多规格混用的发光二极管芯片驱动方法
【专利摘要】本发明公开了一种多规格混用的发光二极管芯片驱动方法，包含有下列步骤：A、预设多个不同的预设电流值；B、提供一发光二极管芯片；C、选取步骤A中预设的其中一该预设电流值，且所选取的该预设电流值符合该发光二极管芯片的额定电流；D、供输步骤C中所选取的该预设电流值的电能予该发光二极管晶片。藉此，该驱动方法可适用于驱动多种不同规格的发光二极管芯片。
【专利说明】多规格混用的发光二极管芯片驱动方法
【技术领域】
[0001]本发明是与发光二极管驱动有关，更详而言之是指一种多规格混用的发光二极管芯片驱动方法。
【背景技术】
[0002]发光二极管照明装置包含有一发光二极管芯片与一驱动装置，该驱动装置用以提供该发光二极管芯片所需的电能。目前市面上的发光二极管芯片规格琳琅满目，举例而言，以下五种不同规格的发光二极管芯片，45V/500mA、38V/700mA、34V/900mA、20V/1500mA、14V/1400mA，所需的额定电压及额定电流皆不同，为了驱动如此多种规格组合的发光二极管芯片，目前的方式是针对每一种规格的发光二极管芯片开发一种驱动装置。然而，对于发光二极管照明装置制造商而言，开发的驱动装置种类增多不但增加驱动装置库存的压力，而且无法以量制价，导致制造成本居高不下。若能开发适用于多规格的发光二极管芯片的驱动方法，当可降低发光二极管芯片的驱动装置库存的压力，并且有效降低制造成本。
【发明内容】
[0003]有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种多规格混用的发光二极管芯片驱动方法，可应用于驱动多种不同规格的发光二极管芯片。
[0004]为达成上述目的，本发明所提供的多规格混用的发光二极管芯片驱动方法，包含有下列步骤:
[0005]A、预设多个不同的预设电流值；
[0006]B、提供一发光二极管芯片；
[0007]C、选取步骤A中预设的其中一该预设电流值，且所选取的该预设电流值符合该发光二极管芯片的额定电流；以及
[0008]D、供输步骤C中所选取的该预设电流值的电能予该发光二极管芯片。
[0009]藉此，透过该多规格混用的发光二极管芯片驱动方法，可适用于驱动多种不同规格的发光二极管芯片，有效改善常用的驱动装置只能适用单一种规格的发光二极管芯片的不便。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1为本发明第一较佳实施例所应用的驱动装置方块图；
[0011]图2为本发明第一较佳实施例的流程图；
[0012]图3为第一较佳实施例的驱动装置的输出特性图；
[0013]图4为本发明第二较佳实施例的流程图；以及
[0014]图5为第二较佳实施例的驱动装置的输出特性图。
[0015]【符号说明】
[0016]I驱动装置
[0017]10驱动单元
[0018]20电压侦测单元
[0019]30运算单元
[0020]40控制单元
[0021]50 电源
[0022]60发光二极管芯片
【具体实施方式】
[0023]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
[0024]为能更清楚地说明本发明，兹举下列实施例并配合图示详细说明如后。图1所示者为应用本发明第一较佳实施例发光二极管芯片驱动方法的驱动装置1，包含有一驱动单元10、一电压侦测单元20、一运算单元30与一控制单元40。
[0025]该驱动单元10电性连接一电源50与一发光二极管芯片60，用以接收该电源50的电能并输出一驱动电压与一驱动电流予该发光二极管芯片60。该驱动单元10可受控制地改变该驱动电压的电压值与该驱动电流的电流值。在实务上，该驱动单元10可为采用PWM、半桥式、Buck、Boost等型式的电路为基础进行设计。
[0026]该电压侦测单元20电性连接该驱动单元10，用以侦测该驱动单元10供输予该发光二极管芯片60的驱动电压的电压值。该运算单元30电性连接该电压侦测单元20，且该运算单元30透过该控制单元40电性连接该驱动单元10。在本实施例中，该运算单元30具有一存储器。
[0027]藉此，利用前述的驱动装置I可进行本实施例的发光二极管芯片驱动方法。以下是以该驱动装置I个别供五种不同规格的发光二极管芯片60使用为例进行说明，该五种发光二极管芯片60所需的额定电压及额定电流分别为:45V/500mA、38V/700mA、34V/900mA、20V/1500mA、14V/1400mA。
[0028]在进行该发光二极管芯片驱动方法之前，先测量前述的每一发光二极管芯片60操作于一参考电流值时所对应的电压值，其中该参考电流值是小于这些发光二极管芯片60的额定电流，该参考电流值为定电流。兹定义发光二极管芯片60操作于该参考电流值时所对应的电压值为一默认电压值，该五种不同的发光二极管芯片60即分对应不同的默认电压值。
[0029]该发光二极管芯片驱动方法包含有图2所示的下列步骤:
[0030]A、在该运算单元30的存储器中预先建立一数据库，该数据库具有这些发光二极管芯片60的默认电压值与电流参数，每一该默认电压值是对应一该电流参数。其中，该运算单元30是利用一该电流参数控制该控制单元40输出一相对应的电流控制信号至该驱动单元10，以使该驱动单元10所输出的驱动电流的电流值维持于一特定的预设电流值。藉此，即可在该驱动装置I中默认的多个不同的预设电流值，且每一该预设电流值对应一该默认电压值。这些默认电流值是符合该发光二极管芯片60的额定电流。
[0031]B、提供符合前述五种规格的任一发光二极管芯片60，并连接到该驱动单元10。
[0032]C、选取该数据库中的其中一该预设电流值，且所选取的该预设电流值符合步骤B中所提供的发光二极管芯片60的额定电流。在本实施例中，该运算单元30透过该控制单元40发送电流控制信号控制该驱动单元10使该驱动单元10输出予该发光二极管芯片60的驱动电流的电流值为该参考电流值，同时该运算单元30透过该电压侦测单元20侦测该驱动电压的电压值。接着，将所测得的电压值与数据库中的这些默认电压值做比对，并撷取与所测得的电压值相符合的一该默认电压值所对应的电流参数，藉以选取相对应的预设电流值。
[0033]D、该运算单元30利用步骤C中撷取的该电流参数控制该控制单元40输出对应的电流控制信号至该驱动单元10，使该驱动电流的电流值维持于对应的预设电流值，藉此，可提供该发光二极管芯片60所需的额定电流。而该驱动单元10依据所连接的发光二极管芯片60属性自动调整输出的驱动电压的电压值，以供予符合所连接的该发光二极管芯片60规格的电能。请配合图3所示，该驱动装置I对于该五种发光二极管芯片60中的任一者皆能提供符合规格的驱动电流及驱动电压。
[0034]透过上述的驱动方法，该驱动装置I连接规格相符的发光二极管芯片60时，即可自动侦测所连接的发光二极管芯片60的额定电流，并供给所需的电能，达到多规格的发光二极管芯片60混用的效果。
[0035]在上述实施例中，预设的每一该预设电流值是与一该默认电压值相对应，为了再增加该驱动装置I可适用的发光二极管芯片的种类，在本发明的第二较佳实施例中，亦可设计成每一该预设电流值与一默认电压区段相对应。
[0036]图4所示者为本发明第二较佳实施例的发光二极管芯片驱动方法的流程图，其具有与上述实施例大致相同的步骤，不同的是:
[0037]在步骤A中，该数据库中预先建立有多个默认电压区段与电流参数，每一该默认电压区段是对应一该电流参数。藉此，该驱动装置I即默认有多个不同的预设电流值，且每一该预设电流值对应一该默认电压区段。
[0038]在步骤C中，控制该驱动单元10输出予该发光二极管芯片60的驱动电流的电流值为该参考电流值，同时侦测该驱动电压的电压值，当所测得的电压值介于所对应的默认电压区段内时，则撷取该数据库中该默认电压区段对应的电流参数，藉以取得相对应的预设电流值。
[0039]接着，再控制该驱动单元10，使该驱动电流的电流值维持于对应的预设电流值，以提供该发光二极管芯片60所需的额定电流，而该驱动单元10依据所连接的发光二极管芯片60属性自动调整输出的驱动电压的电压值，以供予符合所连接的该发光二极管芯片60规格的电能。
[0040]在本实施例中，该驱动装置I的输出曲线如图5所示，除了适用上述第一实施例的五种规格的发光二极管芯片60之外,只要发光二极管芯片60的额定电流符合图5所不的五个电流值，且额定电压介于对应的电压区段内，皆能适用该驱动装置，使得该驱动装置I可适用于驱动更多种不同的发光二极管芯片60。
[0041]此外，在本实施例中，该数据库的其中一该预设电压区段包含零伏特，换言之，当步骤C中测得的驱动电压的电压值为零伏特时，亦对应有一预设电流值，藉此，当所连接的发光二极管芯片60短路时，可有效地限制该驱动电流的电流值，避免该驱动电流的电流值过大而造成驱动单元10损坏。
[0042]在一实施例中，在步骤D中更包含有，该运算单元30在该电压侦测单元20所侦测的电压值大于一上限电压值时，该控制单元40发送一电压限制信号至该驱动单元10以限制供输至该发光二极管芯片60的驱动电压的电压值维持于该上限电压值。藉此，可避免该驱动单元10输出的该驱动电压过大，造成该发光二极管芯片60或该驱动单元10损坏。
[0043]在上述第一与第二较佳实施例中，步骤A中该数据库的默认电压值、电流参数及默认电压区段是储存于运算单元30的存储器中，在实务上，该运算单元30亦可采用比较器电路，在步骤C中，以比较器电路判断测得的驱动电压的电压值所对应的默认电压值或默认电压区段，比较器电路再输出相对应的电压值到控制单元；控制单元依据电压值的大小产生相对应的电流控制信号至该驱动单元10，藉以取得对应的预设电流值。
[0044]透过本发明多规格混用的发光二极管芯片驱动方法，可让驱动装置适用于驱动多种规格的发光二极管芯片，不限于单一额定电压及额定电流的发光二极管芯片。有效改善常用的驱动装置只能用于一种规格的发光二极管芯片的不便。
[0045]以上所述仅为本发明较佳可行的实施例而已，并非本发明的所有可实施态样。举凡应用本发明说明书及权利要求范围所为的等效方法的变化，理应包含在本发明的保护范围内。
【权利要求】
1.一种多规格混用的发光二极管芯片驱动方法，包含有下列步骤: A、预设多个不同的预设电流值； B、提供一发光二极管芯片； C、选取步骤A中预设的其中一该预设电流值，且所选取的该预设电流值符合该发光二极管芯片的额定电流；以及 D、供输步骤C中所选取的该预设电流值的电能予该发光二极管芯片。
2.根据权利要求1所述的多规格混用的发光二极管芯片驱动方法，其中在步骤A中，每一该预设电流值对应一默认电压值；在步骤C中，是供输一定电流予该发光二极管芯片，同时侦测供输至该发光二极管芯片的电压值，并依据所测得的电压值选取与其相符合的一该默认电压值所对应的该预设电流值。
3.根据权利要求1所述的多规格混用的发光二极管芯片驱动方法，其中在步骤A中，每一该预设电流值对应一默认电压区段；在步骤C中，是供输一定电流予该发光二极管芯片，同时侦测供输至该发光二极管芯片的电压值，并依据所测得的电压值选取与其相符合的一该默认电压区段所对应的该预设电流值。
4.根据权利要求2或3所述的多规格混用的发光二极管芯片驱动方法，其中步骤C中所供输的定电流的电流值小于这些预设电流值。
5.根据权利要求3所述的多规格混用的发光二极管芯片驱动方法，其中在步骤A中，其中一该默认电压区段包含零伏特。
6.根据权利要求1所述的多规格混用的发光二极管芯片驱动方法，在步骤D中更包含有，侦测供输至该发光二极管芯片的电压值大于一上限电压值时，则使供输至该发光二极管芯片的电压值维持于该上限电压值。
【文档编号】H05B37/00GK104080222SQ201310104692
【公开日】2014年10月1日 申请日期:2013年3月28日 优先权日:2013年3月28日
【发明者】林铭锋 申请人:东林科技股份有限公司, 林铭锋