专利名称：成型体、其制造方法、电子设备用构件和电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及成型体、其制造方法、包括该成型体的电子设备用构件以及具备该电子设备用构件的电子设备。
背景技术：
一直以来，塑料薄膜等高分子成型体由于价格低廉、加工性优异，因此可以赋予所需的功能，在各种领域中应用。近年来，对于液晶显示器或电致发光(EL)显示器等显示器，为了实现薄型化、轻量化、柔韧化等，作为具有电极的基板，人们对于使用透明塑料薄膜代替玻璃板进行了研究。但是，塑料薄膜与玻璃板相比，存在容易透过水蒸气或氧等，显示器内部的元件容易劣化的问题。为解决该问题，专利文献1中提出了在聚酯系树脂薄膜上层叠阻气性的无机化合物薄膜的阻气性薄膜。但是，该文献记载的阻气性薄膜具有以下问题。(i)该薄膜的阻气性在实用上未达到令人满意的水平。(ii)层叠的无机化合物薄膜的表面平滑性差，在阻气层上形成其他层时，存在所形成的其他层容易产生针孔，针孔发生部分的阻气性极度降低的情况。(iii)该薄膜是通过蒸镀法、电子束法、溅射法等在由聚酯系树脂形成的基膜上层叠由无机化合物形成的阻气层而成的，因此，将该层叠薄膜卷起或弯折时，存在阻气层产生裂纹，阻气性降低的情况。因此，为了提高耐弯折性，人们还提出了将无机膜和有机膜交替层叠的方法，但存在工序复杂、密合性降低、材料成本升高等问题。专利文献1 日本特开平10-305542号公报。
发明内容
本发明是鉴于上述现有技术技术而作出的发明，其课题在于提供阻气性、耐弯折性、密合性和表面平滑性均优异的成型体，其制造方法，包括该成型体的电子设备用构件， 和具备该电子设备用构件的电子设备。本发明人为解决上述课题进行了深入地研究，结果发现在具有由至少含有氧原子、碳原子和硅原子的材料构成的阻气层的成型体中，上述阻气层含有区域(A)，该区域 (A)是自表面起朝着深度方向，层中的氧原子的存在比例逐渐减少、碳原子的存在比例逐渐增加的区域，上述区域(A)具有以特定比例含有氧原子、碳原子和硅原子的至少2种的部分区域，该成型体的阻气性、耐弯折性、密合性和表面平滑性均优异。还发现通过向在表面部具有含聚硅烷化合物的层的成型物的上述含聚硅烷化合物的层中注入离子，可以简便且高效率地制造上述成型体，从而完成了本发明。S卩，根据本发明的第1方面，提供下述(1)-(7)的成型体。
(1)成型体，其是具有由至少含有氧原子、碳原子和硅原子的材料构成的阻气层的成型体，其特征在于，
上述阻气层含有区域(A)，该区域(A)为由表面起朝着深度方向，层中的氧原子的存在比例逐渐减少，碳原子的存在比例逐渐增加的区域，
上述区域(A)具有相对于氧原子、碳原子和硅原子的总存在量，氧原子的存在比例为 20-55%，碳原子的存在比例为25-70%，硅原子的存在比例为5-20%的部分区域(Al)；和
氧原子的存在比例为1_15%，碳原子的存在比例为72-87%，硅原子的存在比例为7-18% 的部分区域(A2)。(2) (1)所述的成型体，其特征在于，上述区域(A)在含聚硅烷化合物的层的表层部形成。(3)成型体，其特征在于，该成型体具有向含聚硅烷化合物的层中注入离子而得到的阻气层。(4) (2)或(3)所述的成型体，其特征在于，上述聚硅烷化合物是含有下式(1)所示的重复单元的化合物。[化1]
权利要求
1.成型体，其是具有由至少含有氧原子、碳原子和硅原子的材料构成的阻气层的成型体，其特征在于，上述阻气层含有区域(A)，所述区域(A)为自表面起朝着深度方向，层中的氧原子的存在比例逐渐减少，碳原子的存在比例逐渐增加的区域，上述区域(A)具有相对于氧原子、碳原子和硅原子的总存在量，氧原子的存在比例为 20-55%，碳原子的存在比例为25-70%，硅原子的存在比例为5-20%的部分区域(Al)，和氧原子的存在比例为1_15%，碳原子的存在比例为72-87%，硅原子的存在比例为7-18% 的部分区域(A2)。
2.权利要求1所述的成型体，其特征在于，上述区域(A)在含聚硅烷化合物的层的表层部形成。
3.成型体，其特征在于，该成型体具有向含聚硅烷化合物的层中注入离子而得到的阻气层。
4.权利要求2或3所述的成型体，其特征在于，上述聚硅烷化合物是含有下式(1)所示的重复单元的化合物，
5.权利要求3所述的成型体，其特征在于，该成型体具有通过等离子体离子注入法向上述含聚硅烷化合物的层中注入离子而得到的阻气层。
6.权利要求3所述的成型体，其特征在于，上述离子是选自氢、氮、氧、氩、氦、氖、氙、 氪、硅化合物和烃中的至少一种气体被离子化所得的。
7.权利要求1_3、5或6中任一项所述的成型体，其特征在于，在40°C、相对湿度90%气氛下的水蒸气透过率低于0.5 g/m2/天。
8.权利要求3所述的成型体的制造方法，该方法具有以下工序向在表面部具有含聚硅烷化合物的层的成型物的上述含聚硅烷化合物的层中注入离子。
9.权利要求8所述的成型体的制造方法，其特征在于，上述注入离子的工序是将选自氢、氮、氧、氩、氦、氖、氙、氪、硅化合物和烃中的至少一种气体离子化并进行注入的工序。
10.权利要求8或9所述的成型体的制造方法，其特征在于，上述注入离子的工序是一边将在表面部具有含聚硅烷化合物的层的长的成型物沿一定方向运送，一边向上述含聚硅烷化合物的层中注入离子的工序。
11.电子设备用构件，其包括权利要求1-7中任一项所述的成型体。
12.电子设备，其具备权利要求11所述的电子设备用构件。
全文摘要
本发明涉及具有由含O原子、C原子和Si原子的材料构成的阻气层的成型体，上述阻气层具有自表面起朝着深度方向层中的O原子的存在比例逐渐减少、C原子的存在比例逐渐增加的区域，上述区域包含相对于O原子、C原子和Si原子的总存在量，O原子的存在比例为20-55%、C原子的存在比例为25-70%、Si原子的存在比例为5-20%的部分区域，和O原子的存在比例为1-15%、C原子的存在比例为72-87%、Si原子的存在比例为7-18%的部分区域；本发明还涉及具有向含聚硅烷化合物的层中注入离子而得到的阻气层的成型体；其制造方法；包括该成型体的电子设备用构件；以及具备该电子设备用构件的电子设备。根据本发明，提供阻气性、耐弯折性、密合性和表面平滑性优异的成型体，其制造方法，电子设备用构件和电子设备。
文档编号H05B33/04GK102439077SQ201080022420
公开日2012年5月2日 申请日期2010年5月21日 优先权日2009年5月22日
发明者上村和惠, 伊藤雅春, 星慎一, 铃木悠太 申请人:琳得科株式会社