专利名称：：防止电磁波零部件及使用防止电磁波零部件的电子设备的制作方法
技术领域：
：本发明涉及防止电磁波零部件及使用该防止电磁波零部件的便携式通信设备等电子设备。
背景技术：
：近年来，便携式通信设备的发展惊人，特别是手机的小型轻量化和薄型化飞速发展。随之，手机等的天线设置位置更不断接近人体头部及其它抗干扰差的电子设备。因此，天线与人体头部或其它电子设备的相互作用则成为问题。在手机中，从天线发射的电波的一部分被最接近的人体头部吸收，剩下的向空间发射。基于人体头部吸收电磁能量，有可能产生天线发射效率及通信特性降低的问题。在手机使用时，由于天线接近头部，因此头部暴露在局部性的强电磁场中，担心因功率局部吸收量的增加而对人体产生影响。因此，在美国、欧洲、日本相继设定了以手机作为对象的电波局部吸收指南(单位体重的功率局部吸收量SAR(SpecificAbsorptionRate))。从这样的背景出发，在以手机为代表的便携式通信设备中，希望降低人体的电磁能量的吸收量(例如人体头部的电磁能量的照射量)。虽然通过使天线与人体保持足够远离的距离，能够降低电磁能量的照射量，但是由于使手机足够远离耳朵则不能使用，因此不是有现实意义的解决措施。作为降低在天线附近产生的电磁场能级的技术，已知有在手机的天线根部等配置包含软磁性体粉末及有机粘结剂或无机粘结剂的复合磁性体作为电磁波吸收体的方法(例如参照专利文献12)。在这里，利用复合磁性体的复数磁导率"的虚数分量""在天线的发送频率附近急剧上升的特性，将电磁波作为热损耗进行消耗。在专利文献3中，作为提高GHz频带的复数磁导率p的虚数分量y〃的电磁波吸收膜，记载有具有强磁性微粒及配置在其周围的金属氧化物或金属氮化物等晶间物质的晶粒磁性膜。在专利文献4中，记载有13GHz的高频区域的复数磁导率P的实数分量u'与虚数分量w〃满足u'〉u"的关系的电磁波吸收体。在这些电磁场能级降低技术中，基于磁性体的复数磁导率U的虚数分量""将电磁波作为热损耗进行消耗的技术，由于连天线附近的电磁场能级也降低，因此具有的缺点是发送信号本身的强度也降低了。在专利文献1中作为SAR抑制体的适用条件，记载有提高电磁波吸收体的复数磁导率u的虚数分量u〃的值的同时，增大tanS(二u"/u')的值。在复数磁导率y的虚数分量u"大于实数分量ii'的以往的电磁波吸收体的情况下，不能忽略能量吸收产生的损耗。因此，为了使能量损耗为最小，即为了使从天线发射的电磁波的输出降低为最小，必须通过实验找出电磁波吸收体的粘贴位置及面积等的最佳值。因而，不过是叙述了为了提高SAR抑制效果的方针，还没有到提供实用的减少SAR措施的程度。专利文献4所述的电磁波吸收体，是通过使具有吸收及衰减电磁波的功能的u"小于虽然无助于损耗但与复数磁导率y的大小有关的^'，来抑制电磁波的损耗。但是，由于通常噪声频率比信号频率要处于高频侧，因此必须大大增大共振频率。另外，在微粒的情况下，形状各向异性分散，沿其聚集体的电磁波吸收体的垂直方向也容易使磁通通过。因而，磁通有可能通过插入人体与天线之间的零部件，按天线-(防止零部件)-人体直接泄漏。专利文献l:特开2002-158484公报专利文献2:特开2002-158488公报专利文献3:特开2002-158486公报专利文献4:特开2004-128001公报
发明内容本发明的目的在于提供能够抑制从便携式通信设备等电子设备发送的信号强度的降低、同时有效地降低发射的电磁波对于不需要的方向的强度(电磁场强度)的防止电磁波零部件及使用防止电磁波零部件的电子设备。本发明的一个形态有关的防止电磁波零部件，是具有电磁波发送功能的电子设备附设的防止电磁波零部件，在设前述电子设备的发送频带频率的复数磁导率u的实数分量为u'、虚数分量为u〃时，具有u'为10以上、tanS(=u"/w')为0.1以下、而且强磁性共振频率为前述发送频带频率的1.5倍以上的高频高磁导率磁性膜。本发明的其它形态有关的电子设备，包含具有电磁波发送单元的电子设备本体、以及防止电磁波零部件，前述防止电磁波零部件是有选择地降低从前述电磁波发送单元发射的电磁波对于不需要的方向的电磁场强度那样配置的防止电磁波零部件，在设前述电子设备本体的发送频带频率的复数磁导率U的实数分量为u'、虚数分量为u〃时，具有u'为10以上、tanS(=u〃')为0.1以下、而且强磁性共振频率为前述发送频带频率的1.5倍以上的高频高磁导率磁性膜。图1所示为根据本发明实施形态的手机的构成主视图。图2为图1所示的手机的背视图。图3所示为根据本发明的一个实施形态的高频高磁导率磁性膜的结构剖视图。图4所示为根据本发明的其它实施形态的高频高磁导率磁性膜的结构立体图。图5所示为根据本发明的实施例1的高频高磁导率磁性膜的u'、u"与频率的关系图。图6所示为根据本发明的实施例2的高频高磁导率磁性膜的y'、ia"与频率的关系图。图7所示为根据本发明的实施例3的高频高磁导率磁性膜的y'、u〃与频率的关系图。图8所示为根据本发明的实施例6的高频高磁导率磁性膜的u'、u〃与频率的关系图。图9所示为根据本发明的实施例7的高频高磁导率磁性膜的u'、y〃与频率的关系图。图10所示为根据本发明的实施例8的高频高磁导率磁性膜的n'、u〃与频率的关系图。图ll所示为根据本发明的实施例10的高频高磁导率磁性膜的u'、u〃与频率的关系图。图12所示为根据本发明的实施例11的高频高磁导率磁性膜的u'、u〃与频率的关系图。图13所示为根据本发明的实施例12的高频高磁导率磁性膜的"'、y〃与频率的关系图。图14所示为根据比较例1的磁性膜的U'、U"与频率的关系图。图15所示为根据比较例2的磁性膜的u'、y"与频率的关系图。标号说明10…手机，11…下壳体，12…上壳体，13…枢轴，14…电路基板，15…按键垫片，16…天线，17…显示单元，18…具有高频高磁导率磁性膜的防止电磁波零部件，20、30…高频高磁导率磁性膜，21、31…非磁性绝缘基体，22…非磁性绝缘层，23…绝缘层，24…层叠膜，32…条状磁性膜。具体实施方式以下，说明实施本发明用的形态。首先，参照图1及图2，说明将本发明的电子设备适用于手机的实施形态。图l所示为根据本发明实施形态的手机的简要构成主视图，图2为其背视图。这些图所示的折叠式手机10具有下壳体11与上壳体12，通过枢轴部13连接形成可自由旋转的结构。下壳体11中放置安装有发送电路、接收电路、切换电路、控制电路等的电路基板14，在其表面配置输入用的按键垫片15。另外，下壳体ll具有作为电磁波发送单元的天线16，从该天线16发送接收包含声音数据、文字数据、图像数据等各种数据的无线信号(电磁波)。天线16通过设置在电路基板14上的天线布线与发送电路及接收电路连接。上壳体12具有液晶显示装置等形成的显示单元17。在作为电磁波发送单元的天线16的附近，配置具有高频高磁导率磁性膜的防止电磁波零部件18。配置防止电磁波零部件18，使得有选择地降低从天线16或电路基板14上形成的天线布线发射的电磁波对于不需要的方向的强度、即对于人体头部方向的电磁场强度。具体来说，在天线16及电路基板14上形成的天线布线与下壳体11的面向人体一侧的表面(具有按键垫片15及省略图示的话筒、扬声器等的表面)之间，配置具有高频高磁导率磁性膜的防止电磁波零部件18。例如配置在下壳体11中的防止电磁波零部件18介于人体头部与天线16及具附近的天线布线之间。本实施形态的防止电磁波零部件18具有手机10的发送频带频率的复数磁导率M的实数分量u'为10以上、tanS=u〃/u')为0.1以下、而且强磁性共振频率fr为发送频带频率的1.5倍以上的高频高磁导率磁性膜。"〃是手机10的发送频带频率的复数磁导率u的虚数分量。另外，本发明中规定的所谓复数磁导率U是复数相对磁导率(U》。便携式通信设备的发送频带频率如表1所示，虽涉及多个频带，但被人体吸收的电磁波强度(SAR)中特别成问题的发送频带频率是824MHz1980丽z的范围。在这样的高频区域(例如2GHz以下的区域)中，以往的防止电磁波零部件没有足够的u'，利用发送频率附近急剧上升的u〃，将电磁波作为热损耗进行消耗。以往的防止电磁波零部件利用的不是磁性体的y'，而是在GHz频带的大的ti"。即，以往的防止电磁波零部件是用作为电磁波吸收体。[表1]<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>本实施形态的防止电磁波零部件18，增大磁性膜的各向异性磁场，提高强磁性共振频率fr，通过这样即使在高频区域也实现低频区域的大的u'。通过将高频区域显示有大的H'的磁性膜用作为防止电磁波零部件18，则将从天线16及天线布线向人体头部一侧发射的电磁波通过由高频高磁导率磁性膜形成的磁路引向上方或下方。即，能够降低配置人体头部的空间的电磁场强度。关于利用由高频高磁导率磁性膜形成的磁路有选择地降低面向人体头部一侧发射的电磁波的强度，是设高频高磁导率磁性膜的发送频带频率的复数磁导率y的实数分量U'为10以上。若高频高磁导率磁性膜的u'不到io，则不能完全得到作为将电磁波引向上方或下方的磁路的功能。这里规定的高频高磁导率磁性膜的"'虽然是以手机10的发送频带频率为基准的，但实用上2GHz的复数磁导率U的实数分量"'为10以上比较好。高频高磁导率磁性膜的u'为15以上则更好，最好是30以上。如上所述，通过使用具有在手机IO的发送频带频率(例如2GHz以下的区域)显示有大的y'的高频高磁导率磁性膜的防止电磁波零部件18，能够降低面向人体头部一侧发射的不需要的电磁波的强度。再有，由于通过提高高频高磁导率磁性膜的强磁性共振频率fr，而使u〃减小，因而能够减少电磁波的因热损耗而产生的损耗。关于得到这样的电磁波的损耗减少效果，是将高频高磁导率磁性膜的发送频带频率的复数磁导率u的虚数分量u"对实数分量u'之比(u"/4'=tanS)设为0.1以下。tan5(=y〃')超过0.1的情况，意味着相应高频高磁导率磁性膜的发送频带频率的复数磁导率u的虚数分量y〃大。对于这样的高频高磁导率磁性膜，与以往的防止电磁波零部件相同，由于电磁波的因热损耗而产生的消耗量增大，因此从手机10发送的信号强度本身降低。这里规定的高频高磁导率磁性膜的w"虽然是以手机10的发送频带频率为基准的，但实用上2GHz的复数磁导率u的虚数分量tt〃满足上述条件比较好。再有，构成防止电磁波零部件18的高频高磁导率磁性膜为了减小发送频带频率的复数磁导率U的虚数分量U〃，设强磁性共振频率fr为发送频带频率的1.5倍以上。若强磁性共振频率fr为发送频带频率的不到1.5倍，则由于从比较低的频率起ii〃上升，因此不能使u〃对y'之比(二tanS)为足够小。高频高磁导率磁性膜的强磁性共振频率fr在实用上以2GHz为基准、是它的1.5倍以上比较好。为了进一步抑制因高频高磁导率磁性膜而引起的损耗，在y〃实质上不上升的频率区域中使用比较好。通过这样，由于手机10的发送频带频率的u〃越能够几乎忽略，则越抑制得较小，因此能够更进一步减少用高频高磁导率磁性膜作为热损耗而消耗的电磁波。从这样的观点出发，设高频高磁导率磁性膜的强磁性共振频率fr为发送频带频率的2倍以上则更好。通过这样，能够更提高天线效率，而且更进一步降低面向人体头部等发射的电磁波的强度。如上所述，通过使用具有手机10的发送频带频率的复数磁导率y的实数分量U'为10以上、tanS(=ii〃/"')为0.1以下、强磁性共振频率fr为发送频带频率的1.5倍以上的高频高磁导率磁性膜的防止电磁波零部件18，能够抑制从手机10发送的信号强度的降低，同时有效地降低向不需要的方向发射的电磁波的强度。具体来说，能够有效地降低配置人体头部等的空间的电磁场强度。而且，通过使用这样的防止电磁波零部件18，能够提供兼顾到提高信号特性与减少SAR措施的两方面的手机10等便携式通信设备。构成防止电磁波零部件18的高频高磁导率磁性膜，若是满足上述特性的膜，则不限定组成及膜结构。对于u'、"〃'比、fr以外的磁特性，例如对于通过直流磁场测量能够得到的矫顽力等特性，由于不太影响，因此可以使用满足上述特性的各种组成及各种磁结构的磁性膜。关于磁性膜的磁结构，有非晶态膜、异质非晶态膜、晶态膜、晶粒膜、纳米晶体膜等，没有特别限定。对于高频高磁导率磁性膜，可以使用具有这样的磁结构及特性的各种磁性膜。高频高磁导率磁性膜的y'、u〃'比、fr等，可以利用磁性膜的膜组成、膜结构、膜厚、膜形状(条状等)、成膜条件、成膜后的热处理条件等来进行调整。作为高频高磁导率磁性膜，例如可以使用具有用下式(l)表示的组成的磁性膜。通式(TXA1M—J")—VDV…(l)(式中，T表示从Fe、Co及Ni中选择的至少一种，A表示从B、C、Si、P、Ge及Zr中选择的至少一种，D表示从Si、Al、Zr及Hf中选择的至少一种的元素Ml的氧化物、或者从Si及Al中选择的至少一种的元素M2的氮化物构成的晶间物质，x及y是满足50《x《100(原子。/。)、0《7<50(原子％)的数)。在上述式(l)中，元素T是承担产生磁性的元素，根据所要求的磁特性，来调整组成比例。元素A是为了控制磁各向异性、热稳定性、耐腐蚀性、晶化温度等而添加的元素。元素A的含量在对于元素T与元素A的合计量的50原子％以下的范围内适当调整。若元素A的含量超过50原子％，则元素T的含量相对减少，从而有可能得不到足够的磁特性。磁性膜可以仅由元素T及元素A构成，但为了控制磁各向异性等，也可以包含由化合物D构成的晶间物质。构成晶间物质的化合物D是从Si、Al、Zr及Hf中选择的至少一种的元素Ml的氧化物、或者从Si及Al中选择的至少一种的元素M2的氮化物构成的绝缘物。通过使这样的晶间物质存在于磁性膜中，能够提高磁性膜的各向异性磁场。晶间物质的含量调整为化合物D的原子比y为50%以下比较好。若化合物D的原子比y超过50%，则有可能不能得到足够的作为磁性膜的特性。高频高磁导率磁性膜，例如可以采用溅射法或蒸镀法等来成膜。具有由化合物D构成的晶间物质的磁性膜，可以通过使用例如TA。。i组成的合金耙及由化合物D构成的耙的2元溅射来得到。具体的耙组成可根据所要求的特性适当调整，例如可使用Fe-Co-B系列靶、Fe-Co-Zr系列靶、Fe-Co系列靶、Fe系列靶等满足T人。。i组成的各种靶。在这样的2元溅射中，例如通过改变对各耙的输入功率来调整组成或组织，通过这些能够控制各种磁特性。另外，也可以使用由Ml或M2构成的靶，来代替由化合物D构成的靶，在氧气氛、氮气氛、氧与Ar那样的惰性气体的混合气氛、或氮与Ar那样的惰性气体的混合气氛中进行反应性溅射来成膜。对于高频高磁导率磁性膜，可以采用满足例如式(l)的组成的磁性层的单层膜及层叠膜的任一种膜。特别是最好采用具有图3所示那样的层叠结构的磁性膜20。图3所示的高频高磁导率磁性膜20，具有在非磁性绝缘基体21上通过非磁性绝缘层22层叠多个磁性层23的层叠膜24。图3所示为在非磁性绝缘基体21的两个主面上形成层叠膜24的高频高磁导率磁性膜20。层叠膜24也可以仅在非磁性绝缘基体21的一个主面上形成。磁性膜的高频磁特性受膜厚的影响，若膜厚过厚，则由于涡流产生的趋肤效应而使磁特性降低。特别是高频区域的复数磁导率y的虚数分量ti"随着磁性膜的膜厚的增加而增大。因而，通过非磁性绝缘层22层叠磁性层23，最好保持较小的各磁性层23的膜厚。作为各磁性层23的单层的膜厚设为llim以下比较好，更好是O.5tim以下。另外，非磁性绝缘层22的厚度，可以在不有损高频高磁导率磁性膜20的磁特性的范围内适当调整。磁性层23的层叠数最好考虑到使用高频高磁导率磁性膜20作为防止电磁波零部件18的情况下的效果来设定。即，利用防止电磁波零部件18产生的沿不需要的方向的电磁场强度的降低效果受到整个磁性膜的总膜厚的影响。若高频高磁导率磁性膜20的磁性膜厚过薄，则作为将电磁波引向所希望的方向的磁路的功能降低。相当于各磁性层23的单层膜厚的总和的高频高磁导率磁性膜20的磁性膜厚(=各磁性层23的单层膜厚X层叠数)设定为大于1iim比较好，更好是2um以上。对于高频高磁导率磁性膜，可以采用例如基于诱导磁各向异性或形状磁各向异性来提高各向异性磁场、从而赋予单轴磁各向异性的磁性膜。在对高频高磁导率磁性膜主要赋予基于诱导磁各向异性的各向异性磁场时，最好采用具有上述的式(l)的y值为1050原子％的范围的组成的晶粒磁性膜。通过将这样的磁性膜在磁场中成膜，或者成膜后在磁场中进行热处理，从而能够以高重复性提高基于诱导磁各向异性的各向异性磁场。这里，磁性膜的组成只要能够通过磁场中成膜或磁场中热处理赋予诱导磁各向异性即可，不限定于上述的组成。在对高频高磁导率磁性膜主要赋予基于形状磁各向异性的各向异性磁场时，最好如图4所示，将磁性膜形成条状的图形。图4所示的高频高磁导率磁性膜30具有在非磁性绝缘基体(支持基体)31上形成的磁性膜32，该磁性膜32具有条形形状。关于对磁性膜32引起产生形状磁各向异性，最好条宽W为10500lira的范围，条间隔S为5100"m的范围，长度L为lOram以上。条状的磁性膜32的长度L实用上最好为1070mm的范围。若长度L不到IO隨，则有可能不能充分得到作为条形形状的效果。另外，若长度L超过70mm，则导致高频高磁导率磁性膜的大型化，对手机10等难以安装。高频高磁导率磁性膜的各向异性磁场不限于仅利用诱导磁各向异性或形状磁各向异性的某一方，当然也可以利用诱导磁各向异性及形状磁各向异性的两方面。例如，将具有容易引起产生诱导磁各向异性的组成的磁性膜形成条状图形，通过这样能够更进一步提高各向异性磁场。另外，即使在采用诱导磁各向异性或形状磁各向异性的某一种的情况下，高频高磁导率磁性膜也最好具有图3所示那样的层叠结构的磁性膜20。各磁性膜的单层膜厚及层叠膜的总膜厚如上所述。在上述的实施形态中，是对于为了降低配置人体头部的空间的电磁场强度而配置防止电磁波零部件18的例子进行了说明，但降低电磁场强度的空0间不限于此。防止电磁波零部件18具有的功能对于配置抗干扰性差的其它电子零部件或电子设备(例如手机的摄像头零部件等)的空间的电磁场强度的降低也有效。另外，这里是对于将本发明的电子设备适用于手机的例子进行了说明，但本发明的电子设备不限于此。本发明可适用于以便携式通信设备为代表的具有电磁波发送功能的各种电子设备。下面，叙述本发明的具体实施例及其评价结果。实施例1使用在具有Fe5。Co3^5组成的直径125mmX厚3mm的圆板状合金耙的腐蚀图形上、均匀放置20个Si02片(10mmX10mmX2.3mm)的靶，利用RF磁控管溅射装置形成磁性膜。在该磁性膜成膜时，输入功率为3.3W/cm2，靶-基板间距离为75mm，氩气压为3.2Pa(500SCCM)。成膜时沿与基板法线垂直的方向施加1.6Xl(VA/m的磁场。得到的磁性膜(FeCoBSiO膜)的组成为(Fe5。Co35B15)7。(SiO丄。(原子％)，具有直径200nm左右的Fe5()Co:i5B15组成的非晶态磁性粒子分散在Si02的母相中的结构。高频高磁导率磁性膜在厚100um的聚酰亚胺基体的两面，交替层叠用上述的复合靶成膜的厚0.5um的FeCoBSiO膜、与用Si02靶成膜的厚0.05ym的SiOJ莫而形成。重复层叠数在两面都为2次。该高频高磁导率磁性膜是基于诱导磁各向异性赋予单轴磁各向异性的膜。高频高磁导率磁性膜的膜结构是[(FeCoBSiO膜(0.5um)/Si02膜(0.05"m))2〃聚酰亚胺基体(100ym)〃(FeCoBSiO膜(0.5tim)/Si02膜(0.05um))2]。将膜组成及膜结构示于表2中。测定了上述的高频高磁导率磁性膜的磁特性，其饱和磁场Ms为1.4T,各向异性磁场Hk为3.0X104A/m，强磁性共振频率fr为3500腿z。测定了高频高磁导率磁性膜的ti'及u〃的与频率的关系。将该结果示于图5中。由图5可知，该高频高磁导率磁性膜的y'不仅在低频区域，而且一直到高频区域都显示有大的值，而且在高频区域中，"〃的值也小。高频高磁导率磁性膜的2GHz的u〃/u'比为0.08。将膜特性示于表3中。将这样的高频高磁导率磁性膜提供给后述的特性评价。实施例2对实施例1的(FeCoBSiO膜)，在成膜后在400kA/m的直流磁场中，在氮气氛中加热至27CTC，进行磁场中的热处理。制成除此以外与实施例1同一结构的高频高磁导率磁性膜。将膜组成及膜结构示于表2中。测定了该高频高磁导率磁性膜的磁特性，其饱和磁场Ms为1.4T，各向异性磁场Hk为4.0X104A/m，强磁性共振频率fr为3700腿z。测定了高频高磁导率磁性膜的u'及y〃的与频率的关系。将该结果示于图6中。由图6可知，高频高磁导率的2GHz的u〃的值更小。2GHz的u〃'比为0.04。将这样的高频高磁导率磁性膜提供给后述的特性评价。实施例3除了实施例1的(FeCoBSiO膜)的单层膜厚为0.3ym以外，与实施例1相同，制成高频高磁导率磁性膜。高频高磁导率磁性膜的膜结构是[(FeCoBSiO膜(0.3ym)/Si02膜(0.05ym))2〃聚酰亚胺基体(100um)〃(FeCoBSiO膜(0.3ym)/Si02膜(0.05wm))2]。膜组成及膜结构如表2所示。再有，测定了高频高磁导率磁性膜的磁特性。测定结果如表3所示。另外，将高频高磁导率磁性膜的4'及y"的与频率的关系示于图7中。将这样的高频高磁导率磁性膜提供给后述的特性评价。实施例4除了实施例1的(FeCoBSiO膜)的每个单侧的层叠数为3次以外，与实施例1相同，制成高频高磁导率磁性膜。高频高磁导率磁性膜的膜结构是[(FeCoBSiO膜(O.5um)/Si02膜(O.05"m)),y/聚酰亚胺基体(100um)〃(FeCoBSiO膜(0.5um)/Si0j莫(0.05um))J。膜组成及膜结构如表2所示。再有，测定了高频高磁导率磁性膜的磁特性。测定结果如表3所示。将这样的高频高磁导率磁性膜提供给后述的特性评价。实施例5除了使实施例1的(FeCoBSiO膜)为单层膜以外，与实施例l相同，制成高频高磁导率磁性膜。高频高磁导率磁性膜的膜结构是[FeCoBSiO膜(O.5tim)/Si02膜(0.05"m)〃聚酰亚胺基体(100um)〃Si02膜(0.05um)/(FeCoBSiO膜(0.5um))))。膜组成及膜结构如表2所示。再有，测定了高频高磁导率磁性膜的磁特性。测定结果如表3所示。将这样的高频高磁导率磁性膜提供给后述的特性评价。实施例6对与实施例1同样形成的层叠膜进行离子切削，如图4所示那样形成条状图形。形成图形的形状是条宽WX条间隔SX长1^75umX25uraX40rani。这样，加上基于磁性膜的组成及结构等的诱导磁各向异性，制成引起产生基于形成条状图形的形状磁各向异性的高频高磁导率磁性膜。在沿磁性膜的短轴方向(条宽方向)施加磁场的状态下，测定了上述的具有诱导磁各向异性及形状磁各向异性的高频高磁导率磁性膜的磁特性。其结果是，饱和磁场Ms为l.lT，各向异性磁场Hk为4.8X104A/m，强磁性共振频率fr为4000顧z。另外，测定了u'及y〃的与频率的关系。将该结果示于图8中。由图8可知，该高频高磁导磁性率的2GHz的u"的值更小。2GHz的n〃/y'比为0.02。将这样的高频高磁导率磁性膜提供给后述的特性评价。实施例7使用在具有Fe6sCo,7Zr,5组成的直径125mmX厚3mm的圆板状合金耙的腐蚀图形上、均匀放置20个Si02片(10mmX10腿X2.3mm)的耙，利用RF磁控管溅射装置形成磁性膜。在该磁性膜成膜时，输入功率为3.3W/cm2，耙-基板间距离为75mm，氩气压为3.2Pa(500SCCM)。成膜时沿与基板法线垂直的方向施加1.6X104A/m的磁场。得到的磁性膜(FeCoZrSiO膜)的组成为(Fe^CoJrj69(Si02):"(原子。/。)，具有直径200nm左右的Fe68Co17Zr15组成的非晶态磁性粒子分散在Si02的母相中的结构。在厚100ym的聚酰亚胺基体的两面实施成膜，交替形成用上述的复合靶成膜的厚0.5tim的FeCoZrSiO膜、与用Si02靶成膜的厚0.05ym的SiOJ莫。重复层叠数在两面都为4次。层叠膜(溅射膜)的结构是[(FeCoZrSiO膜(0.5um)/Si02膜(0.05um)h〃聚酰亚胺基体(100um)〃(FeCoZrSiO膜(0.5um)/SiOj莫(0.05u。将膜组成及膜结构示于表2中。对这样的层叠膜进行离子切削，如图4所示那样形成条状图形。形成图形的形状是条宽WX条间隔SX长L-15timX5umX40隱。这样，制成引起产生基于形成条状图形的形状磁各向异性的高频高磁导率磁性膜。膜组成及膜结构如表2所示。再有，测定了高频高磁导率磁性膜的磁特性。测定结果如表3所示。另外，将高频高磁导率磁性膜的u'及ti"的与频率的关系示于图9中。将这样的高频高磁导率磁性膜提供给后述的特性评价。实施例8对实施例7的(FeCoZrSiO膜)，在成膜后在400kA/m的直流磁场中，在氮气氛中加热至25(TC，进行磁场中的热处理。制成除此以外与实施例7同一结构的高频高磁导率磁性膜。将膜组成及膜结构示于表2中。再有，测定了高频高磁导率磁性膜的磁特性。测定结果如表3所示。另外，将高频高磁导率磁性膜的u'及w〃的与频率的关系示于图10中。将这样的高频高磁导率磁性膜提供给后述的特性评价。实施例9除了实施例7的(FeCoZrSiO膜)的每个单侧的层叠数为2次以外，与实施例7相同，制成高频高磁导率磁性膜。高频高磁导率磁性膜的膜结构是[(FeCoZrSiO膜(0.5um)/Si02膜(0.05ym))2〃聚酰亚胺基体(100um)〃(FeCoZrSiO膜(0.5um)/SiCy莫(0.05um))2]。膜组成及膜结构如表2所示。再有，测定了高频高磁导率磁性膜的磁特性。测定结果如表3所示。将这样的高频高磁导率磁性膜提供给后述的特性评价。实施例10使用在具有Fes。C02。组成的直径125mmX厚3mm的圆板状合金耙及Si02耙，利用RF磁控管溅射装置进行成膜。在厚lOOtim的聚酰亚胺基体的两面实施成膜，交替形成厚0.m的Fe8。Co2。膜及厚0.05um的Si02膜。在磁性膜成膜时，输入功率为3.3W/cm2，靶-基板间距离为75mm，氩气压为1.6Pa(500SCCM)。另外，磁性膜成膜时没有施加磁场。上述的层叠膜(溅射膜)的结构是[(Fes()C02。膜(0.5ym)/Si02膜(0.05um))V/聚酰亚胺基体(100"m)〃(Few)Co2。膜(0.5nm)/Si02膜(0.05um)),,]。对这样的层叠膜进行离子切削，如图4所示那样形成条状图形。形成图形的形状是条宽WX条间隔SX长L=75umX25ymX40rara。这样，制成引起产生基于形成条状图形的形状磁各向异性的高频高磁导率磁性膜。在沿磁性膜的短轴方向施加磁场的状态下，测定了该高频高磁导率磁性膜的磁特性，其饱和磁场Ms为1.7T，各向异性磁场Hk为2.8X104A/m，强磁性共振频率fr为3500願z。再有，测定了"'及u〃的与频率的关系。将该结果示于图11中。由图11可知，高频高磁导率磁性膜的u'不仅在低频区域，而且一直到高频区域都大，而且在高频区域中，y〃的值也小。。2GHz的u"/比为0.09。将这样的高频高磁导率磁性膜提供给后述的特性评价。实施例11除了实施例10的(Fes。Co2。膜)的单层膜厚为lura以夕卜，与实施例10相同，制成高频高磁导率磁性膜。高频高磁导率磁性膜的膜结构是[Fe^Co2。膜(1tim)/Si02膜(0.05"m)]]]4〃聚酰亚胺基体(100um)〃(Fe8。Co20膜(1ym)/Si02膜(0.05um)h]。膜组成及膜结构如表2所示。再有，测定了高频高磁导率磁性膜的磁特性。测定结果如表3所示。另外，将高频高磁导率磁性膜的W'及y〃的与频率的关系示于图12中。将这样的高频高磁导率磁性膜提供给后述的特性评价。实施例12除了将实施例10的层叠膜形成的图形形状形成为条宽WX条间隔SX长L二25ymX10"mX40mm以外，与实施例10相同，制成高频高磁导率磁性膜。膜组成及膜结构如表2所示。再有，测定了高频高磁导率磁性膜的磁特性。测定结果如表3所示。另外，将高频高磁导率磁性膜的U'及"〃的与频率的关系示于图13中。将这样的高频高磁导率磁性膜提供给后述的特性评价。比较例1使用在具有Cc^Fei。B,5组成的直径125mraX厚3mm的圆板状合金耙的腐蚀图形上、均匀放置15个SiO2片(10mmX10mmX2.3mm)的靶，利用RF磁控管溅射装置进行成膜。在磁性膜成膜时，输入功率为3.3W/cm2，耙-基板间距离为75mm，氩气压为3.2Pa(500SCCM)。成膜时沿与基板法线垂直的方向施加1.6X104A/m的磁场。得到的磁性膜(CoFeBSiO膜)的组成为(Co55Fe3。B丄9(Si02)J原子。/。)。在厚100um的聚酰亚胺基体的两面实施成膜，交替形成用上述的复合靶成膜的厚0.5yra的CoFeBSiO膜、与用Si02靶成膜的厚0.05"m的Si02膜。重复层叠数在两面都为4次。层叠膜(溅射膜)的结构是[(CoFeBSiO膜(0.5um)/Si(X'膜(0,05ixm))4〃聚酰亚胺基体(100ym)〃(CoFeBSiO膜(0.5ym)/Si02膜(0.05wm))J。测定了上述的层叠磁性膜的磁特性，其饱和磁场Ms为1.5T，各向异性磁场Hk为2.0X10'A/iti，强磁性共振频率fr为2200MHz。再有，测定了磁性膜的"'及P"的与频率的关系。将该结果示于图14中。由图14可知，磁性膜的y〃从比较低的频率区域起上升，2GHz的ti〃'比为0.17。比较例2除了实施例10的磁性膜(Few。Co2。膜)的单层膜厚为1.5ym以外，与实施例10相同，制成层叠磁性膜。层叠磁性膜的膜结构是[Fes。Co2。膜(1.5um)/Si02膜(O.05tim)]4〃聚酰亚胺基体(100um)〃(Fe8。C02。膜(1.5ixm)/Si02膜(0.05"m)h]。膜组成及膜结构如表2所示。测定了上述的磁性膜的磁特性，其饱和磁场Ms为1.7T,各向异性磁场Hk为6.9X10l/m，强磁性共振频率fr为5400MHz。再有，测定了磁性膜的n'及n〃的与频率的关系。将该结果示于图15中。由图15可知，磁性膜的""从比较低的频率区域起上升，2GHz的ii〃/u'比为O.22。比较例3除了将实施例10的层叠膜形成的图形形状形成为条宽WX条间隔SX长L=25ymX25umX40mm以外，与实施例10相同，制成高频高磁导率磁性膜。膜组成及膜结构如表2所示。测定了该磁性膜的磁特性，其饱和磁场Ms为1.1T，各向异性磁场Hk为10.0X10'A/m，强磁性共振频率fr为6600廳z。再有，测定了磁性膜的4'及P〃的与频率的关系，该磁性膜的2GHz的u'较低，为9.2。[表2]<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>将具有根据上述实施例115的各高频高磁导率磁性膜的防止电磁波零部件18切断成20mmX5誦的形状及40mmX5mm的形状。将它们如图1及图2所示那样粘贴在手机10的天线16附近的天线布线上，使得高频高磁导率磁性膜的易磁化轴方向与基板布线图形平行。用这样的手机，测定了SAR强度的降低效果及天线效率的提高效果。对于根据比较例13的各层叠磁性膜，也进行了同样的测定。关于SAR强度的降低效果，是使用电场探头测定利用S認仿真的均匀模拟组织模型的内部激励电场强度分布。关于天线效率的提高效果(电磁强度的提高效果)，是同样使用电场探头测定SAM仿真以外的空间的电场强度。发送频率都采用2GHz。将这些测定结果示于表3中。[表3]<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>由表3可知，在使用根据各实施例的高频高磁导率磁性膜的情况下，SAM仿真内部的电场强度都降低，同时SAM仿真以外的空间的天线效率都提高。在使用诱导磁各向异性及形状磁各向异性的任一种的情况下，也能够得到SAR强度的降低效果及天线效率的提高效果。还可知，高频高磁导率磁性膜的发送频带频率的w'为15以上比较好，为30以上则更好，强磁性共振频率fr为发送频带频率的2倍以上则更好。例如，在实施例1中，SAM仿真内部的电场强度降低3.2dB，SAM仿真以外的空间的天线效率提高2.2dB。比实施例1将磁性膜的总膜厚减薄的实施例5，与实施例l相比，SAR强度的降低效果及天线效率的提高效果略差。因而，最好根据磁性层的层叠数等，加厚磁性层的总膜厚。但是，根据实施例10与实施例11与比较例2的比较可知，若磁性层的单层膜厚过厚，则由于u〃增大，因此最好磁性层的单层膜厚为lum以下。另外，根据实施例10与实施例12与比较例3的比较可知，最好条形形状适当调整条宽W及条间隔S。另一方面，在使用比较例1的层叠磁性膜时，虽然SAM仿真内部的电场强度降低2.8dB。但天线效率几乎没有发现提高。这是由于，比较例1的层叠磁性膜的2GHz的y〃'比大，为0.17，因此由层叠磁性膜产生的电磁波的热损耗增大。比较例2的层叠磁性膜也同样。关于比较例3的层叠磁性膜，虽然u"/u'比小，但由于2GHz的w'小，为9.2，因此SAM仿真内部的电场强度只降低0.7dB。利用它不能实现实用的减少SAR措施。另外，本发明不限定于上述的实施形态。在上述的实施形态中，是对于将本发明的电子设备适用于手机的例子进行了说明，但本发明不限于此，可适用于各种便携式通信设备。本发明可适用于具有电磁波发送功能的各种电子设备。再有，本发明的实施形态能够在本发明的技术思想的范围内进行扩展或变更，该扩展、变更的实施形态也包含在本发明的技术范围内。工业上的实用性本发明的形态的防止电磁波零部件，可有效地用于具有电磁波发送功能的各种电子设备的防止电磁波。根据本发明的形态的防止电磁波零部件，则能够抑制发送信号强度的降低，同时降低发射的电磁波对于不需要的方向的电磁场强度。因而，根据采用这样的防止电磁波零部件的电子设备，则能够很好地保持利用电磁波的通信特性等，而且还能够降低电磁波对例如人体或其它的电子零部件或电子设备的影响。权利要求1.一种防止电磁波零部件，附设于具有电磁波发送功能的电子设备，其特征在于，在设所述电子设备的发送频带频率的复数磁导率μ的实数分量为μ′、虚数分量为μ″时，具有μ′为10以上、tanδ(＝μ″/μ′)为0.1以下、而且强磁性共振频率为所述发送频带频率的1.5倍以上的高频高磁导率磁性膜。2.如权利要求1所述的防止电磁波零部件，其特征在于，所述高频高磁导率磁性膜的所述发送频带频率的"'为15以上。3.如权利要求1所述的防止电磁波零部件，其特征在于，所述高频高磁导率磁性膜的所述发送频带频率的y'为30以上。4.如权利要求1所述的防止电磁波零部件，其特征在于，所述高频高磁导率磁性膜的强磁性共振频率为所述发送频带频率的2倍以上。5.如权利要求1所述的防止电磁波零部件，其特征在于，所述高频高磁导率磁性膜具有用下式表示的组成，通式(Tj(AioO一x)100—yDy(式中，T表示从Fe、Co及Ni中选择的至少一种，A表示从B、C、Si、P、Ge及Zr中选择的至少一种，D表示从Si、Al、Zr及Hf中选择的至少一种的元素Ml的氧化物、或者从Si及Al中选择的至少一种的元素M2的氮化物构成的晶间物质，x及y是满足50《x《100(原子。/。)、0《7<50(原子％)的数)。6.如权利要求1所述的防止电磁波零部件，其特征在于，所述高频高磁导率磁性膜，具有通过非磁性绝缘层层叠多个磁性层的层叠膜。7.如权利要求6所述的防止电磁波零部件，其特征在于，作为所述多个磁性层的单层的膜厚分别为1"m以下。8.如权利要求6所述的防止电磁波零部件，其特征在于，相当于所述多个磁性层的单层膜厚的总和的所述层叠膜的磁性膜厚大于1Um。9.如权利要求1所述的防止电磁波零部件，其特征在于，所述高频高磁导率磁性膜，主要具有基于诱导磁各向异性的各向异性磁场。10.如权利要求9所述的防止电磁波零部件，其特征在于，所述高频高磁导率磁性膜具有用下式表示的组成，通式(TxAi()o-x)lO0-yDY(式中，T表示从Fe、Co及Ni中选择的至少一种，A表示从B、C、Si、P、Ge及Zr中选择的至少一种，D表示从Si、Al、Zr及Hf中选择的至少一种的元素Ml的氧化物、或者从Si及Al中选择的至少一种的元素M2的氮化物构成的晶间物质，x及y是满足50《x《100(原子。/。)、0《y〈50(原子。/。)的数)。11.如权利要求1所述的防止电磁波零部件，其特征在于，所述高频高磁导率磁性膜，主要具有基于形状磁各向异性的各向异性磁场。12.如权利要求11所述的防止电磁波零部件，其特征在于，所述高频高磁导率磁性膜，包括具有条宽为10500iim的范围、条间隔为5100tim的范围的条形形状的磁性膜。13.—种电子设备，其特征在于，包含具有电磁波发送单元的电子设备本体、以及防止电磁波零部件，所述防止电磁波零部件是有选择地降低从所述电磁波发送单元发射的电磁波对于不需要的方向的电磁场强度那样配置的防止电磁波零部件，在设所述电子设备本体的发送频带频率的复数磁导率y的实数分量为u'、虚数分量为u"时，具有u'为10以上、tanS(二u〃/u')为0.1以下、而且强磁性共振频率为所述发送频带频率的1.5倍以上的高频高磁导率磁性膜。14.如权利要求13所述的电子设备，其特征在于，是便携式通信设备。15.如权利要求13所述的电子设备，其特征在于，所述高频高磁导率磁性膜具有用下式表示的组成，iS式(TxAi00—x)100—yDy(式中，T表示从Fe、Co及Ni中选择的至少一种，A表示从B、C、Si、P、Ge及Zr中选择的至少一种，D表示从Si、Al、Zr及Hf中选择的至少一种的元素Ml的氧化物、或者从Si及Al中选择的至少一种的元素M2的氮化物构成的晶间物质，x及y是满足50《x《100(原子。/。)、0《7<50(原子％)的数)。16.如权利要求13所述的电子设备，其特征在于，所述高频高磁导率磁性膜，具有通过非磁性绝缘层层叠多个磁性层的层叠膜。17.如权利要求16所述的电子设备，其特征在于，作为所述多个磁性层的单层的膜厚分别为lym以下。18.如权利要求16所述的电子设备，其特征在于，相当于所述多个磁性层的单层膜厚的总和的所述层叠膜的磁性膜厚大于1Um。19.如权利要求13所述的电子设备，其特征在于，所述高频高磁导率磁性膜，主要具有基于诱导磁各向异性的各向异性磁场。20.如权利要求13所述的电子设备，其特征在于，所述高频高磁导率磁性膜，主要具有基于形状磁各向异性的各向异性磁全文摘要防止电磁波零部件18，具有附设该防止电磁波零部件18的电子设备10的发送频带频率的磁导率的实数分量μ′为10以上、tanδ(＝μ″/μ′)为0.1以下、而且强磁性共振频率为所述发送频带频率的1.5倍以上的高频高磁导率磁性膜。具有这样的高频高磁导率磁性膜的防止电磁波零部件18，配置在具有电磁波发送功能的电子设备10中，使得有选择地降低从天线16等电磁波发送单元发射的电磁波对于不需要的方向的电磁场强度。文档编号H05K9/00GK101164395SQ200680013440公开日2008年4月16日申请日期2006年4月19日优先权日2005年4月20日发明者井上哲夫申请人:株式会社东芝;东芝高新材料公司