专利名称：密封性能好的换能器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种超声多普勒流速仪，特别是涉及一种密封性能好的换能器。
背景技术：
换能器是将电信号转换成声波，反之也可将声波转换成电信号的器件。由于用途的不同，换能器的构成、外形、电参数也不尽相同。习用的换能器由于结构设计的不甚合理，密封性较差。
实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种密封性能好的换能器。为实现上述目的，本实用新型的技术解决方案是本实用新型是一种密封性能好的换能器，它包括绝缘座、晶片、高频屏蔽线；所述的绝缘座具有一内腔，在内腔的上部设有一个挡沿；所述的晶片安装在绝缘座内腔的挡沿上，在晶片的外壁上包裹一层环氧覆盖层；所述的高频屏蔽线一端连接在晶片底部的两极上，高频屏蔽线另一端穿过绝缘座内腔下部延伸到绝缘座外，在高频屏蔽线与绝缘座内腔壁之间填满填充料。本实用新型还包括一外壳，该外壳具有阶梯形外壁和阶梯形内腔，在外壁的阶梯面上设有用于安装密封圈的环形凹槽；所述的装有晶片的绝缘座安装在外壳阶梯形内腔的大孔内，在高频屏蔽线与外壳阶梯形内腔小孔壁之间填满填充料。所述的外壳的小阶梯柱外壁上开设螺纹。采用上述方案后，由于本实用新型在晶片的外壁上覆盖一层环氧覆盖层，在高频屏蔽线输出通道上填满绝缘性能好的填充料，使得晶片处于一个完全封闭的绝缘座内，密封性能好。
以下结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步的说明。
图1是本实用新型的剖视图；图2是本实用新型绝缘座与晶片的剖视图；图3是本实用新型外壳的剖视图。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型是一种密封性能好的换能器，它包括外壳1、绝缘座2、晶片3、高频屏蔽线4。如图2所示，所述的绝缘座2具有一内腔，在内腔的上部设有一个挡沿21。所述的晶片3安装在绝缘座2内腔的挡沿21上，在晶片3的外壁上包裹一层表面有厚度O. 2mm环氧覆盖层5，保护晶片表面银层。所述的高频屏蔽线4 一端连接在晶片3底部的两极上，高频屏蔽线4另一端穿过绝缘座2内腔下部延伸到绝缘座2外,在高频屏蔽线4与绝缘座2内腔壁之间填满填充料。如图1并参考图3所示，所述的外壳I具有阶梯形外壁和阶梯形内腔，在外壁的阶梯面上设有用于安装密封圈的环形凹槽11，外壳I的小阶梯柱外壁上开设螺纹12。所述的装有晶片3的绝缘座2安装在外壳I阶梯形内腔的大孔13内，在高频屏蔽线4与外壳I阶梯形内腔小孔14壁之间填满填充料。本实用新型材料选择(I)所述的外壳I由不锈钢或工程塑料加工而成，主要功能是起保护和固定作用。(2)晶片3采用PZT压电陶瓷晶片，设计谐振频率fo约为5MHz。本换能器必须配接匹配电路、发射(或接收)电路方能正常使用，可以做为发射声波、接收声波使用。(3)所述的填充料可采用环氧树脂等材料，起填充、水密、修正电参数等作用。本实用新型的装配方法将装有晶片3的绝缘座2放入外壳I中，高频屏蔽线4从外壳I中穿出，接触面用环氧树脂密封连接，构成一完整的换能器独立部件，可直接安装于流速仪的探头上。本实用新型的重点就在于装有晶片的绝缘座作为一个独立部件设计。以上所述，仅为本实用新型较佳实施例而已，故不能以此限定本实用新型实施的范围，即依本实用新型申请专利范围及说明书内容所作的等效变化与修饰，皆应仍属本实用新型专利涵盖的范围内。
权利要求1.一种密封性能好的换能器，其特征在于:它包括绝缘座、晶片、高频屏蔽线；所述的绝缘座具有一内腔，在内腔的上部设有一个挡沿；所述的晶片安装在绝缘座内腔的挡沿上，在晶片的外壁上包裹一层环氧覆盖层；所述的高频屏蔽线一端连接在晶片底部的两极上，高频屏蔽线另一端穿过绝缘座内腔下部延伸到绝缘座外，在高频屏蔽线与绝缘座内腔壁之间填满填充料。
2.根据权利要求1所述的密封性能好的换能器，其特征在于:它还包括一外壳，该外壳具有阶梯形外壁和阶梯形内腔，在外壁的阶梯面上设有用于安装密封圈的环形凹槽；所述的装有晶片的绝缘座安装在外壳阶梯形内腔的大孔内，在高频屏蔽线与外壳阶梯形内腔小孔壁之间填满填充料。
3.根据权利要求2所述的密封性能好的换能器，其特征在于:所述的外壳的小阶梯柱外壁上开设螺 纹。
专利摘要本实用新型公开了一种密封性能好的换能器，它包括绝缘座、晶片、高频屏蔽线；所述的绝缘座具有一内腔，在内腔的上部设有一个挡沿；所述的晶片安装在绝缘座内腔的挡沿上，在晶片的外壁上包裹一层环氧覆盖层；所述的高频屏蔽线一端连接在晶片底部的两极上，高频屏蔽线另一端穿过绝缘座内腔下部延伸到绝缘座外，在高频屏蔽线与绝缘座内腔壁之间填满填充料。由于本实用新型在晶片的外壁上覆盖一层环氧覆盖层，在高频屏蔽线输出通道上填满绝缘性能好的填充料，使得晶片处于一个完全封闭的绝缘座内，密封性能好。
文档编号B06B1/06GK202909925SQ20122043338
公开日2013年5月1日 申请日期2012年8月29日 优先权日2012年8月29日
发明者夏文军 申请人:厦门博意达科技有限公司