专利名称：具有降低的电容耦合的电路板组件的制作方法
技术领域：
在此公开的电路板组件一般涉及印刷电路板(PCB)技术，以及更具体地涉及使信号通道上的电容耦合最小的基底结构。
背景技术：
现代的印刷电路板技术一般采用多层方法，以有效地分配大批的信号通道。例如，参考图1，电子组件10通常包括倒装芯片(flip-chip)焊接结的半导体器件12，该半导体器件12安装在球栅阵列(BGA)封装14之内，该球栅阵列封装14又与PCB组件16相连接。虽然在尺寸和规模方面不同，但是该封装和PCB组件都使用多层电路板技术。
不管大的PCB或小的微型板，为了有效的信号通路，多层电路板一般利用多个叠层20。如图2A所示，层20通常各包括平的绝缘基底22和薄的导体24。该导体提供接地面/电源面，并且通常沉积在基底上。以相对精度把这些层层压成叠置结构，以保持严格的平面度规格。贯穿基底和导体部分形成的过孔26允许层间的信号通路。过孔通过填有绝缘体且未金属化的区域与导电面电隔离，其中填有绝缘体区域和未金属化的区域通常作为阻焊盘28为人所熟知。
一般地，根据适合于特定工艺的设计规则制造整个结构。为给定工艺偏离标准设计规则通常导致额外的费用和/或意想不到的问题。在努力试图最小化阻焊盘(图2B中的虚线所示)区域内的下陷或非平面度中，支配阻焊盘形成的设计规则限制阻焊盘的直径。我们发现扩大阻焊盘可增强高速信号的性能。令人遗憾地，通过超出常规设计规则的设计以常规地扩大阻焊盘将增加过多的成本。
需要的是以及迄今为止无法获得的是，在不违反标准制造设计规则的情况下允许扩大阻焊盘的电路板结构。在此描述的电路板结构满足这种需要。
发明内容
在此描述的电路板结构提供一种独特的方法，以便在最小限度地影响整体电路板的平面度的情况下扩大阻焊盘结构。这能够显著地降低信号通道和电源面/接地面之间的电容耦合。因而为高带宽应用获得最优的信号性能和保真度。
为了实现上述优点，一种形式的该电路板结构包括电路板结构。该结构包括平基底和导体，其中该平基底具有反向布置的平坦表面。该导体形成在至少一个平坦表面上并限定导体面。该结构还包括穿过基底层和导体层形成的直径加大的阻焊盘。该阻焊盘还包括形成为基本上与导体层共面的间隔物。
在另一形式中，该电路板结构使用在用于对多个信号通道进行布线的多层电路板组件中。多层电路板组件包括多个层，每个层包括具有反向布置的平坦表面的平基底和形成在至少一个平坦表面上的导体。导体确定导体面。直径加大的阻焊盘穿过基底和导体形成，并包括定向为贯穿基底和导体层的导电过孔。该阻焊盘还包括布置成基本上与导体面共面的间隔物。
在又一形式中，该电路板结构使用在用于容纳至少一个半导体器件的球栅阵列封装中。该封装具有适合于连接至电路板的接触接口，该接触接口包括越过接口层布置的焊球阵列。该封装还包括连接至接触接口的电路板组件，该电路板组件包括具有反向布置的平坦表面的平基底和形成在至少一个平坦表面上的导体。该导体限定导体面。直径加大的阻焊盘穿过基底和导体形成，并包括布置成基本上与导体面共面的间隔物。
在又一形式中，在此描述了制造电路板结构的方法。该方法包括以下步骤形成具有反向布置的平坦表面的平基底；形成贯穿平坦表面穿过基底的开口；利用绝缘体填充该开口以形成具有外径的阻焊盘；在基底上沉积导体以形成导体面；以及去除导体的一部分以暴露阻焊盘，该去除步骤还包括在阻焊盘的外径内形成与导体面共面的电隔离的间隔物。
当结合附图阅读时，本发明的其他特征和优点将从以下的详细说明中变得明显。
参考以下的更详细的说明和附图将更好地了解在此所描述的电路板结构，其中图1为安装至印刷电路板组件的球栅阵列封装的不按比例的高层次图；图2A为传统的电路板层的局部横截面图；图2B为与图2A相似的视图，其表示与具有过大直径的传统阻焊盘有关的非平面下陷；图3为改进的电路板结构的局部横截面图；图4为表示制造图3的电路板结构的方法的流程图；图5为应用于具有信号过孔的印刷电路板的图3的电路板结构的局部透视图；和图6为利用焊球盘应用于BGA封装方案的图3的电路板结构的局部透视图。
具体实施例方式
在此描述的电路板结构提供用于使电容耦合最小的高性能的方案，该电容耦合由于不希望的小的阻焊盘直径而作用于信号通路。通过在阻焊盘中使用间隔物实现上述方案，从而扩大直径以及使由于下陷所导致的整体平面度的偏差最小。
参考图3，改进的电路板结构包括基底层32和沉积在基底上的导体层34，其中改进的电路板结构总体表示为30。基底优选采用诸如FR-4的绝缘材料的形式。铜箔提供可接受的导体层。未金属化并用绝缘体填充的圆柱形区域贯穿基底层和导体层形成，以限定阻焊盘36。该阻焊盘的直径相对于预定的工艺设计规则尺寸加大。
对于上述的一般结构，设计规则一般将限制阻焊盘的尺寸。我们发现扩大的阻焊盘提供增强的信号传播性能的若干应用。我们也发现在扩大阻焊盘的有效直径的同时使下陷最小的方法，从而能够达到我们的高性能目标。
为此，以及进一步参考图3，阻焊盘36补充有电隔离的间隔物38。该间隔物优选地采用环的形式，或者布置在阻焊盘的一个轴向端的多个同心环(未示出)，该间隔物基本上与导体层34共面，并且由与导体层的导电材料相似的导电材料制成。绝缘体填充在与间隔物有关的任何间隙以及相对于导体层定位使得保持平的平坦表面。
制造这种结构是简单的工艺，该工艺与通常的做法几乎没有差别。通常，如图4所示，首先在步骤50中，形成合适的基底。然后在步骤52中，通过机械打孔工艺形成穿过基底的开口，以限定阻焊盘开口。然后在步骤54中，利用绝缘体填充该开口。然后在步骤56中，沉积金属化或导体层，随后在步骤58中，在对应于阻焊盘的位置处利用掩模工艺进行蚀刻。在此步骤期间，限定隔离的间隔物。然后在步骤60中，使用额外的绝缘体填充阻焊盘，从而完成通常的电路板结构。在该基本方法中可根据应用执行进一步的步骤，诸如过孔形成。根据所要求的层数可重复执行该工艺若干次。
在操作中，间隔物38提供刚性结构以配合绝缘体以及防止直径加大的阻焊盘36的下陷。然而，由于该间隔物包括与导体层的导电材料相配的导电材料，故通过直径尺寸“d”(图3)满足设计规则的直径，同时使由尺寸“d”限定的用于高性能目的的有效直径最大。
上述基本结构的一个具体的应用是用于芯片/多芯片模块(MCM)或者印刷电路板(PCB)的多个层，或印刷电路板(PCBs)。图5表示该应用，其中导电过孔70穿过由开口限定的阻焊盘72形成，并且与导体层74以及同心的多个间隔物76和78电隔离。在常规的设计规则下，阻焊盘直径与过孔直径的比值大约为三(3)。如上所述，此限制的主要目的之一是使下陷(由于扩大的阻焊盘)最小，该下陷将导致层间的平面度问题。然而，虽然过孔70接近阻焊盘72有助于减少下陷，但是也有助于寄生电容耦合，该寄生电容耦合使信号性能降低。
我们发现通过扩大阻焊盘直径以及使用上述的间隔物结构，极大地降低作用于与导体层74(电源面或接地面)耦合的信号过孔70的寄生电容。此外，通过使阻焊盘直径与过孔直径的比值在五(5)至八(8)的范围内，过孔结构的阻抗接近五十(50)欧姆，这将是非常合意的。
图6表示涉及球栅阵列(BGA)接口连接的上述的通常电路板结构的另外的应用。BGA和MicroBGA封装使在封装的半导体器件和PCB之间能够产生有效的电连接。该封装包括焊球盘80，该焊球盘80通过多个焊球84连接至BGA封装电路板82，该多个焊球84与布置在支承PCB组件88上的相对面对的焊球盘86精确地对准。BGA封装电路板和PCB组件都具有相应的电源面90和接地面92。
传统的BGA接口方案所面对的问题之一涉及焊球盘80和相邻的电源面/接地面82之间的寄生平行板电容。该问题在BGA封装电路板和PCB组件88中都可能会自身表露出来。
我们发现通过使用上述电路板结构，对于BGA封装和PCB，可使焊球盘80，86和相应的电源面90和接地面92之间的平行板电容最小。上述的完成是通过在焊球盘位置94和96的附近形成阻焊盘，从而移去平行板电容器的一侧。为了使阻焊盘中的所有下陷最小，使用与上述示例中所描述的间隔物相似的环状间隔物100。因此，通过BGA封装传播以及通过PCB向外传播的信号保持高保真度。
更进一步，在此公开的电路板结构最佳地提高若干层布线上的信号保真度。电子组件通过在整个组件中一致地使用阻焊盘间隔物结构达到最佳性能，其中该电子组件包括安装至印刷电路板(如图4所示)的MCM/BGA封装接口(如图5所示)。总体组件由图1中的示例大致地示出。
本领域的技术人员将认识到在此所述的电路板结构所提供的许多益处和优点。使用扩大的阻焊盘以使作用于通过电路板结构传播的信号上的寄生电容最小而具有显著的重要性。阻焊盘补充有独特的间隔物，这在使用尺寸加大的阻焊盘的情况下有助于保持平面度。
虽然具体示出并参考本发明的优选实施例描述了本发明，但是本领域的技术人员应了解的是，在不偏离本发明的精神和范围的情况下，可在形式和细节上进行各种改变。例如，虽然详细地描述了关于印刷电路板和BGA封装方案的专门应用，但是在此所述的电路板结构可有利地应用于任何形式的层状电路板结构，不管是宏观级别或者微观级别。
此外，虽然在此已经描述了优选的间隔物结构，但是可采用各式各样的形状和材料以提供上述益处和优点。例如，可具有满意结果地使用采用非圆形形状，非连续形状等等的间隔物。另外，间隔物可由刚性绝缘体而不是导电材料形成。
权利要求
1.一种电路板结构，该结构包括具有反向布置的平坦表面的平基底；形成在至少一个所述平坦表面上的导体，导体层限定导体面；穿过所述基底和所述导体形成的直径加大的阻焊盘，该阻焊盘还形成有布置成基本上与所述导体面共面的间隔物。
2.如权利要求1所述的电路板结构，其中所述间隔物与所述导体电隔离。
3.如权利要求1所述的电路板结构，其中所述间隔物包括与所述导体相同的材料。
4.如权利要求1所述的电路板结构，其中，所述间隔物包括绝缘体。
5.如权利要求1所述的电路板结构，还包括形成在所述阻焊盘上的导电过孔，该过孔定向为贯穿所述基底和所述导体。
6.如权利要求5所述的电路板结构，其中所述间隔物共轴地插入所述过孔和所述导体之间。
7.如权利要求6所述的电路板结构，其中所述间隔物与所述过孔和所述导体电隔离。
8.如权利要求1所述的电路板结构，其中，所述间隔物包括环。
9.如权利要求1所述的电路板结构，其中，所述间隔物包括多个同心地间隔开的环。
10.如权利要求1所述的电路板结构，其中所述基底还形成有导电焊盘，连接至信号通路的导电球盘，穿过所述基底布线的信号通路。
11.如权利要求10所述的电路板结构，其中，所述导电焊盘包括焊球盘。
12.一种用于布线多个信号通道的多层电路板组件，该多层电路板组件包括多个层，每层包括具有反向布置的平坦表面的平基底；形成在至少一个所述平坦表面上的导体，导体层限定导体面；穿过所述基底和所述导体形成的直径加大的阻焊盘，所述阻焊盘还包括定向为贯穿所述基底和所述导体的导电过孔；和形成在所述阻焊盘中的间隔物，该间隔物布置成基本上与所述导体面共面。
13.如权利要求12所述的多层电路板组件，其中所述间隔物与所述导体电隔离。
14.如权利要求12所述的多层电路板组件，其中所述间隔物包括与所述导体相同的材料。
15.如权利要求12所述的多层电路板组件，其中，所述间隔物包括绝缘体。
16.如权利要求12所述的多层电路板组件，其中所述间隔物共轴地插入所述过孔和所述导体之间。
17.如权利要求12所述的多层电路板组件，其中所述间隔物与所述过孔和所述导体电隔离。
18.如权利要求12所述的多层电路板组件，其中所述间隔物包括环。
19.如权利要求12所述的多层电路板组件，其中所述间隔物包括多个同心地间隔开的环。
20.一种用于容纳至少一个半导体器件的球栅阵列封装，该封装具有适合于连接至多层电路板组件的接触接口，该接触接口包括越过接口层布置的焊球盘阵列，该封装还包括连接至所述接触接口的电路板结构，该电路板结构包括具有反向布置的平坦表面的平基底；形成在至少一个所述平坦表面上的导体，导体层限定导体面；穿过所述基底和所述导体形成的直径加大的阻焊盘；和形成在所述阻焊盘中的间隔物，所述间隔物布置成基本上与所述导体共面。
21.如权利要求20所述的球栅阵列封装，其中所述间隔物与所述导体电隔离。
22.如权利要求20所述的球栅阵列封装，其中所述间隔物包括与所述导体相同的材料。
23.如权利要求20所述的球栅阵列封装，其中，所述间隔物包括绝缘体。
24.如权利要求20所述的球栅阵列封装，其中所述间隔物包括环。
25.如权利要求20所述的球栅阵列封装，其中所述间隔物包括多个同心地间隔开的环。
26.一种电子组件包括用于布线多个信号通道的多层电路板组件，该多层电路板组件包括多个层，每层包括具有反向布置的平坦表面的平基底；形成在至少一个所述平坦表面上的导体，导体层限定导体面；穿过所述基底和所述导体形成的直径加大的阻焊盘，所述阻焊盘还包括定向为贯穿所述基底和所述导体的导电过孔；形成在所述阻焊盘中的间隔物，该间隔物布置成基本上与所述导体面共面；和用于容纳至少一个半导体器件的球栅阵列封装，该封装具有连接至所述多层电路板组件的接触接口，该接触接口包括越过接口层布置的焊球盘阵列，该封装还包括连接至所述接触接口的电路板结构，该电路板结构包括具有反向布置的平坦表面的平基底；形成在至少一个所述平坦表面上的导体，导体层限定导体面；穿过所述基底和所述导体形成的直径加大的阻焊盘；和形成在所述阻焊盘中的间隔物，所述间隔物布置成基本上与所述导体共面。
27.一种使电路板结构中的寄生电容最小的方法，所述电路板结构具有平基底和形成在所述基底上的平坦导体，该方法包括以下步骤在阻焊盘的附近提供信号通路，所述阻焊盘形成在所述基底和导体内，并包括形成为基本上与所述导体共面的间隔物；和沿所述信号通路发送信号。
28.如权利要求27所述的方法，其中，所述阻焊盘形成有信号过孔，所述信号沿所述信号过孔发送。
29.如权利要求27所述的方法，其中，所述阻焊盘形成在焊球盘的附近，所述信号通过所述焊球盘发送。
30.一种制造电路板结构的方法，该方法包括以下步骤形成具有反向布置的平坦表面的平基底；形成贯穿所述平坦表面穿过所述基底的开口；利用绝缘体填充所述开口，以形成具有外径的阻焊盘；在所述基底上沉积导体，以形成导体面；和去除所述导体的一部分以暴露所述阻焊盘，该去除步骤还包括在所述阻焊盘外径内形成与所述导体共面的电隔离的间隔物。
全文摘要
公开了一种电路板结构。该结构包括平基底和导体，其中该平基底具有反向布置的平坦表面。该导体形成在至少一个平坦表面上并限定导体层。该结构还包括穿过基底层和导体层形成的直径加大的阻焊盘。该阻焊盘还包括形成为基本上与导体面共面的间隔物。
文档编号H05K1/02GK101044801SQ200580031553
公开日2007年9月26日 申请日期2005年7月27日 优先权日2004年9月17日
发明者尹英洙, 费尔南多·阿吉雷, 尼古拉斯·J·特内克基斯 申请人:泰拉丁公司