专利名称：限制次级输出电流电路及装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种限制电流电路及其装置，尤其涉及一种限制次级输出电流电路及
>J-U装直。
背景技术：
LED是一种能够将电能转化为可见光的半导体，它改变了白炽灯钨丝发光与节能灯三基色粉发光的原理，而采用电场发光。LED相对于传统的照明灯具，具有寿命长、光效高、无辐射与低功耗等优点，因而受到了越来越广泛的应用。 现有的LED驱动电路如图I所示，初级线圈绕组T上连有一半导体三极管Q1，当半 导体三极管Ql导通时，半导体三极管Ql的发射极上会产生电流，则在R7上会产生电压，R7上的电压即为另一半导体三极管Q2的基极电压，当R7上的电压高于半导体三极管Q2的基极导通电压时，半导体三极管Q2导通，半导体三极管Q2导通后，半导体三极管Ql基极电压被拉低，低于导通电压时，半导体三极管Ql关断，关断后初级线圈绕组T电压变小，进而输出电流减小，从上述过程可知输出的电流控制是通过半导体三极管Q2的基极压降来做电流检测基准，而由于本电路中R7的基准点电压不变，因此当输入电压过高时，整个输入功率会增加，导致输出电压过高或者输出电流过大，会损害负载。在空载时，由于电路此时为开环状态，输出电压很高，输入功率较大，导致产品在空载时损耗较大。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种当输入电压过高时能限制输出电压和电流的限制次级输出电流电路及装置。为了达到上述目的，本发明提出一种限制次级输出电流电路，包括初级线圈绕组、次级线圈绕组和控制电路，所述控制电路的输出端与所述初级线圈绕组相连，还包括辅助线圈绕组、采压电路及反馈电路，所述辅助线圈绕组与所述次级线圈绕组并联，所述采压电路连接在所述辅助线圈绕组和反馈电路之间，所述反馈电路还与所述控制电路的输入端连接。优选地，所述采压电路包括整流二极管D5、滤波电容、稳压管和电阻R11，所述整流二极管D5的正极与所述辅助线圈绕组一端连接，所述整流二极管D5的负极经过所述滤波电容与所述辅助线圈绕组另一端相连后接地，所述整流二极管D5的负极还连接所述稳压管的负极，所述稳压管的正极经所述电阻Rll接地。优选地，所述控制电路包括半导体三极管Ql和半导体三极管Q2 ;所述半导体三极管Ql的集电极与所述初级线圈绕组相连，所述半导体三极管Ql的基极与所述半导体三极管Q2的集电极相连，所述半导体三极管Ql的发射极经电阻R7接地，所述半导体三极管Q2的发射极接地。优选地，所述反馈电路包括电阻R9和整流二极管D2，所述电阻R9 —端连接在所述稳压管与所述电阻Rll之间，所述电阻R9另一端连接所述半导体三极管Q2的基极，所述整流二极管D2的负极连接所述半导体三极管Q2的基极，所述整流二极管D2的正极连接所述半导体三极管Ql的发射极。本发明还提出一种装置，包括限制次级输出电流电路；所述限制次级输出电流电路包括初级线圈绕组、次级线圈绕组和控制电路，所述控制电路的输出端与所述初级线圈绕组相连，其特征在于，所述限制次级输出电流电路还包括辅助线圈绕组、采压电路及反馈电路，所述辅助线圈绕组与所述次级线圈绕组并联，所述采压电路连接在所述辅助线圈绕组和反馈电路之间，所述反馈电路还与所述控制电路的输入端连接。优选地，所述采压电路包括整流二极管D5、滤波电容、稳压管和电阻R11，所述整流二极管D5的正极与所述辅助线圈绕组一端连接，所述整流二极管D5的负极经过所述滤波电容与所述辅助线圈绕组另一端相连后接地，所述整流二极管D5的负极还连接所述稳压管的负极，所述稳压管的正极经所述电阻Rll接地。
优选地，所述控制电路包括半导体三极管Ql和半导体三极管Q2 ;所述半导体三极管Ql的集电极与所述初级线圈绕组相连，所述半导体三极管Ql的基极与所述半导体三极管Q2的集电极相连，所述半导体三极管Ql的发射极经电阻R7接地，所述半导体三极管Q2的发射极接地。优选地，所述反馈电路包括电阻R9和整流二极管D2，所述电阻R9—端连接在所述稳压管与所述电阻Rll之间，所述电阻R9另一端连接所述半导体三极管Q2的基极，所述整流二极管D2的负极连接所述半导体三极管Q2的基极，所述整流二极管D2的正极连接所述半导体三极管Ql的发射极本发明提出的一种限制次级输出电流电路及装置，通过采压电路采集部分输出电压，采压电路采集的电压经过反馈电路作用在控制电路上，当采集电压超过一定值时，控制电路减小初级线圈绕组上的初级绕组电压，从而限制最大输出电压和电流，同时限制了空载电压。
图I是现有的LED驱动电路图；图2是本发明较佳实施例的限制次级输出电流电路图；为了使本发明的技术方案更加清楚、明了，下面将结合附图作进一步详述。
具体实施例方式参照图1，常规的LED驱动电路包括初级线圈绕组T、次级线圈绕组和控制电路I，控制电路I包括半导体三极管Ql和半导体三极管Q2 ；;控制电路I的输出端半导体三极管Ql的集电极与初级线圈绕组T相连，半导体三极管Ql的基极与半导体三极管Q2的集电极相连，半导体三极管Ql的发射极经电阻R7接地，半导体三极管Q2的发射极接地。当半导体三极管Ql导通时，半导体三极管Ql的发射极上会产生电流，则在R7上会产生电压，R7上的电压即为半导体三极管Q2的基极电压，当R7上的电压高于半导体三极管Q2的基极导通电压时，半导体三极管Q2导通，半导体三极管Q2导通后，半导体三极管Ql基极电压被拉低，低于导通电压时，半导体三极管Ql关断，关断后初级绕组电压变小，进而输出电流减小，从上述过程可知输出的电流控制是通过半导体三极管Q2的基极压降来做电流检测基准，而由于本电路中R7的基准点电压不变，因此当输入电压过高时，整个输入功率会增加，导致输出电压过高或者输出电流过大，会损害负载。在空载时，由于电路此时为开环状态，输出电压很高，输入功率较大，导致产品在空载时损耗较大。本发明为了克服现有技术中的缺陷，对图I进行了改进，如图2所示，图2是本发明较佳实施例的限制次级输出电流电路图。如图2所示，本实施例提出一种限制次级输出电流电路，包括初级线圈绕组T、次级线圈绕组NI和控制电路I，控制电路I包括半导体三极管Ql和半导体三极管Q2，半导体三极管Ql的基极和半导体三极管Q2的集电极相连，控制电路I的输出端为半导体三极管Ql的集电极，控制电路I的输入端为半导体三极管Q2的基极，控制电路I的输出端与初级线圈绕组T相连，半导体三极管Ql的发射极经电阻R7接地，半导体三极管Q2的发射极接地；本实施例中限制次级输出电流电路还包括辅助线圈绕组N2、采压电路2及反馈电路3，辅助线圈绕组N2与次级线圈绕组NI并联，采压电路2连接在辅助线圈绕组N2和反馈电路3之间，反馈电路3还与控制电路I的输入端连接。 具体的，本实施例中采压电路2包括整流二极管D5、滤波电容C6、稳压管ZD和电阻R11，整流二极管D5的正极与辅助线圈绕组N2 —端连接，整流二极管的D5负极经过滤波电容C6与辅助线圈绕组N2另一端相连后接地，整流二极管D5的负极还连接稳压管ZD的负极，稳压管ZD的正极经电阻Rll接地。本实施例中反馈电路3包括电阻R9和整流二极管D2，电阻R9 —端连接在稳压管ZD与电阻Rll之间，电阻R9另一端连接半导体三极管Q2的基极，整流二极管D2的负极连接半导体三极管Q2的基极，整流二极管D2的正极连接半导体三极管Ql的发射极。本实施例中，当输入电压升高时，辅助线圈绕组N2电压也升高，辅助线圈绕组N2的高频交流信号经过整流二极管D5和滤波电容C6的半波整流作用后，信号被整流成更为方便检测的直流电压信号，随着辅助线圈绕组N2电压的升高，此直流电压也升高，由于稳压管ZD两端电压不变，因此Rl I上电压即FB点电压升高，FB点电压也是采压电路2传送给反馈电路3的采样电压，FB点电压通过反馈电路3的电阻R9传送到控制电路I的输入端，控制电路I的输入端为半导体三极管Q2的基极，反馈电路3还包括整流二极管D2，此整流二极管D2能把FB点信号和初级线圈绕组T的电流信号做电隔离，防止FB点信号传送到R7上，从而扰乱控制电路I ;随着FB点电压升高，半导体三极管Q2的基极电压也升高，当半导体三极管Q2的基极电压高于其导通电压时，半导体三极管Q2导通，半导体三极管Q2导通后，由于半导体三极管Q2集电极与半导体三极管Ql基极相连，半导体三极管Ql基极电压被拉低，当半导体三极管Ql基极电压低于其导通电压时，半导体三极管Ql关断，关断后初级线圈绕组T的电压变小，从而使输出电压减小，此时的输出电压即为次级线圈绕组的最大输出电压，从而达到限制次级输出电压的作用。进一步的，由于变压器的特性，线圈的电压比等于圈数比，当辅助线圈绕组N2的最大输出电压固定时，相应的，负载线圈绕组N3的最大输出电压也可固定，因此可以根据调节N2和N3的圈数比来获得所需的负载线圈绕组N3的最大输出电压，当负载线圈绕组N3上的负载固定的情况下，可以根据最大输出电压限制最大输出电流。另外，通过调节采压电路2上稳压二极管ZD的大小，可以调节采样电压的大小，从而调节辅助线圈绕组N2的最大输出电压，因此，也可以通过调节稳压二极管ZD的大小来调节所需的负载线圈绕组N3的最大输出电压大小。此外，本发明还提出一种限制次级输出电流装置，该装置可以采用上述实施例中的限制次级输出电流电路，其电路结构请参照上述实施例，在此不再赘述。本发明提出的一种限制次级输出电流电路及装置，通过采压电路2采集部分输出电压，采压电路2采集的电压经过反馈电路3作用在控制电路I上，当采集电压超过一定值 时，控制电路I减小初级线圈绕组T上的初级绕组电压，从而限制最大输出电压和电流。以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
权利要求
1.一种限制次级输出电流电路，包括初级线圈绕组、次级线圈绕组和控制电路，所述控制电路的输出端与所述初级线圈绕组相连，其特征在于，还包括辅助线圈绕组、采压电路及反馈电路，所述辅助线圈绕组与所述次级线圈绕组并联，所述采压电路连接在所述辅助线圈绕组和反馈电路之间，所述反馈电路还与所述控制电路的输入端连接。
2.根据权利要求I所述的限制次级输出电流电路，其特征在于，所述采压电路包括整流二极管D5、滤波电容、稳压管和电阻R11，所述整流二极管D5的正极与所述辅助线圈绕组一端连接，所述整流二极管D5的负极经过所述滤波电容与所述辅助线圈绕组另一端相连后接地，所述整流二极管D5的负极还连接所述稳压管的负极，所述稳压管的正极经所述电阻Rll接地。
3.根据权利要求I或2所述的限制次级输出电流电路，其特征在于，所述控制电路包括半导体三极管Ql和半导体三极管Q2 ;所述半导体三极管Ql的集电极与所述初级线圈绕组相连，所述半导体三极管Ql的基极与所述半导体三极管Q2的集电极相连，所述半导体三极管Ql的发射极经电阻R7接地，所述半导体三极管Q2的发射极接地。
4.根据权利要求3所述的限制次级输出电流电路，其特征在于，所述反馈电路包括电阻R9和整流二极管D2，所述电阻R9 —端连接在所述稳压管与所述电阻Rll之间，所述电阻R9另一端连接所述半导体三极管Q2的基极，所述整流二极管D2的负极连接所述半导体三极管Q2的基极，所述整流二极管D2的正极连接所述半导体三极管Ql的发射极。
5.一种限制次级输出电流装置，包括限制次级输出电流电路；所述限制次级输出电流电路包括初级线圈绕组、次级线圈绕组和控制电路，所述控制电路的输出端与所述初级线圈绕组相连，其特征在于，所述限制次级输出电流电路还包括辅助线圈绕组、采压电路及反馈电路，所述辅助线圈绕组与所述次级线圈绕组并联，所述采压电路连接在所述辅助线圈绕组和反馈电路之间，所述反馈电路还与所述控制电路的输入端连接。
6.根据权利要求5所述的限制次级输出电流装置，其特征在于，所述采压电路包括整流二极管D5、滤波电容、稳压管和电阻R11，所述整流二极管D5的正极与所述辅助线圈绕组一端连接，所述整流二极管D5的负极经过所述滤波电容与所述辅助线圈绕组另一端相连后接地，所述整流二极管D5的负极还连接所述稳压管的负极，所述稳压管的正极经所述电阻Rll接地。
7.根据权利要求5或6所述的限制次级输出电流装置，其特征在于，所述控制电路包括半导体三极管Ql和半导体三极管Q2 ;所述半导体三极管Ql的集电极与所述初级线圈绕组相连，所述半导体三极管Ql的基极与所述半导体三极管Q2的集电极相连，所述半导体三极管Ql的发射极经电阻R7接地，所述半导体三极管Q2的发射极接地。
8.根据权利要求7所述的限制次级输出电流装置，其特征在于，所述反馈电路包括电阻R9和整流二极管D2，所述电阻R9 —端连接在所述稳压管与所述电阻Rll之间，所述电阻R9另一端连接所述半导体三极管Q2的基极，所述整流二极管D2的负极连接所述半导体三极管Q2的基极，所述整流二极管D2的正极连接所述半导体三极管Ql的发射极。
全文摘要
本发明提出一种限制次级输出电流电路及装置，该限制次级输出电流电路包括初级线圈绕组、次级线圈绕组和控制电路，所述控制电路的输出端与所述初级线圈绕组相连，还包括辅助线圈绕组、采压电路及反馈电路，所述辅助线圈绕组与所述次级线圈绕组并联，所述采压电路连接在所述辅助线圈绕组和反馈电路之间，所述反馈电路还与所述控制电路的输入端连接。本发明提出的一种限制次级输出电流电路及装置，通过采压电路采集部分输出电压，采压电路采集的电压经过反馈电路作用在控制电路上，当采集电压超过一定值时，控制电路减小初级线圈绕组上的初级绕组电压，从而限制最大输出电压和电流。
文档编号H05B37/02GK102970797SQ201210460558
公开日2013年3月13日 申请日期2012年11月15日 优先权日2012年11月15日
发明者黄冬青, 杨淼荣, 罗运林 申请人:深圳和而泰照明科技有限公司