专利名称：一种裸铜印制板的有机助焊保护膜制作工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种助焊保护膜的制作工艺，特别是涉及一种裸铜印制板的有机助焊保护膜制作工艺。
背景技术：
现有技术中，作为电子产业使用的印制铜板的表面处理方法一般是将裸铜印制板浸入特制的溶液中，通过化学反应在铜表面形成一层厚度0. 2-0. 55um憎水性的有机保护膜，以防止铜表面氧化，同时兼具助焊和耐热功能，以适应日益发展的电子组装要求和满足目前世界均非常重视的环保、节能要求。但是传统的制作工艺还存在的很多缺陷，比如镀膜不均勻，保护膜易产生气泡、表面平整度差等缺点，所以急需一种能够解决上述缺陷的保护膜制作工艺来满足需求
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中为裸铜印制板镀保护膜所存在的缺陷，提供一种裸铜印制板的有机助焊保护膜制作工艺来解决上述问题。为了实现上述目的，本发明的技术方案如下一种裸铜印制板的有机助焊保护膜制作工艺，其特征在于，包括以下步骤(1)除油，对裸铜印制板的表面进行除油；(2)微蚀，对裸铜印制板的表面进行微蚀处理；(3)酸洗，将裸铜印制板放入酸液中进行酸洗；(4)成膜，将裸铜印制板放入成膜液中进行成膜处理；(5)干燥，将进行完成膜处理的裸铜印制板进行干燥处理。上述一种裸铜印制板的有机助焊保护膜制作工艺，其特征在于，所述除油和微蚀步骤后都要进行二级水洗的步骤。上述一种裸铜印制板的有机助焊保护膜制作工艺，其特征在于，所述酸洗和成膜步骤后都要进行去离子水洗的步骤。上述一种裸铜印制板的有机助焊保护膜制作工艺，其特征在于，所述去离子水洗步骤中使用的去离子水的PH值为4. 0-7. 0之间。上述一种裸铜印制板的有机助焊保护膜制作工艺，其特征在于，所述成膜步骤中， 成膜液的PH值为3. 0-3. 2之间。上述一种裸铜印制板的有机助焊保护膜制作工艺，其特征在于，所述除油步骤内还包括对除油效果的检验，检验的方法为对裸铜印制板进行水洗，裸铜印制板表面形成水膜并且超过15秒不破裂则为合格。上述一种裸铜印制板的有机助焊保护膜制作工艺，其特征在于，所述微蚀步骤中， 微蚀厚度为1. Oum-1. 5um。上述一种裸铜印制板的有机助焊保护膜制作工艺，其特征在于，所述微蚀步骤中还包含微蚀速率的测定，微蚀速率的测定方法为1)取厚双面铜箔板，面积记为S(cm2)；2)放入烘炉中，在90°C -100°C烘30分钟；3)在防潮瓶内冷却至室温，用分析天平称重Wl (克)；4)将厚双面铜箔板浸入除油缸 中，再浸入微蚀缸后取出，记录浸入微蚀缸的时间记为t (分钟)；5)用水清洗后，于烘炉中90°C -100°C烘30分钟；6)在防潮瓶中冷却至室温，用分析天平称重W2(克)；7)计算蚀铜速率(微米 / 分钟)=10000* (W1-W2) / (8. 92*2*S*t)。上述一种裸铜印制板的有机助焊保护膜制作工艺，其特征在于，所述成膜步骤中， 裸铜印制板的成膜厚度为0. 2um-0. 5um。上述一种裸铜印制板的有机助焊保护膜制作工艺，其特征在于，所述成膜步骤中， 测量成膜厚度的方法为1)将经过成膜处理的裸铜印制板放置于烧杯中2)用移液管取15%的盐酸液，放入烧杯，轻摇烧杯，三分钟后将裸铜印制板拿出；3)用5%的盐酸校零，在751G分光光度计上，于269. Inm处测吸光度；4)再以第2)步骤准备的15%的盐酸液更换，读取在170nm处的吸光度A ；5)计算膜厚(微米)=0. 7*A。本发明具有的有益效果比热平工艺生产的印制电路板具有更优良的平整度并且由于其处理温度为低温处理，避免了板材因受热而造成翘曲。减少了能源消耗，避免传统工艺的环境污染。
图1为本发明的流程示意图。
具体实施例方式为使对本发明的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识，用以较佳的实施例及附图配合详细的说明，说明如下参看图1，一种裸铜印制板的有机助焊保护膜制作工艺，包括以下步骤(1)除油，对裸铜印制板的表面进行除油；除油效果的好坏直接影响到成膜质量。除油不良，则成膜厚度不均勻。一方面，可以通过分析溶液，将浓度控制在工艺范围内；另一方面，也要经常检查除油效果是否好，若除油效果不好，则应及时更换除油液。并且在除油过后要进行对除油效果的检验，检验的方法为对裸铜印制板进行水洗，如果裸铜印制板表面能够形成水膜并且超过15秒不破裂则为合格，如果裸铜印制板表面不能够形成水膜或者形成水膜不超过15秒就破裂，则为不合格，需要重新更换除油液并且重新进行除油，直至合格。在除油步骤完成并合格后，要经过二级水洗的步骤，使得裸铜印制板能够顺利进入下一工序。
(2)微蚀，对裸铜印制板的表面进行微蚀处理；微蚀的目的是让裸铜印制板形成粗糙的表面，便于成膜。微蚀的厚度直接影响到成膜速率，因此，要形成稳定的膜厚，保持微蚀厚度的稳定是非常重要的。一般将微蚀厚度控制在1. 0-1. 5um比较合适，每班生产前，可测定微蚀速率，根据微蚀速率来确定微蚀时间，微蚀速率的测定方法为
1)取厚双面铜箔板，面积记为S(cm2)；2)放入烘炉中，在90°C -100°C烘30分钟；3)在防潮瓶内冷却至室温，用分析天平称重Wl (克)；4)将厚双面铜箔板浸入除油缸中，再浸入微蚀缸后取出，记录浸入微蚀缸的时间记为t (分钟)；5)用水清洗后，于烘炉中90°C -100°C烘30分钟；6)在防潮瓶中冷却至室温，用分析天平称重W2(克)；7)计算蚀铜速率(微米 / 分钟)=10000* (W1-W2) / (8. 92*2*S*t)。在微蚀步骤结束以后，也需要进行一次二级水洗的过程，使得裸铜印制板能够顺利进入下一工序。(3)酸洗，将裸铜印制板放入酸液中进行酸洗；酸洗步骤是为了给下一步的成膜步骤打基础，利用酸液将裸铜印制板的表面彻底的清晰干净，并且在酸洗过后，还需要再进行去离子水洗的步骤，去离子水的PH值为 4. 0-7. 0 之间。(4)成膜，将裸铜印制板放入成膜液中进行成膜处理；在成膜步骤中，所采用的成膜液的PH值为3. 0-3. 2之间，并且裸铜印制板表面的成膜厚度为0. 2um-0. 5um，测量成膜厚度的方法为1)将经过成膜处理的裸铜印制板放置于烧杯中2)用移液管取15%的盐酸液，放入烧杯，轻摇烧杯，三分钟后将裸铜印制板拿出；3)用5%的盐酸校零，在751G分光光度计上，于269. Inm处测吸光度；4)再以第2)步骤准备的15%的盐酸液更换，读取在170nm处的吸光度A ；5)计算膜厚(微米)=0. 7*A。在成膜步骤中，需要特别控制PH值的稳定，PH值的变化对成膜速率的影响较大， PH值越高，成膜速率越大；PH值越低，则成膜速率越慢。控制成膜液温度的稳定也是必要的。因为成膜液变化对成膜速率的影响比较大， 温度越高，成膜速率越快。还有对成膜时间的控制。成膜时间越长，成膜厚度越大。根据实测的膜厚来确定成膜时间。在成膜步骤结束后，也要进行去离子水洗的步骤。(5)干燥，将进行完成膜处理的裸铜印制板进行干燥处理。干燥步骤对成膜的均勻性、厚度有很大影响，要求将不需要覆盖保护膜的部分上的成膜液完全吹尽，吹风的冷风易造成成膜液温度的下降，吹干的风太热易造成进料段的结晶。由此，对干燥步骤的控制调整十分重要。综上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用来限定本发明实施的范围，凡依本发明权利要求范围所 述的形状、构造、特征及精神所为的均等变化与修饰，均应包括于本发明的权利要求范围内。
权利要求
1.一种裸铜印制板的有机助焊保护膜制作工艺，其特征在于，包括以下步骤(1)除油，对裸铜印制板的表面进行除油；(2)微蚀，对裸铜印制板的表面进行微蚀处理；(3)酸洗，将裸铜印制板放入酸液中进行酸洗；(4)成膜，将裸铜印制板放入成膜液中进行成膜处理；(5)干燥，将进行完成膜处理的裸铜印制板进行干燥处理。
2.根据权利要求1所述一种裸铜印制板的有机助焊保护膜制作工艺，其特征在于，所述除油和微蚀步骤后都要进行二级水洗的步骤。
3.根据权利要求1所述一种裸铜印制板的有机助焊保护膜制作工艺，其特征在于，所述酸洗和成膜步骤后都要进行去离子水洗的步骤。
4.根据权利要求3所述一种裸铜印制板的有机助焊保护膜制作工艺，其特征在于，所述去离子水洗步骤中使用的去离子水的PH值为4. 0-7. 0之间。
5.根据权利要求1所述一种裸铜印制板的有机助焊保护膜制作工艺，其特征在于，所述成膜步骤中，成膜液的PH值为3. 0-3. 2之间。
6.根据权利要求1所述一种裸铜印制板的有机助焊保护膜制作工艺，其特征在于，所述除油步骤内还包括对除油效果的检验，检验的方法为对裸铜印制板进行水洗，裸铜印制板表面形成水膜并且超过15秒不破裂则为合格。
7.根据权利要求1所述一种裸铜印制板的有机助焊保护膜制作工艺，其特征在于，所述微蚀步骤中，微蚀厚度为1. Oum-1. 5um。
8.根据权利要求1所述一种裸铜印制板的有机助焊保护膜制作工艺，其特征在于，所述微蚀步骤中还包含微蚀速率的测定，微蚀速率的测定方法为1)取厚双面铜箔板，面积记为S(cm2)；2)放入烘炉中，在90°C-100°C烘30分钟；3)在防潮瓶内冷却至室温，用分析天平称重Wl(克)；4)将厚双面铜箔板浸入除油缸中，再浸入微蚀缸后取出，记录浸入微蚀缸的时间记为 t (分钟)；5)用水清洗后，于烘炉中90°C-100°C烘30分钟；6)在防潮瓶中冷却至室温，用分析天平称重W2(克)；7)计算蚀铜速率(微米/ 分钟)=10000*(Wl-W2)/(8. 92*2*S*t)。
9.根据权利要求1所述一种裸铜印制板的有机助焊保护膜制作工艺，其特征在于，所述成膜步骤中，裸铜印制板的成膜厚度为0. 2um-0. 5um。
10.根据权利要求8所述一种裸铜印制板的有机助焊保护膜制作工艺，其特征在于，所述成膜步骤中，测量成膜厚度的方法为1)将经过成膜处理的裸铜印制板放置于烧杯中2)用移液管取15%的盐酸液，放入烧杯，轻摇烧杯，三分钟后将裸铜印制板拿出；3)用5%的盐酸校零，在751G分光光度计上，于269.Inm处测吸光度；4)再以第(2)步骤准备的15%的盐酸液更换，读取在170nm处的吸光度A；5)计算膜厚(微米)=0·7*Α。
全文摘要
本发明涉及一种裸铜印制板的有机助焊保护膜制作工艺，包括以下步骤(1)除油，对裸铜印制板的表面进行除油；(2)微蚀，对裸铜印制板的表面进行微蚀处理；(3)酸洗，将裸铜印制板放入酸液中进行酸洗；(4)成膜，将裸铜印制板放入成膜液中进行成膜处理；(5)干燥，将进行完成膜处理的裸铜印制板进行干燥处理。本发明具有的有益效果比热平工艺生产的印制电路板具有更优良的平整度并且由于其处理温度为低温处理，避免了板材因受热而造成翘曲。减少了能源消耗，避免传统工艺的环境污染。
文档编号H05K3/28GK102256449SQ20111016455
公开日2011年11月23日 申请日期2011年6月17日 优先权日2011年6月17日
发明者巩新勇 申请人:山东三新电子有限公司