专利名称：一种用于防止硅液飞溅的保护装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及用于防止硅液飞溅的保护装置，特别是一种用用于大直径直拉硅单晶化料过程中硅料飞溅的防护。
背景技术：
在电子、光伏等行业领域中，硅晶体的应用已经成为发展的趋势。直拉(CZ)法是目前是单晶硅生长的主要方法，在生长大直径硅单晶过程中，随着投料量的增大，在化料过程中硅料塌料所产生的飞溅现象也越来越明显，微小的硅粒对晶体生长带来很大的不确定性。在拉制小直径硅单晶的过程中，由于热场较小，投料量较小，在化料的过程中塌料时硅料翻贱所造成的影响较小，基本不会对拉晶造成重大影响。但是在生长大直径硅单晶的时候，由于热场尺寸较大，在化料的过程中塌料时硅料翻贱所造成的影响较大，对晶体生长产生较大影响。公知的防溅硅方法是采用可升降的热屏机构，在化料的时候将热屏升起， 化料完后再将热屏放下，这在一定程度上提高了化料的功率，也增加了单晶炉和配套热场的复杂性。
实用新型内容本实用新型需要解决的技术问题是提供一种能够在硅液熔化时，防止硅液飞溅的保护装置。为解决上述技术问题，本实用新型所采取的技术方案是一种用于防止硅液飞溅的保护装置，其结构中包括其结构中包括由石英制成的防护罩和防护罩连接杆，所述的防护罩的罩体的内、外表面均为半球状，在罩体的外表面中心位置上固装有支撑板，支撑板通过连接销与防护罩连接杆进行配装。其中，所述的防护罩连接杆由杆体和连接头一体构成，在杆体的上端设有上连接孔，在连接头的端部开有卡槽，在卡槽两侧的连接头上开设有对应的下连接孔。由于采用了上述技术方案，本实用新型所取得的技术进步在于本实用新型采用石英罩作为防溅硅的护罩，可以有效的改善塌料时硅料翻贱所造成的影响，由于石英的反射率较高，可以有效反射热辐射，从而起到很好的保温效果，降低加热功率，保持化料时温度均勻。
图1是本实用新型的结构示意图；图2是本实用新型的防护罩连接杆结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型做进一步详细说明[0013]如图1和图2所示，本实用新型的一种用于防止硅液飞溅的保护装置由石英制成的防护罩1和防护罩连接杆2，所述的防护罩1的罩体的内、外表面均为半球状，在罩体的外表面中心位置上固装有支撑板3，支撑板3通过连接销4与防护罩连接杆2进行配装。其中，所述的防护罩连接杆2由杆体5和连接头6 —体构成，在杆体5的上端设有上连接孔8， 在连接头6的端部开有卡槽7，在卡槽7两侧的连接头6上开设有对应的下连接孔9。在多晶化料的过程中时，将单晶炉提升机构的钢丝绳与防护罩连接杆的上连接孔 8进行连接，缓慢下降到硅料上方，整个机构竖直对中，并与硅液面充分接触，一方面起到保温作用，另一方面在塌料溅硅的时候，防护罩可以有效的阻挡硅料的飞溅，从而提高拉晶过程的可靠性。
权利要求1.一种用于防止硅液飞溅的保护装置，其特征在于其结构中包括由石英制成的防护罩和防护罩连接杆，所述的防护罩的罩体的内、外表面均为半球状，在罩体的外表面中心位置上固装有支撑板，支撑板通过连接销与防护罩连接杆进行配装。
2.根据权利要求1所述的一种用于防止硅液飞溅的保护装置，其特征在于所述的防护罩连接杆由杆体和连接头一体构成，在杆体的上端设有上连接孔，在连接头的端部开有卡槽，在卡槽两侧的连接头上开设有对应的下连接孔。
专利摘要本实用新型应用于电子、光伏行业，涉及一种用于防止硅液飞溅的保护装置，其特征在于其结构中包括由石英制成的防护罩和防护罩连接杆，所述的防护罩的罩体的内、外表面均为半球状，在罩体的外表面中心位置上固装有支撑板，支撑板通过连接销与防护罩连接杆进行配装。本实用新型采用石英罩作为防溅硅的护罩，可以有效的改善塌料时硅料翻贱所造成的影响，由于石英的反射率较高，可以有效反射热辐射，从而起到很好的保温效果，降低加热功率，保持化料时温度均匀。
文档编号C30B29/06GK202214446SQ201120315048
公开日2012年5月9日 申请日期2011年8月26日 优先权日2011年8月26日
发明者张卫中, 李宁, 李雷, 楚信博, 王汉召, 金莹 申请人:河北宇晶电子科技有限公司