件。
【IPC分类】H04B1-04, H03F3-24, H03F3-195, H03F1-02, H03F3-68, H03F3-21, H03F3-72
【公开号】CN104660276
【申请号】CN201510088157
【发明人】秋参·纳拉通, 桑卡兰·阿尼鲁丹
【申请人】高通股份有限公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2009年8月3日
【公告号】CN102113222A, CN102113222B, EP2332262A2, US8099127, US20100029227, WO2010014984A2, WO2010014984A3