专利名称：一种晶片刻蚀设备的气路控制方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造领域，具体来说，涉及一种晶片刻蚀设备中气路的控制方法。
背景技术：
在半导体工艺刻蚀的过程中，刻蚀设备会涉及到很多气路，每一路气体有各自的流量控制器和控制阀门，所有气路有一个总的控制阀门。由于管理各个气路的阀门和总的阀门逻辑比较复杂，为了准确安全的控制各个气路的流量和阀门的开合以及对总阀门的动作，设计了此气路控制方法。
发明内容
(一)要解决的技术问题本发明的目的是提供一种晶片刻蚀设备中气路的控制方法。
(二)技术方案为了达到上述目的，本发明采取以下方案本发明的晶片刻蚀设备包括一台存储了控制程序的工控机和一个与该工控机连接的受控硬件系统，该受控硬件系统包括多个气路，每一个气路都有单独的流量控制器和控制阀门，所有的气路由一个总阀门控制，该工控机用于执行控制程序，并对受控硬件系统的整个工作过程进行控制，本发明包括如下步骤设置一个总阀门状态参数，该参数拥有一个初始值，当任一气路打开或者关闭时，该参数会发生相应的变化，当总阀门状态参数的值变为初始值时，总阀门关闭，所述总阀门状态参数的变化规则如下，
当任一气路的状态由关闭变为打开时，则总阀门参数做一次可逆的运算；当任一气路的状态由打开变为关闭时，则总阀门参数做以上运算的逆运算。
其中，还包括所述总阀门参数为一个初始值为零的计数器，当任一气路的状态由关闭变为打开时，计数器相应加一，当任一气路的状态由打开变为关闭时，计数器减一。
(三)有益效果与已有技术相比，由于采用以上方案，本发明保证了对所有气路操作的一致性，(刻蚀设备是一个安全性要求非常高的设备，设备昂贵，内部有有毒气体)，增加了人员和设备的安全性。
图1是本发明的气路系统结构图；图2是本发明气路控制流程图；具体实施方式
参照图1，每条气路都有一个进气口、一个手动控制阀、一个压力传感器、两个阀门、一个质量流量控制器组成，以第一条气路为例，气体可由进气口1进入气路，打开手动控制阀门11，气体通过压力传感器21，压力正常后，打开阀门31，气体进入质量流量控制器41，通入的气体到达一定量的时候，打开阀门51，气体进入总阀门30；参考图2，气路控制流程如下设置一个初始值为零的计数器，用于对当前处于打开状态的气路进行计数并根据该计数器的数值是否为零来控制总阀门的打开和关闭，其步骤是，为每一个气路设置一个开关标志，该开关标志的初始状态为关，当打开一路气体时，计数器增一，其开关标志置为开状态，同时打开总阀门；当调整气路的气体流量时，不改变气路的开关标志状态和计数器的值；当关闭气路时，对气路的开关标志进行判断，为开状态，则设置为关状态并且计数器减一，为关状态，则保持不改变当前的计数器数值；判断计数器数值是否为零，若为零，则关闭总阀门，若不为零，则不关闭总阀门。
权利要求
1.一种晶片刻蚀设备中气路的控制方法，所述晶片刻蚀设备包括一台存储了控制程序的工控机和一个与该工控机连接的受控硬件系统，该受控硬件系统包括多个气路，每一个气路都有单独的流量控制器和控制阀门，所有的气路由一个总阀门控制，该工控机用于执行控制程序，并对受控硬件系统的整个工作过程进行控制，其特征是所述方法包括如下步骤设置一个总阀门状态参数，该参数拥有一个初始值，当任一气路打开或者关闭时，该参数会发生相应的变化，当总阀门状态参数的值变为初始值时，总阀门关闭。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述总阀门状态参数的变化规则如下，当任一气路的状态由关闭变为打开时，则总阀门参数做一次可逆的运算；当任一气路的状态由打开变为关闭时，则总阀门参数做以上运算的逆运算。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述总阀门参数为一个初始值为零的计数器，当任一气路的状态由关闭变为打开时，计数器相应加一，当任一气路的状态由打开变为关闭时，计数器减一。
全文摘要
一种晶片刻蚀设备中气路的控制方法，设置一个初始值为零的计数器，用于对当前处于打开状态的气路进行计数并根据该计数器的数值是否为零来控制总阀门的打开和关闭，为每一个气路设置一个开关标志，该开关标志的初始状态为关，当打开一路气体时，计数器增一，其开关标志置为开状态，同时打开总阀门；当关闭气路时，对气路的开关标志进行判断，为开状态，则设置为关状态并且计数器减一，为关状态，则保持不改变当前的计数器数值；判断计数器数值是否为零，若为零，则关闭总阀门，若不为零，则不关闭总阀门。
文档编号C30B33/00GK1848005SQ20051012645
公开日2006年10月18日 申请日期2005年12月9日 优先权日2005年12月9日
发明者杨荣辉 申请人:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司