一种二总线数据发送电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及二总线通信技术领域，尤其涉及一种二总线数据发送电路。
【背景技术】
[0002]目前传统的二总线数据发送电路结构比较复杂，驱动能力差，总线保护措施不完善，成本尚等。
【发明内容】
[0003]发明目的:
[0004]为了避免【背景技术】中存在的不足之处，设计一种电路结构简单、驱动能力强、具有较强的总线保护功能的二总线数据发送电路。
[0005]技术方案:
[0006]本实用新型是通过以下技术方案来实现的:
[0007]—种二总线数据发送电路，包括:信号整形电路，大功率MOS管，MOS开关驱动电路，总线上的大功率电感。
[0008]在信号整形电路中，当发送数据时微处理器输出脉冲信号到非门UlA的2引脚，经过与非UlA的引脚3输出相位相反的脉冲信号，经过电容C2，在与非门UlB的引脚6输出和微处理器输出脉冲相位相同的信号;经过三极管Q2，Q3，Q4组成的驱动电路驱动大功率MOS管实现二总线上的电压控制，完成二总线上的数据发送；由于C2的隔离直流作用，脉冲可以通过，当微处理器出现故障时，与非门UlB的引脚4、5恢复为低电平，从而使与非门UlB的引脚6输出高电平，使MOS管保持截止状态;其中R2和C2构成阻容式时间常数电路，实现脉冲宽度限制，有利于提高传输速度，减少MOS管功耗。
[0009]在MOS开关驱动电路中，MOS管采用低功耗大功率MOS管，总线上采用大功率电感，通过电流允许达到十几安培，可以为二总线上提供很大的驱动能力。
[0010]优点及效果:
[0011]本实用新型与【背景技术】相比，优点如下:一是功率大，驱动能力强；二是具有脉冲宽度限制功能，有效防止总线短路;三是电路结构简单，元器件少，成本低，可靠性高。
[0012]【附图说明】:
[0013]图1一种二总线数据发送电路结构图。
[0014]【具体实施方式】:
[0015]下面结合附图和【具体实施方式】对本发明做进一步说明，本实用新型保护范围不仅局限于以下内容的表述。
[0016]如图1:包括微处理器接口 C，信号整形电路，大功率MOS管，MOS开关驱动电路和大功率电感LI;其中所述的微处理器接口 C输出高低电平信号到信号整形电路UlA的2引脚;所述的信号整形电路包括:与非门U1A、U1B，电阻R1、R2，电容C1、C2;其中与非门UlA的I引脚连接电阻Rl—端，电阻Rl另一端连接5V电源和电容Cl，电容Cl另一端接地;与非门UlA的3引脚连接电容C2的一端，电容C2另一端接电阻R2和与非门UlB的4、5引脚，其中R2另一端接地;与非门UlB的6引脚为信号整形电路输出引脚。
[0017]所述的总线上的大功率电感为串联在总线上，可以通过直流大电流，且隔离脉冲信号的大功率电感LI。
[0018]所述的MOS开关驱动电路包括:电阻R3、R4、R5、R6，三极管Q2、Q3、Q4;其中电阻R3—端接信号整形电路输出引脚，另一端接三极管Q2基极和电阻R4，其中R4另一端接地;三极管Q2发射极接地，集电极接电阻R5—端和Q3和Q4的基极；电阻R5另一端接5V电源;三极管Q4的集电极接5V电源，发射极接三极管Q3发射极和电阻R6的一端，其中三极管Q3集电极接地；电阻R6另一端接大功率MOS管Ql栅极，其中大功率MOS管Ql漏极接二总线正极和电感LI，源极接地。
[0019]可以理解的是，以上关于本实用新型的具体描述，仅用于说明本实用新型而并非受限于本实用新型实施例所描述的技术方案，本领域的普通技术人员应当理解，仍然可以对本实用新型进行修改或等同替换，以达到相同的技术效果；只要满足使用需要，都在本实用新型的保护范围之内，本实用新型说明书中未作详细描述的内容属本领域技术人员的公知技术。
【主权项】
1.一种二总线数据发送电路，包括:信号整形电路，大功率MOS管，MOS开关驱动电路，总线上的大功率电感； 所述的信号整形电路，包括:与非门U1A、U1B，电阻R1、R2，电容C1、C2;其中与非门UlA的I引脚连接电阻Rl—端，电阻Rl另一端连接5V电源和电容Cl，电容Cl另一端接地;与非门UlA的3引脚连接电容C2的一端，电容C2另一端接电阻R2和与非门Ul B的4、5引脚，其中R2另一端接地;与非门UlB的6引脚为信号整形电路输出引脚； 所述的总线上的大功率电感为串联在总线上，可以通过直流大电流，且隔离脉冲信号的大功率电感LI; 所述的MOS开关驱动电路包括:电阻R3、R4、R5、R6，三极管Q2、Q3、Q4;其中电阻R3—端接信号整形电路输出引脚，另一端接三极管Q2基极和电阻R4，其中R4另一端接地;三极管Q2发射极接地，集电极接电阻R5—端和Q3和Q4的基极；电阻R5另一端接5V电源;三极管Q4的集电极接5V电源，发射极接三极管Q3发射极和电阻R6的一端，其中三极管Q3集电极接地；电阻R6另一端接大功率MOS管Ql栅极，其中大功率MOS管Ql漏极与二总线和电感LI连接，源极接地。2.根据权利要求1所述的一种二总线数据发送电路，其特征在于R2和C2构成对脉冲宽度限制和短路保护的阻容式时间常数电路。
【专利摘要】本实用新型涉及一种二总线数据发送电路，由信号整形电路，大功率MOS管，MOS管开关驱动电路，总线上的大功率电感组成；其特征是微处理器产生的高低电平信号，经过信号整形电路限宽整形，再经过MOS管开关驱动电路，驱动大功率MOS管，控制二总线电压，在总线上大功率电感的隔离作用下，数据与电源可以同时传输。
【IPC分类】H04B1/04
【公开号】CN205232207
【申请号】CN201521109284
【发明人】踪念品, 踪家帅, 徐伦
【申请人】踪念品
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2015年12月29日