电磁振膜耳机的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种电磁振膜耳机。
【背景技术】
[0002]目前，市场上有相当数量的耳机产品采用了平面电磁振膜技术(Planar MagneticTechnology)。下文中将对于该技术进行简单介绍。
[0003]众所周知，在一块磁铁中，磁力线在磁铁外部由北极(N极)引向南极(S极)，在磁铁内部由南极引向北极，构成了磁铁的磁场，如图la所示。
[0004]而当两块磁铁相互间同级面对地放置时(例如，一磁铁的南极面向另一磁铁的南极)，两块磁铁的各自磁场将发生相互挤压，如图lb所示。
[0005]而当四块磁铁如图lc所示放置时，两块并排的磁铁中，其中一块的南极面向对面磁铁的北极，而另一块磁铁的北极面向对面磁铁的南极，则在这四块磁铁之间的中心位置将出现一个等磁场区域。
[0006]如若大幅度增加并排磁铁的数量，如图1d所示，则在两排磁铁之间将出现多个共线的等磁场区域。
[0007]在两排磁铁之间插入一层膜片，如图le所示，则该膜片就将置身于多个共线的等磁场区域中。该膜片上设有导电迹线。在导电迹线通电流的情况下，围绕导电迹线的电流将产生感生磁场，该感生磁场与上述共线的等磁场相互作用，推动或拉动膜片运动。此即为平面电磁振膜技术。
[0008]然而，在现有技术中，在耳机中采用平面电磁振膜技术，电磁感应所引发的推力或拉力往往过于集中在膜片的特定区域，例如集中在锥形表面中心，致使膜片表面受力不均，将引发高度的音效失真。
【发明内容】
[0009]本发明提供了一种电磁振膜耳机，旨在解决上述问题，力求在不增加成本的情况下大幅度改进耳机音效。
[0010]具体而言，本发明提供一种电磁振膜耳机，包括第一磁体阵列、膜片、以及粘附于该膜片上的导电链路，第一磁体阵列形状为由多个磁体构成的矩阵，膜片在其一侧上面向第一磁体阵列，第一磁体阵列包括构成矩阵的多个磁体，每个磁体面向膜片的磁极与矩阵中该磁体所直接相邻的各磁体面向膜片的磁极在极性上相反，所述导电链路包括由一条直线电线弯折而成的多段首尾依次相接的折线段，从膜片朝向第一磁体阵列的视角观察，导电链路的延伸路径为:导电链路首先沿着所述矩阵的第一局部对角线延伸，在延伸至矩阵边缘的情况下，反向折回沿着下一条局部对角线延伸，以此类推，直至从最后一条局部对角线延伸离开矩阵，在导电链路的延伸路径上，每经过一个磁体，则针对该磁体形成由两个折线段构成的弯折部，该弯折部半包围住所经过的磁体。
[0011]优选地，所述膜片是软性线路板，导电链路依附固定于该软性线路板上。
[0012]优选地，在膜片的另一侧再设置第二磁体阵列，第一和第二磁体阵列中各自的每一个磁体一一对准，对准的两个磁体其各自相面对的磁极极性相同。
[0013]优选地，膜片的外边缘直接固定于一刚性环的内边缘。
[0014]优选地，电磁振膜耳机进一步包括多个弯臂，膜片的外边缘固定于每个弯臂的一端，每个弯臂的另一端可转动地连接于一刚性环的内边缘。
[0015]优选地，所述磁体是药丸状磁铁或磁盘。
[0016]优选地，所述导电链路是铜线。
[0017]更优选地，在所述铜线上电镀一层镍电镀层。
[0018]更优选地，在所述镍电镀层上电镀一层金电镀层。
[0019]本发明所提供的电磁振膜耳机通过对膜片上所依附的导电链路的巧妙布局，可以确保在磁场中感应出的推力/吸力最大限度地均匀分布在膜片的整体表面上，由此确保了耳机音效的高保真。另外，在用于固定膜片边缘的刚性环内侧边缘加装弯臂机构，可以使膜片“自由浮动”地竖直运动，由此大幅度减小膜片的边缘变形，有助于进一步优化音质。进一步，在导电链路上考虑进行金电镀和/或镍电镀，也能在不降低驱动电流强度的情况下进一步提闻首频进度。
【附图说明】
[0020]图la-le图示介绍了现有技术中的平面电磁振膜技术；
[0021]图2图示出根据本发明的电磁振膜耳机的磁体阵列的布局；
[0022]图3-5图示出根据本发明的电磁振膜耳机的导电链路的布局；
[0023]图6a_6d图示出在本发明的电磁振膜耳机中膜片的一种安装方式；
[0024]图7a_7c图示出在本发明的电磁振膜耳机中膜片的另一种更优选的安装方式。
【具体实施方式】
[0025]在下文中，相同的附图标记指代相同的元件。
[0026]如上文所述，本发明旨在提供一种电磁振膜耳机，力求在不增加成本的情况下大幅度改进耳机音效。
[0027]本发明所提供的电磁振膜耳机，包含磁体阵列、导电链路、以及该导电链路所依附的膜片。通过导电链路与磁体阵列之间的感应作用，推动/拉动膜片移动。
[0028]磁体阵列可以是单阵列，也可以是相互面对面的双阵列。为描述方便起见，首先介绍单阵列的磁体阵列。
[0029]如图2所示，磁体阵列100形成矩阵形式，即，每个磁体在矩阵的横向和纵向上分别有两个直接相邻的磁体，因此该磁体阵列中，除了阵列边角的磁体之外，其余每个磁体均有四个磁体与其直接相邻。
[0030]磁体阵列100中，每个磁体面向导电链路(下文将阐述)的磁极与矩阵中直接相邻的四个磁体的面向导电链路的磁极在极性上相反。例如，如果一个磁体面向导电链路的磁极为南极，则与该磁体直接相邻的四个磁体面向导电链路的磁极则为北极，在此情况下，四个相邻磁体的北极将发出磁力线汇聚于所提磁体的南极，磁力线呈现四方聚拢的态势。反之，如果一个磁体面向导电链路的磁极为北极，则与该磁体直接相邻的四个磁体面向导电链路的磁极则为南极，在此情况下，所提磁体的北极将向四个相邻磁体的南极发出磁力线，磁力线呈现四散开花的态势。这在图2中清晰可见。
[0031]与磁体阵列100直接面对的是导电链路200，如图3所示。而导电链路200的自身排布也是本发明的发明重点所在。
[0032]导电链路200由一条直线电线弯折而成，由此形成多段首尾依次相连的折线段。弯折形成的图案，从导电链路200朝向磁体阵列矩阵100的角度看，对于大部分磁体而言，两段首尾相连的折线段半包围一个磁体，而另两段首尾相连的折线段也半包围该磁体，由此，每个磁体均由四条折线段全包围。这种全包围形态在图4中清晰可见，在图5中则可以更为清晰地看出。
[0033]在文字解释导电链路200的具体延伸情况之前，首先在本申请文件中引入矩阵的“局部对角线”这一概念。在矩阵的边角外画出的第一条直线为第一局部对角线，随后，与该第一局部对角线平行但与第一局部对角线相隔一斜线行画出第二条直线，该条直线为第二局部对角线，以此类推，可以画出多条局部对角线。
[0034]例如，图4示出的磁体阵列为5*5的矩阵，第一局部对角线为直线A1，与第一局部对角线A1平行且与之相隔“一斜线行”的对角线为第二局部对角线A2，以此类推，在5*5的阵列中，一共可以作出10条局部对角线，A1、A2…A9、A10。需要说明的是，本发明所定义的局部对角线可以如图4所示从左上角开始画线，也可以从矩阵的其他三个角落(右上、左下、右下)开始画线。
[0035]导电链路200首先沿着第一局部对角线A1的方向延伸，在经过相应磁体时，针对该磁体形成弯折折线，如上文所述，两段首尾相接的折线段半包围住所经过的磁体。由于第一和第二局部对角线之间只有一个磁体，因此，经过该磁体后，导电链路200在第一局部对角线的延伸结束。
[0036]接着，导电链路200反方向沿着第二局部对角线A2延伸。类似地，此时导电链路所经过的磁体仍然是第一和第二局部对角线之间的唯一的磁体，因此，半包围该磁体弯折一次。此时，导电链路200到达矩阵边缘，又将反方向折回沿着第三局部对角线A3。
[0037]接着，导电链路200沿着第三局部对角线A3延伸，将经过三个磁体，每经过一个磁体，均弯折一次，弯折线将相应磁体半包围。
[0038]以此类推，导电链路200从第一局部对角线起延伸，每经过一个磁体均弯折一次，弯折部分对所经过的磁体形成半包围。在导电链路200沿着该条局部对角线延伸到矩阵边沿时，将反方向弯折到下一条局部对角线，采用与之前对应的弯折延伸行进，直至完成所有局部对角线的弯折行进。
[0039]由此，如图4所示，除了矩阵边角的个别磁体之外，大部分磁体均由四个折线段所全包围。
[0040]一旦对导电链路200进行通电，则电流将依次流过每条折线段，由此，对大部分磁体实现全包围的四条通电的折线段就合作形成了一个等效的电流环，该电流环可以感应出磁偶极矩。在图4所示的电流通电方向的情况中，磁偶极矩的矢量方向与每个磁体的磁极方向一致，因此，磁体阵列100将对导电链路200产生吸力，将导电链路200朝向磁体阵列100拉动。反之，若对导电链路200进行方向相反的通电，磁偶极矩