专利名称：一种用于弧放电高密度等离子体发生装置的阴极电极的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种用于弧放电高密度等离子体发生装置的阴极电极。
背景技术：
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是制备晶硅和薄膜太阳能电池的关键设备。按等离子体源与样品的关系可将PECVD技术分为直接和间接技术。多级直流弧放电等离子体PECVD技术是间接PECVD技术一种，这种沉积装置中等离子体源和沉积腔室间的压力相差很大，达到亚大气压，在这种等离子体源中氩气气体的离化率可达10%，NH3分解率可达100%。这样阳极喷嘴喷出的等离子体喷射扩展到沉积腔室时会有大量活性的离子或中性原子存在，而且低压的沉积腔室可以有效的避免不同活性粒子之间的复合。由于实现了样品和等离子体源的分离，可以降低等离子体中离子对薄膜的溅射和损伤，实现高速的沉积率，达到20nm/s (普通的射频等离子体源沉积速率是30nm/min)。PECVD设备中最关键、最 核心的部件是等离子体源(即等离子体发生装置)，它直接决定了太阳能电池的产能、自动化程度以及电池的有效使用面积。多级直流弧放电等离子体源中阴极是关键部件之一，它直接关系到等离子体特性。目前多级直流弧放电等离子体发生装置所采用的阴极主要存在如下问题一是由于氩气和氢气是从放电腔室的导入口直接进入放电腔室，未经过阴极，因此阴极的冷却效果较差，降低了阴极的使用寿命；二是阴极的安装与维护不方便，阴极不能连续使用，从而不能有效的利用阴极电极材料而降低使用成本。
发明内容本实用新型的目的在于提供一种使用寿命长、安装维修简便的用于弧放电高密度等离子体发生装置的阴极电极。为达到上述目的，本实用新型采用的解决方案是该阴极电极包括阴极、阴极本体、密封罩和绝缘隔套，密封罩通过螺帽和0型密封圈安装于阴极本体的上部，绝缘隔套套装于阴极本体的下部，阴极通过紧定螺钉固定于阴极本体的中心孔内，其上端穿出阴极本体位于密封罩内，阴极本体上设有逆变直流电源的接头和氩气、氢气的导入口。本实用新型具有如下效果(I)由于在阴极本体上设有氩气、氢气的导入口，使得氩气和氢气沿阴极进入放电腔室的过程中可对阴极进行冷却，从而可提高阴极的使用寿命；(2)由于阴极采用紧定螺钉固定于阴极本体上，因而可方便阴极的安装与维护，使得阴极在调节后可连续使用，有利于阴极材料的利用和降低使用成本。
附图为本实用新型的剖视图。图中1-密封罩2-阴极3-紧定螺钉4-0型密封圈5-螺帽6_绝缘隔套7_放电腔室8-阴极本体801-逆变直流电源的接头802-氩气、氢气的导入口具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，
以下结合附图及实施例，对本实用新型作进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。如附图所示，本实用新型由密封罩I、阴极2、紧定螺钉3、0型密封圈4、螺帽5、绝缘隔套6、阴极本体8和阴极本体8组成，密封罩I采用螺帽5固定于阴极本体8的上部，并通过0型密封圈密封。绝缘隔套6套装于阴极本体8的下部，其与阴极本体8之间为密封连接，它的作用在于使阴极2和放电腔室7绝缘隔离。阴极2通过紧定螺钉3固定于阴极本体8的中心孔内，其上端穿出阴极本体8位于密封罩I内，下端穿出阴极本体8位于放电腔室7内，阴极本体8上设有逆变直流电源的接头801和氩气、氢气的导入口 802。
阴极2的材料可选用钨或钥以及它们的合金，绝缘隔套6的材料可选用陶瓷或聚四氟乙烯。
权利要求1.一种用于弧放电高密度等离子体发生装置的阴极电极，包括阴极(2)，其特征在于还包括阴极本体(8)、密封罩(I)和绝缘隔套￠)，密封罩(I)通过螺帽(5)和O型密封圈(4)安装于阴极本体(8)的上部，绝缘隔套(6)套装于阴极本体(8)的下部，阴极(2)通过紧定螺钉(3)固定于阴极本体(8)的中心孔内，其上端穿出阴极本体(8)位于密封罩(I)内，阴极本体(8)上设有逆变直流电源的接头(801)和氩气、氢气的导入口(802)。
专利摘要本实用新型公开了一种用于弧放电高密度等离子体发生装置的阴极电极，包括阴极(2)、阴极本体(8)、密封罩(1)和绝缘隔套(6)，密封罩(1)通过螺帽(5)和O型密封圈(4)安装于阴极本体(8)的上部，绝缘隔套(6)套装于阴极本体(8)的下部，阴极(2)通过紧定螺钉(3)固定于阴极本体(8)的中心孔内，其上端穿出阴极本体(8)位于密封罩(1)内，阴极本体(8)上设有逆变直流电源的接头(801)和氩气、氢气的导入口(802)。本实用新型使用寿命长、安装维修简便。
文档编号H05H1/34GK202465872SQ201120574359
公开日2012年10月3日 申请日期2011年12月31日 优先权日2011年12月31日
发明者陈波 申请人:成都科尚科技有限公司