专利名称：可控硅市电led调光电源的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种电源，尤其涉及一种可控硅市电LED调光电源。
背景技术：
用双向可控硅(TRIAC)来调节白炽灯或者卤素灯的亮度，已广泛使用达几十年之 久。双向可控硅(TRIAC)调节白炽灯或者卤素灯亮度的工作原理可如图l所示，其为现有技 术中可控硅调节白炽灯亮度的一种电路原理图，在此电路中对电源进行前沿斩波。刚闭合 开关时，电位器RES3的电阻值最大，对电容C的充电时间最长，才能达到双向可控硅TRIAC 的触发二极管DB3的开启电压，双向可控硅TRIAC的导通时间最短，白炽灯得到的功率也就 最小，亮度也最暗。逐渐旋转电位器RES3，其电阻值变小，双向可控硅TRIAC的导通时间变 长，白炽灯得到的功率变大，亮度也提高了 ；这样就简单可靠的实现了无级连续调光。如图 2所示，其为现有技术中可控硅调节白炽灯亮度的另一种电路原理图，在此电路中对电源进 行后沿斩波，其工作过程与
图1相似，在此不再赘述。 随着节能环保的日益紧迫，耗能高的白炽灯/卤素灯(发光效率仅为15LM/W(流 明/瓦))正在被新兴的电光源所取代。高亮度发光二极管LED发光效率目前已达到100LM/ W，而且还在提高中，不含汞等环境不友好元素，寿命可达10万小时以上，是极其有发展前 途的新兴电光源。 由于相比于白炽灯/卤素灯可直接在市电下工作，LED灯一般需要恒流驱动，因 此，如果保持现有的可控硅调光电路不变而直接用LED灯取代白炽灯/卤素灯，必须有一个 转换电路，将可控硅输出的波形转换为对应的LED驱动电流，使LED的驱动电流随着可控硅 输出波形导通角度的大小相应改变，这样LED灯的亮度才能相应改变。
实用新型内容因此，本实用新型的目的在于提供一种可控硅市电LED调光电源，实现LED灯亮度 的无级调节并且无闪烁。 为实现上述目的，本实用新型提供一种可控硅市电LED调光电源，其包括可控硅 调光电路、滤波整流电路、电源IC、反激式开关电源隔离变压器、回差比较器、电流控制比 较器及电压控制比较器；市电连接该可控硅调光电路的输入端，该可控硅调光电路的输出 端连接滤波整流电路，该滤波整流电路的输出端分别连接回差比较器的同相输入端和反激 式开关电源隔离变压器，该反激式开关电源隔离变压器的输出端连接LED负载LED负载的 驱动电流取样连接于电流控制比较器的同相输入端，LED负载的驱动电压取样连接于电压 控制比较器的同相输入端，该回差比较器输出端连接于电流控制比较器的反相输入端，该 反激式开关电源隔离变压器的输出电压取样连接于电压控制比较器的反相输入端；该电源 IC分别与回差比较器的电源端、电流控制比较器的输出端、电压控制比较器的输出端及反 激式开关电源隔离变压器的输入端连接。 其中，还包括一单片机，该单片机连接于回差比较器输出端和电流控制比较器反相输入端之间。 其中，还包括一第一光电耦合器，该电流控制比较器的输出端和电压控制比较器 输出端经由该第一光电耦合器与电源IC连接。 其中，还包括一第二光电耦合器，该回差比较器的输出端经由该第二光电耦合器
与电流控制比较器的反相输入端连接。 其中，所述电流控制比较器为LM358 。 其中，所述电压控制比较器为LM358 。 其中，所述电源IC为NCP1014、 NCP1015、 NCP1027、 NCP1028、 NCP1200、 NCP1207、 NCP1216、NCP1217、NCP1271、NCP1377、CP1001、CP 1002、TNY266、TNY 267、TNY 268、FSQ311、 FSQ312， FSQ-165、 FSQ_265、 FSQ_365、 L6561或L6562。 其中，所述电源IC为L6561或L6562，所述可控硅市电LED调光电源还包括向所述 电源IC提供工作电压的高压DC/DC降压电路；该高压DC/DC降压电路连接于所述滤波整流 电路的输出端和所述电源IC的VCC引脚之间。 其中，所述电源IC为L6561或L6562,所述可控硅市电LED调光电源还包括向所述 电源IC提供工作电压的从反激变换器；该从反激变换器包括芯片U7、从变压器T2、三极管 Q2、电容Ca、稳压二极管Zl和二极管Dll ;三极管Q2的集电极连接芯片U7的FB引脚，三极 管Q2的基极连接稳压二极管Zl的阳极，电容Ca连接在三极管Q2的集电极和基极之间，从 变压器T2的输入端连接滤波整流电路的输出端，从变压器T2的输出端连接二极管Dll的 阳极，二极管Dll和稳压二极管Zl的阴极连接于一电容，该电容为芯片U7和所述电源IC 提供稳定的工作电压。其中，所述芯片U7为CP1001、CP1002、NCP1014或NCP 1015。 综上所述，本实用新型可控硅市电LED调光电源可实现LED亮度1% _100%无级
调节，无闪烁；实现安全电气隔离，功率因数高；电路简单可靠，性价比极高。 为更进一步阐述本实用新型为实现预定目的所采取的技术手段及功效，请参阅以
下有关本实用新型的详细说明与附图，相信本实用新型的目的、特征与特点，应当可由此得
到深入且具体的了解，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本实用新型加以限制。以下结合附图，通过对本实用新型的具体实施方式
详细描述，将使本实用新型的
技术方案及其他有益效果显而易见。 附图中， 图1为现有技术中可控硅调节白炽灯亮度的一种电路原理图； 图2为现有技术中可控硅调节白炽灯亮度的另一种电路原理图； 图3为本实用新型可控硅市电LED调光电源的电路方框图； 图4为本实用新型可控硅市电LED调光电源第一较佳实施例的电路图； 图5为本实用新型可控硅市电LED调光电源第二较佳实施例的电路图； 图6为本实用新型可控硅市电LED调光电源第三较佳实施例的电路图； 图7为本实用新型可控硅市电LED调光电源第四较佳实施例的电路图； 图8为本实用新型可控硅市电LED调光电源第五较佳实施例的电路图；[0028] 图9为本实用新型可控硅市电LED调光电源第六较佳实施例的电路图； 图10为本实用新型可控硅市电LED调光电源第七较佳实施例的电路图； 图11为本实用新型可控硅市电LED调光电源第八较佳实施例的电路图； 图12为本实用新型可控硅市电LED调光电源第九较佳实施例的电路图； 图13为本实用新型可控硅市电LED调光电源第十较佳实施例的电路图； 图14为本实用新型可控硅市电LED调光电源第十一较佳实施例的电路图； 图15为本实用新型可控硅市电LED调光电源第十二较佳实施例的电路图； 图16为本实用新型可控硅市电LED调光电源第十三较佳实施例的电路图； 图17为本实用新型可控硅市电LED调光电源第十四较佳实施例的电路图； 图18为本实用新型可控硅市电LED调光电源第十五较佳实施例的电路图。
具体实施方式如图3所示，其为本实用新型可控硅市电LED调光电源的电路方框图。本实用新 型可控硅市电LED调光电源主要包括可控硅调光电路1、滤波整流电路2、电源IC3、反激 式开关电源隔离变压器4、回差比较器5、电流控制比较器6及电压控制比较器7 ;市电连接 该可控硅调光电路1的输入端，该可控硅调光电路1的输出端连接滤波整流电路2，该滤波 整流电路2的输出端分别连接回差比较器5的同相输入端和反激式开关电源隔离变压器4， 该反激式开关电源隔离变压器4的输出端连接LED负载；LED负载的驱动电流取样连接于 电流控制比较器6的同相输入端，LED负载的驱动电压取样连接于电压控制比较器7的同 相输入端，该回差比较器5输出端连接于电流控制比较器6的反相输入端，该反激式开关电 源隔离变压器4的输出电压取样连接于电压控制比较器7的反相输入端；该电源IC3分别 与回差比较器4的电源端、电流控制比较器6的输出端、电压控制比较器7的输出端及反激 式开关电源隔离变压器4的输入端连接。 如图4所示，其为本实用新型可控硅市电LED调光电源第一较佳实施例的电路图。 在此较佳实施例中，可控硅市电LED调光电源主要包括可控硅调光电路1 、滤波整流电路2、 电源IC3、反激式开关电源隔离变压器4、回差比较器5、电流控制比较器6及电压控制比较 器7。 在此较佳实施例中，可控硅调光电路1可采用如图1所示现有技术中的电路结构， 在此不再赘述。滤波整流电路2主要包括电容CX和互感器LF组成的EMI (电磁干扰) 滤波器，以及随后紧接的桥式整流电路。电源IC3即为图4中的Ul， Ul可以是美国安森美 公司(0NSEMI)的NCP1014/1015，或者是PI公司(Power Integration)的CP1001/1002、 TNY266/267/268等(适合10W以内的应用)，是内置700V高压M0SFET和高压启动电流源 电路的P丽开关电源IC，其高压电流源可在20V-700V的宽电压范围内工作，为U1内部的 其它电路提供稳定的工作电压，这对于本实用新型可控硅市电LED调光电源是必须的，因 为当可控硅的开度很小时，输出的电压有几十伏，而开度最大时，电压却可达几百伏。反激 式开关电源隔离变压器4即为图4中的Tl ;回差比较器5即为图4中的U4，U4为一运算放 大器，其组成了一正反馈回差比较器；电流控制比较器6和电压控制比较器7分别为图4中 U5的LM358B和U5的LM358A。 电容C2、电阻R2和电阻R3组成分压电路，将可控硅斩波后输出的全波桥式整流波
5形分压给U4，正反馈回差比较器U4对干扰有一定的抑制能力，可将不规则的可控硅输出波
形转为较规则的方形波，可控硅输出波形越宽，方形波也越宽。二极管D1为隔离二极管，以
保证R2、R3分压波形不受后级电路的电容影响，真实地反映可控硅的输出波形。 二极管D2、二极管D3、电容Cbl、电容Cb2、色环电感Ll组成逐波式无源功率因数
校正电路，以提高电源的功率因数。 U4输出的方波，经光电耦合器U3(第二光电耦合器)隔离传输后对电阻R16、电容 C12充电，将U4输出的方形波转化为平均值。U6采用7805，为U3光电耦合器提供稳定的 5V电压；因为U3的电压为稳定的5V，所以R16、C12的充电时间仅受U4输出的方形波宽度 控制，也就是仅受可控硅的导通波形的宽度控制。 R16、 C12上的电压值与可控硅斩波的波形宽度成比例，作为电流控制参考值，接 U5的LM358B的反相输入端。电阻RS为LED驱动电流取样电阻，其上电压值代表着驱动电 流的大小，连接电流比较器U5的LM358B的同相输入端。U5的LM358B输出通过光电耦合器 U2(第一光电耦合器)隔离后传输至U1，调节U1的反馈端，改变U1的P丽(脉宽调制)的 占空比，实现对LED驱动电流的闭环控制。 U5的LM358A为电压控制比较器，使电源的最大输出电压值受到限制。LED负载的 驱动电压取样连接于LM358A的同相输入端，T1的输出电压取样连接于LM358A的反相输入
丄山顺。 Ul分别与U4的电源端、LM358B的输出端、LM358A的输出端及Tl的输入端连接， 从而控制对LED负载亮度的无级调节。 如图5所示，其为本实用新型可控硅市电LED调光电源第二较佳实施例的电路图。 在此较佳实施例中，可控硅市电LED调光电源主要包括可控硅调光电路1 、滤波整流电路2、 电源IC3、反激式开关电源隔离变压器4、回差比较器5、电流控制比较器6、电压控制比较器 7及单片机8 ;单片机8连接于回差比较器5输出端和电流控制比较器6反相输入端之间； 通过使用一个功能简单的单片机(MCU)8，将U3(第二光电耦合器)输出的方波转换为电流 比较控制器的电流参考值。其余部分与第一较佳实施例相同。 U3输出的方波经过ADC (模数转换)，数字滤波后，测出其宽度，然后，经DAC (数模 转换)为相应的电流参考值，波形越宽，相应的电流参考值就高。U3输出的方波，也可用MCU 内部的过零比较器触发其内部的定时器。方波越宽，定时值就越大，DAC输出的电流参考值 也就越大。 利用MCU的软硬件资源，可使LED亮度调节更稳定精确，成本比第一较佳实施例稍 高一点。 如图6所示，其为本实用新型可控硅市电LED调光电源第三较佳实施例的电路图； 在此较佳实施例中，可控硅市电LED调光电源主要包括可控硅调光电路1 、滤波整流电路2、 电源IC3、反激式开关电源隔离变压器4、回差比较器5、电流控制比较器6及电压控制比较 器7。 Ul使用美国飞兆公司(Fairchild)的单芯片集成650V高压MOSFET(金属氧化物 半导体场效应管)开关电源IC， FSQ311/2， FSQ-165/265/365，功率从6W-13W不等。其第 5pin为ST (启动)，是可以在20-500V范围内工作的高压电流源，确保电源在可控硅开启开 度最小时可以启动，开度最大时也可靠工作。其余部分与第一较佳实施例相同。[0052] 如图7所示，其为本实用新型可控硅市电LED调光电源第四较佳实施例的电路图； 在此较佳实施例中，可控硅市电LED调光电源主要包括可控硅调光电路1 、滤波整流电路2、 电源IC3、反激式开关电源隔离变压器4、回差比较器5、电流控制比较器6、电压控制比较器 7及单片机8。使用MCU来将U3输出的方波转换为电流控制参考值，其余部分与第三较佳 实施例相同。 如图8所示，其为本实用新型可控硅市电LED调光电源第五较佳实施例的电路图； 在此较佳实施例中，可控硅市电LED调光电源主要包括可控硅调光电路1 、滤波整流电路2、 电源IC3、反激式开关电源隔离变压器4、回差比较器5、电流控制比较器6及电压控制比较 器7。 Ul为美国安森美公司(0NSEMI)的NCP1027/1028，是集成了 700V的高压MOSFET 和高压电流源的单芯片P丽开关电源IC，适合15W功率的应用。其余部分与第一较佳实施 例相似。 如图9所示，其为本实用新型可控硅市电LED调光电源第六较佳实施例的电路图； 在此较佳实施例中，可控硅市电LED调光电源主要包括可控硅调光电路1 、滤波整流电路2、 电源IC3、反激式开关电源隔离变压器4、回差比较器5、电流控制比较器6、电压控制比较器 7及单片机8。 Ul为美国安森美公司(ONSEMI)的NCP1027/1028，是集成了 700V的高压M0SFET 和高压电流源的单芯片P丽开关电源IC。其高压电流源可在20V-700V的宽电压范围内工 作，确保在可控硅开度最小到最大时，都可以可靠工作。适合15W功率应用。使用一简单的 MCU(单片机)，将U3输出的方波转换为LED电流控制参考值，其它部分与第二较佳实施例 相似。 如图IO所示，其为本实用新型可控硅市电LED调光电源第七较佳实施例的电路 图；在此较佳实施例中，可控硅市电LED调光电源主要包括可控硅调光电路1、滤波整流电 路2、电源IC3、反激式开关电源隔离变压器4、回差比较器5、电流控制比较器6及电压控制 比较器7。 Ul为美国安森美公司(ONSEMI)的NCP1200、NCP1271、NCP1216或NCP1217，是集成 500V高压启动电流源P丽开关电源控制IC，外接Ql为600V高压MOSFET，适合20W-60W的 功率应用。其它部分与第一较佳实施例相似。 如图ll所示，其为本实用新型可控硅市电LED调光电源第八较佳实施例的电路 图；在此较佳实施例中，可控硅市电LED调光电源主要包括可控硅调光电路1、滤波整流电 路2、电源IC3、反激式开关电源隔离变压器4、回差比较器5、电流控制比较器6、电压控制比 较器7及单片机8。 Ul为美国安森美公司(ONSEMI)的NCP1200、NCP1271、NCP1216或NCP1217，是集成 500V高压启动电流源P丽开关电源控制IC，外接Ql为600V高压MOSFET，适合20W-60W的 功率应用。使用一简单MCU(单片机)，将U3输出的方波转换为LED电流控制参考值。其余 部分与第二较佳实施例相似。 如图12所示，其为本实用新型可控硅市电LED调光电源第九较佳实施例的电路 图；在此较佳实施例中，可控硅市电LED调光电源主要包括可控硅调光电路1、滤波整流电 路2、电源IC3、反激式开关电源隔离变压器4、回差比较器5、电流控制比较器6及电压控制比较器7。 Ul为美国安森美公司(0NSEMI)的NCP1207或NCP1377，是集成了 500V高压启动 电流源的QRC(准谐振零电压)开关电源控制IC，外接600V高压M0SFET，适合40W-90W的 功率应用，EMI测试更易通过，效率比P丽方式略高。其它部分与第一较佳实施例相似。 如图13所示，其为本实用新型可控硅市电LED调光电源第十较佳实施例的电路 图；在此较佳实施例中，可控硅市电LED调光电源主要包括可控硅调光电路1、滤波整流电 路2、电源IC3、反激式开关电源隔离变压器4、回差比较器5、电流控制比较器6、电压控制比 较器7及单片机8。 Ul为美国安森美公司(0NSEMI)的NCP1207或NCP1377，是集成了 500V高压启动 电流源的QRC(准谐振零电压)开关电源控制IC，外接600V高压M0SFET，适合40W-90W的 功率应用，EMI测试更易通过，效率比P丽方式略高。使用了一简单MCU (单片机)，将U3输 出的方波(代表可控硅导通大小)转换为LED电流控制参考值。其余部分与第二较佳实施 例相似。 如图14所示，其为本实用新型可控硅市电LED调光电源第十一较佳实施例的电路 图；在此较佳实施例中，可控硅市电LED调光电源主要包括可控硅调光电路1、滤波整流电 路2、电源IC3、反激式开关电源隔离变压器4、回差比较器5、电流控制比较器6及电压控制 比较器7。 Ul为美国安森美公司(0NSEMI)的NCP1377，是集成了 500V高压启动电流源的 QRC(准谐振零电压)开关电源控制IC，外接600V高压功率M0SFET，适合40W-90W的功率 应用，EMI测试更易通过，效率比P丽方式略高。NCP1377是新一代的QR(准谐振)IC，比 NCP1207功能更完善。其它部分与第一较佳实施例相似。 如图15所示，其为本实用新型可控硅市电LED调光电源第十二较佳实施例的电路 图；在此较佳实施例中，可控硅市电LED调光电源主要包括可控硅调光电路1、滤波整流电 路2、电源IC3、反激式开关电源隔离变压器4、回差比较器5、电流控制比较器6、电压控制比 较器7及单片机8。 Ul为美国安森美公司(ONSEMI)的NCP1377，是QR(准谐振)开关电源控制IC，使 用了一简单MCU(单片机)，将U3输出的方波(代表可控硅导通大小)转换为LED电流控制 参考值。其余部分与第二较佳实施例相似。 图16为本实用新型可控硅市电LED调光电源第十三较佳实施例的电路图；在此 较佳实施例中，可控硅市电LED调光电源主要包括可控硅调光电路1 、滤波整流电路2、电源 IC3、反激式开关电源隔离变压器4、回差比较器5、电流控制比较器6及电压控制比较器7。 Ul为ST(意法半导体)公司的L6561/L6562，应用了单级反激功率因数校正电路， 功率因数可以做的很高。 高压MOSFET Q2，快恢复二极管Dll，色环电感L2，回差比较器U6 (LM358B)，驱动光 耦U7，组成一高压DC/DC Bulk(降压)电路9，其连接于滤波整流电路2的输出端和Ul的 VCC引脚之间，可将20-500V的电压，转换为稳压的IOV左右电压，供UI工作使用。可控硅 导通角度调节LED驱动电流部分与第一较佳实施例相同。 如图17所示，其为本实用新型可控硅市电LED调光电源第十四较佳实施例的电路 图；在此较佳实施例中，可控硅市电LED调光电源主要包括可控硅调光电路1、滤波整流电路2、电源IC3、反激式开关电源隔离变压器4、回差比较器5、电流控制比较器6、电压控制比 较器7及单片机8，以及用于供给Ul工作电压的高压DC/DC降压电路9。 Ul为ST(意法半导体)公司的L6561/L6562，应用了单级反激功率因数校正电路。 使用了一简单MCU (单片机)，将U3输出的方波(代表可控硅导通大小)，转换为LED驱动 电流控制参考值。其余部分与第二较佳实施例相似。 如图18所示，其为本实用新型可控硅市电LED调光电源第十五较佳实施例的电路 图；在此较佳实施例中，可控硅市电LED调光电源主要包括可控硅调光电路1、滤波整流电 路2、电源IC3、反激式开关电源隔离变压器4、回差比较器5、电流控制比较器6及电压控制 比较器7。 Ul为ST(意法半导体)公司的L6561/L6562，应用了单级反激功率因数校正电路。 在此较佳实施例中，还包括用于对U1提供稳定电压的从反激变换器10 :芯片U7、从变压器 T2、三极管Q2、电容Ca、稳压二极管Zl和二极管Dll构成一小功率反激变换器，将20-500V 的电压转换为10V左右的稳定电压，供U1工作；U7为PI公司(Power Integrations)的 CP1001/1002，或者美国安森美公司(ONSEMI)的NCP1014/1015 ;在此较佳实施例中，三极管 Q2为NPN型三极管，Q2的集电极连接U7的FB引脚，Q2的基极连接Zl的阳极，电容Ca接 在Q2的集电极和基极之间，T2的输入端(初级)连接滤波整流电路2的输出端，T2的输出 端(次级)连接Dll的阳极，二极管D11和稳压二极管Z1的阴极连接于一电容C5，该电容 C5为芯片U7和所述电源IC L6561/L6562提供稳定的工作电压。可控硅导通角度调节LED 驱动电流部分与第一较佳实施例相似。 综上所述，本实用新型可控硅市电LED调光电源可实现LED亮度1% _100%无级
调节，无闪烁；实现安全电气隔离，功率因数高；电路简单可靠，性价比极高。 以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本实用新型的技术方案和
技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本实用新型后
附的权利要求的保护范围。
权利要求一种可控硅市电LED调光电源，其特征在于，包括可控硅调光电路、滤波整流电路、电源IC、反激式开关电源隔离变压器、回差比较器、电流控制比较器及电压控制比较器；市电连接该可控硅调光电路的输入端，该可控硅调光电路的输出端连接滤波整流电路，该滤波整流电路的输出端分别连接回差比较器的同相输入端和反激式开关电源隔离变压器，该反激式开关电源隔离变压器的输出端连接LED负载；LED负载的驱动电流取样连接于电流控制比较器的同相输入端，LED负载的驱动电压取样连接于电压控制比较器的同相输入端，该回差比较器输出端连接于电流控制比较器的反相输入端，该反激式开关电源隔离变压器的输出电压取样连接于电压控制比较器的反相输入端；该电源IC分别与回差比较器的电源端、电流控制比较器的输出端、电压控制比较器的输出端及反激式开关电源隔离变压器的输入端连接。
2. 如权利要求1所述的可控硅市电LED调光电源，其特征在于，还包括一单片机，该单 片机连接于回差比较器输出端和电流控制比较器反相输入端之间。
3. 如权利要求1或2所述的可控硅市电LED调光电源，其特征在于，还包括一第一光电 耦合器，该电流控制比较器的输出端和电压控制比较器输出端经由该第一光电耦合器与电 源IC连接。
4. 如权利要求1或2所述的可控硅市电LED调光电源，其特征在于，还包括一第二光电 耦合器，该回差比较器的输出端经由该第二光电耦合器与电流控制比较器的反相输入端连 接。
5. 如权利要求1或2所述的可控硅市电LED调光电源，其特征在于，所述电流控制比较 器为LM358。
6. 如权利要求1或2所述的可控硅市电LED调光电源，其特征在于，所述电压控制比较 器为LM358。
7. 如权利要求1或2所述的可控硅市电LED调光电源，其特征在于，所述电源IC为 NCP1014、 NCP1015、 NCP1027、 NCP1028、 NCP1200、 NCP1207、 NCP1216、 NCP1217、 NCP1271、 NCP1377、 CP1001、 CP1002、 TNY266、 TNY 267、 TNY 268、 FSQ311、 FSQ312， FSQ-165、 FSQ-265、 FSQ-365、L6561或L6562。
8. 如权利要求1或2所述的可控硅市电LED调光电源，其特征在于，所述电源IC为 L6561或L6562，所述可控硅市电LED调光电源还包括向所述电源IC提供工作电压的高压 DC/DC降压电路；该高压DC/DC降压电路连接于所述滤波整流电路的输出端和所述电源IC 的VCC引脚之间。
9. 如权利要求1或2所述的可控硅市电LED调光电源，其特征在于，所述电源IC为 L6561或L6562，所述可控硅市电LED调光电源还包括向所述电源IC提供工作电压的从反 激变换器；该从反激变换器包括芯片U7、从变压器T2、三极管Q2、电容Ca、稳压二极管Zl和 二极管Dll ;三极管Q2的集电极连接芯片U7的FB引脚，三极管Q2的基极连接稳压二极管 Zl的阳极，电容Ca连接在三极管Q2的集电极和基极之间，从变压器T2的输入端连接滤波 整流电路的输出端，从变压器T2的输出端连接二极管Dll的阳极，二极管Dll和稳压二极 管Zl的阴极连接于一电容，该电容为芯片U7和所述电源IC提供稳定的工作电压。
10. 如权利要求9所述的可控硅市电LED调光电源，其特征在于，所述芯片U7为 CP1001、 CP1002、 NCP1014或NCP1015。
专利摘要本实用新型涉及一种可控硅市电LED调光电源，其将市电连接一可控硅调光电路的输入端，该可控硅调光电路的输出端连接滤波整流电路，该滤波整流电路的输出端分别连接回差比较器的同相输入端和反激式开关电源隔离变压器，该反激式开关电源隔离变压器连接LED负载；LED负载连接于电流控制比较器和电压控制比较器的同相输入端，该回差比较器连接于电流控制比较器的反相输入端，该反激式开关电源隔离变压器的输出电压取样连接于电压控制比较器的反相输入端；该电源IC分别与回差比较器、电流控制比较器、电压控制比较器及反激式开关电源隔离变压器连接。本实用新型可实现LED亮度无级调节，无闪烁；实现电气隔离，电路简单可靠，性价比高。
文档编号H05B37/02GK201491322SQ20092013440
公开日2010年5月26日 申请日期2009年7月30日 优先权日2009年7月30日
发明者苟迎娟 申请人:苟迎娟