空气流阻抗，提高高频灵敏度。
[0035]在声学振膜11中心设置一第一通孔111，用以滤除低频噪音信号。低频噪音信号的波长较长且行程较长，声学振膜11收到低频信号激励时形成声学谐振产生弹性应变，且声学振膜11振动的面积较大，往往以声学振膜11中心为中心向外福射。在声学振膜11中心设置有第一通孔111，第一通孔111释放低频信号激励产生的弹性应变，即可降低声学振膜11对低频信号的灵敏度，进而可实现其滤除低频信号的能力。
[0036]同时说明一下，开设有第一通孔111的声学振膜11对高频信号不产生任何不利影响，因为高频信号的波长较短且形成较短，仅仅只能对声学振膜11的很小面积或者仅仅一点产生振动。通常振动的部分都在声学振膜11的非中心位置，故而在声学振膜11中心设置有第一通孔111对高频信号不产生影响。
[0037]如图2所示，作为进一步优选实施方案，上述的抗低频噪音的麦克风单体，其中:还包括，
[0038]—具有收音通孔的基板2，所述收音通孔正对所述声学振膜11 ;所述声学振膜11与所述基板2之间形成一声学前腔4，所述声学前腔4用以侦测高频信号；
[0039]—盖板3，固定连接所述基板2并完全覆盖所述MEMS换能器I，所述盖板3与所述背部电极12形成一声学背腔5，且所述声学背腔5的体积大于所述声学前腔的体积，所述声学背腔5用以侦测低频信号。
[0040]根据亥姆赫兹谐振底端，空腔的体积与谐振频率成反比，即空腔的体积越大，则气谐振频率越低，在结构设计中，将声学前腔4设计的较小，因高频振动能量较小，故而将声学前腔4设置在振膜的上方，声学前腔4与高频信号时发生谐振，即可侦测高频信号。同理，声学背腔5体积较大，用以与低频信号发生谐振，侦测低频信号。
[0041]作为进一步优选实施方案，上述的抗低频噪音的麦克风单体，其中:所述第一通孔111的体积不大于所述声学振膜11体积的10%。将第一通孔111的体积设计为不大于所述声学振膜11体积的10%，可以更好的滤除低频噪声信号，同时对有效低频信号不产生影响。
[0042]作为进一步优选实施方案，上述的抗低频噪音的麦克风单体，其中:复数个所述第二通孔112均匀分布于所述声学振膜11上。将第二通孔112均匀地分布在所述声学振膜11上，用以提高所述声学振膜11的透气率。
[0043]作为进一步优选实施方案，上述的抗低频噪音的麦克风单体，其中:还包括一ASIC芯片6，连接所述MEMS换能器1，用以接收所述MEMS换能器I输出的所述电容信号，并对所述电容信号做分析处理，形成一处理信号输出。ASIC芯片6主要用于对电容信号做分析处理，该处理过程为本领域技术人员的公知常识，此处不做赘述。同时也不做任何技术限定。
[0044]作为进一步优选实施方案，上述的抗低频噪音的麦克风单体，其中:所述第二通孔112的数量为八个。进一步地，所述第二通孔112也可为的数量为六个。第二通孔112的目的旨在提高声学振膜11的透气率，采用八个通孔或者六个通孔，可根据声学振膜11的面积进行选择，此处仅为举例，并未限定。
[0045]作为进一步优选实施方案，上述的抗低频噪音的麦克风单体，其中:所述声学振膜11为薄且有弹性的声学膜片。采用薄且有弹性的声学膜片可以提高声学振膜11对高频信号的灵敏度。
[0046]作为进一步优选实施方案，上述的抗低频噪音的麦克风单体，其中:所述声学振膜11的厚度为500nmo
[0047]以上所述仅为本实用新型较佳的实施例，并非因此限制本实用新型的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本实用新型说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本实用新型的保护范围内。
【主权项】
1.一种抗低频噪音的麦克风单体，其特征在于:包括MEMS换能器，所述MEMS换能器具有， 一声学振膜，于所述振膜的中心设置一第一通孔，以及于所述声学振膜远离所述第一通孔的位置设置有复数个用以释放应力的第二通孔； 一与所述声学振膜之间形成一固定间隙的背部电极； 其中，所述声学振膜与所述背部电极形成一平板电容器，于所述声学振膜振动的状态下，所述平板电容器根据所述声学振膜的振动幅度形成与所述振动幅度相匹配的电容信号输出。2.根据权利要求1所述的抗低频噪音的麦克风单体，其特征在于:还包括， 一具有收音通孔的基板，所述收音通孔正对所述声学振膜；所述声学振膜与所述基板之间形成一声学前腔，所述声学前腔用以侦测高频信号； 一盖板，固定连接所述基板并完全覆盖所述MEMS换能器，所述盖板与所述背部电极形成一声学背腔，且所述声学背腔的体积大于所述声学前腔的体积，所述声学背腔用以侦测低频信号。3.根据权利要求1所述的抗低频噪音的麦克风单体，其特征在于:所述第一通孔的体积不大于所述声学振膜体积的10%。4.根据权利要求1所述的抗低频噪音的麦克风单体，其特征在于:复数个所述第二通孔均匀分布于所述声学振膜上。5.根据权利要求1所述的抗低频噪音的麦克风单体，其特征在于:还包括一ASIC芯片，连接所述MEMS换能器，用以接收所述MEMS换能器输出的所述电容信号，并对所述电容信号做分析处理，形成一处理信号输出。6.根据权利要求1所述的抗低频噪音的麦克风单体，其特征在于:所述第二通孔的数量为八个。7.根据权利要求1所述的抗低频噪音的麦克风单体，其特征在于:所述第二通孔的数量为六个。8.根据权利要求1所述的抗低频噪音的麦克风单体，其特征在于:所述声学振膜为薄且有弹性的声学膜片。9.根据权利要求1所述的抗低频噪音的麦克风单体，其特征在于:所述声学振膜的厚度为500nm。
【专利摘要】本实用新型涉及语音信号处理技术领域，尤其涉及一种抗低频噪音的麦克风单体。包括MEMS换能器，所述MEMS换能器具有，一声学振膜，与所述振膜的中心设置一第一通孔，以及于所述声学振膜远离所述第一通孔的位置设置有复数个用以释放应力的第二通孔；一与所述声学振膜之间形成一固定间隙的背部电极；其中，所述声学振膜与所述背部电极形成一平板电容器，于所述声学振膜振动的状态下，所述平板电容器根据所述声学振膜的振膜幅度形成与所述振动幅度相匹配的电容信号输出。与现有技术相比，本实用新型的优点是：在声学振膜中心设置一第一通孔，用以滤除低频噪音信号。
【IPC分类】H04R19/04
【公开号】CN204887464
【申请号】CN201520245502
【发明人】叶菁华
【申请人】钰太芯微电子科技（上海）有限公司, 钰太科技股份有限公司
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年4月20日