专利名称：超长寿命大电流led驱动电源电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种驱动电源电路，尤其是一种大电流LED驱动电源电路。
背景技术：
目前在现有技术中，针对超长寿命LED照明电源的方案一般是选择无电解电容的开关电容方式或采用恒流二极管(CRD)方式，但开关电源方式体积大、线路复杂因而成本高及电磁干扰不容易抑制；另一种方式采用CRD方式的恒流驱动方式则存在驱动功率小、耐压低及不适合大电流LED驱动等缺点；其他高压供电方式的恒流驱动电路为了解决大功率LED驱动的问题，则往往采用很多个小电流器件并联的方式，非常难保证生产的一致性要求。
发明内容本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种超长寿命大电流LED驱动电源电路，包含了小电流的脉动恒流源和大电流控制与驱动部分，适合大电流驱动LED的场合；不含电解电容及电感，工作寿命长。本实用新型采用的技术方案是:一种超长寿命大电流LED驱动电源电路，包括一个脉动恒流源、压控电流源、第一稳压二极管、第二电阻、取样电阻以及压控电流源控制电路；脉动恒流源的输入端接整流后正电压Vp，脉动恒流源的输出端与第一稳压二极管的负极和第二电阻的一端连接在一起，该连接点为第一节点；第一稳压二极管的正极和第二电阻的另一端连接在第二节点；
压控电流源控制电路连接第一节点和第二节点，第一节点上的产生的电压为压控电流源控制电路提供工作电压；压控电流源控制电路输出控制电压至压控电流源的控制支路；压控电流源的受控支路的一端连接整流后正电压Vp，受控支路另一端连接取样电阻的一端；取样电阻的另一端接第二节点。进一步地:所述脉动恒流源包括第一 N沟道结型场效应管、第二 N沟道MOS管、第三NPN三极管、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第二稳压二极管；第一 N沟道结型场效应管的漏极和第四电阻的一端连接整流后正电压Vp，第四电阻的另一端连接第二 N沟道MOS管的漏极；第一 N沟道结型场效应管的栅极连接其源极；第一 N沟道结型场效应管的源极连接第二 N沟道MOS管的栅极、第二稳压二极管的负极和第三NPN三极管的集电极；第三NPN三极管的基极通过第五电阻连接第二N沟道MOS管的源极和第六电阻的一端；第六电阻的另一端、第二稳压二极管的正极和第三NPN三极管的发射极连接在同一个节点即第一节点上；第一稳压二极管的负极和第二电阻的一端连接在第一节点；第一稳压二极管的正极和第二电阻的另一端连接在第二节点；所述压控电流源控制电路包括运算放大器、第三电阻、第七电阻、第四NPN三极管；所述压控电流源为第五N沟道MOS管；第三电阻的一端连接第一节点，第三电阻另一端连接运算放大器的同相输入端、第四NPN三极管的集电极和基极，第四NPN三极管的发射极接第二节点；第三电阻与第四NPN三极管的连接点上产生的电压基准Vref输入运算放大器的同相输入端；运算放大器的正电源端和负电源端分别接第一节点和第二节点；运算放大器的输出端连接第五N沟道MOS管的栅极，第五N沟道MOS管的源极连接运算放大器的反相输入端并通过取样电阻连接第二节点，第五N沟道MOS管的漏极连接整流后正电压Vp ;第七电阻跨接在第一节点和第五N沟道MOS管的栅极之间。上述电路中，第五N沟道MOS管也可以用第六IGBT管替换；进一步地:所述脉动恒流源包括第一 N沟道结型场效应管、第二 N沟道MOS管、第三NPN三极管、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第二稳压二极管；第一 N沟道结型场效应管的漏极和第四电阻的一端连接整流后正电压Vp，第四电阻的另一端连接第二 N沟道MOS管的漏极；第一 N沟道结型场效应管的栅极连接其源极；第一 N沟道结型场效应管的源极连接第二 N沟道MOS管的栅极、第二稳压二极管的负极和第三NPN三极管的集电极；第三NPN三极管的基极通过第五电阻连接第二 N沟道MOS管的源极和第六电阻的一端；第六电阻的另一端、第二稳压二极管的正极和第三NPN三极管的发射极连接在同一个节点即第一节点上；第一稳压二极管 的负极和第二电阻的一端连接在第一节点；第一稳压二极管的正极和第二电阻的另一端连接在第二节点；所述压控电流源控制电路包括运算放大器、第三电阻、第九电阻、第十电阻、第四NPN三极管；所述压控电流源为第七NPN三极管；第三电阻的一端连接第一节点，第三电阻另一端连接运算放大器的同相输入端、第四NPN三极管的集电极和基极，第四NPN三极管的发射极接第二节点；第三电阻与第四NPN三极管的连接点上产生的电压基准Vref输入运算放大器的同相输入端；运算放大器的正电源端和负电源端分别接第一节点和第二节点；运算放大器的输出端通过第九电阻连接第七NPN三极管的基极，第七NPN三极管的发射极连接运算放大器的反相输入端并通过取样电阻连接第二节点，第七NPN三极管的集电极通过第八电阻连接整流后正电压Vp;第十电阻跨接在第七NPN三极管的基极和运算放大器的反相输入端之间。更进一步地，上述各电路中，所述第一 N沟道结型场效应管Ql能够用一电阻进行替代。本实用新型的优点:利用脉动恒流源11/压控电流源12两个恒流电路对LED进行软上升或软下降的电流工作方式，避免了打开或关断瞬间对LED的影响，从而延长了 LED的寿命；采用较小电流的脉动恒流源Il对较大电流的控制与驱动部分进行供电，解决了大电流LED驱动的要求；整个电路中可以不含影响工作寿命的电容和电感等元件，其工作寿命可达到LED的理论寿命。
图1为本实用新型的原理框图。图2为本实用新型的第一和第二种电路实现方式图。[0022]图3为本实用新型的第三种电路实现方式图。图4为本实用新型的应用框图。
具体实施方式
下面结合具体附图和实施例对本实用新型作进一步说明。一种超长寿命大电流LED驱动电源电路，其原理如图1所示，其应用如图4所示。如图1所示，一种超长寿命大电流LED驱动电源电路，包括一个脉动恒流源11、压控电流源12、第一稳压二极管D1、第二电阻R2、取样电阻Rl以及压控电流源控制电路102 ；脉动恒流源Il的输入端接整流后正电压Vp，脉动恒流源Il的输出端与第一稳压二极管Dl的负极和第二电阻R2的一端连接在一起，该连接点为第一节点nl ;第一稳压二极管Dl的正极和第二电阻R2的另一端连接在第二节点n2 ；压控电流源控制电路102连接第一节点nl和第二节点n2,第一节点nl上的产生的电压为压控电流源控制电路102提供工作电压；压控电流源控制电路102输出控制电压至压控电流源12的控制支路；压控电流源12的受控支路的一端连接整流后正电压Vp，受控支路另一端连接取样电阻Rl的一端；取样电阻Rl的另一端接第二节点n2，第二节点n2用于串接照明LED串。上述电路结构中，脉动恒流源11与第一稳压二极管Dl、第二电阻R2组成一个脉动稳压源，为下一级高压功率驱动部分进行供电，其同时也为照明LED串提供小部分供电电流。脉动恒流源Il的恒流电流可从IuA到1000mA，耐压可从IV到10000V，其与第一稳压二极管D1、第二电阻R2组成的脉动稳压源输出电压可从0.1V到1000V。压控电流源控制电路102包括运算放大器Ul和电压基准Vref的产生电路，其供电由上述脉动稳压源完成。压控电流源12使用了大功率器件，提供了强大的电流驱动能力，其电流可总从IuA到1000A，压控电流源12受到运算放大器U1、电压基准Vref和取样电阻Rl的控制，从顺序上，当脉动恒流源Il工作后压控电流源12才工作，当脉动恒流源Il截止后，压控电流源12才截止。压控电流源12打开时为逐渐增大方式，当关断时为逐渐减小方式，由于渐进式电流增大或减少，避免了电网高压或电流冲击对照明LED的损坏，增加了照明LED的使用寿命。如图2所示，是一种具体的电路实现方式，电路如下所述:所述脉动恒流源Il包括第一 N沟道结型场效应管Q1、第二 N沟道MOS管Q2、第三NPN三极管Q3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第二稳压二极管D2 ;第一 N沟道结型场效应管Ql的漏极和第四电阻R4的一端连接整流后正电压Vp，第四电阻R4的另一端连接第二 N沟道MOS管Q2的漏极；第一 N沟道结型场效应管Ql的栅极连接其源极；第一 N沟道结型场效应管Ql的源极连接第二 N沟道MOS管Q2的栅极、第二稳压二极管D2的负极和第三NPN三极管Q3的集电极；第三NPN三极管Q3的基极通过第五电阻R5连接第二 N沟道MOS管Q2的源极和第六电阻R6的一端；第六电阻R6的另一端、第二稳压二极管D2的正极和第三NPN三极管Q3的发射极连接在同一个节点即第一节点nl上；
第一稳压二极管Dl的负极和第二电阻R2的一端连接在第一节点nl ;第一稳压二极管Dl的正极和第二电阻R2的另一端连接在第二节点n2 ；[0036]所述压控电流源控制电路102包括运算放大器U1、第三电阻R3、第七电阻R7、第四NPN三极管Q4 ;所述压控电流源12为第五N沟道MOS管Q5 ；第三电阻R3的一端连接第一节点nl，第三电阻R3另一端连接运算放大器Ul的同相输入端、第四NPN三极管Q4的集电极和基极，第四NPN三极管Q4的发射极接第二节点n2 ;第三电阻R3与第四NPN三极管Q4的连接点上产生的电压基准Vref输入运算放大器Ul的同相输入端；运算放大器Ul的正电源端和负电源端分别接第一节点nl和第二节点n2 ；运算放大器Ul的输出端连接第五N沟道MOS管Q5的栅极，第五N沟道MOS管Q5的源极连接运算放大器Ul的反相输入端并通过取样电阻Rl连接第二节点n2，第五N沟道MOS管Q5的漏极连接整流后正电压Vp ;第七电阻R7跨接在第一节点nl和第五N沟道MOS管Q5的栅极之间。在上述具体电路实现方式中，第一 N沟道结型场效应管Ql、第二 N沟道MOS管Q2、第三NPN三极管Q3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第二稳压二极管D2组成一个较小电流的恒流源，通过第一稳压二极管D1、第二电阻R2转换成稳压源给大电流控制与驱动部分(包括压控电流源控制电路102和压控电流源12)供电，同时也为照明LED串提供小部分供电电流，在打开LED电源的瞬间，先有此部分小电流流过照明LED ;随后大电流控制与驱动部分开始工作，通过电阻R7对第五N沟道MOS管Q5的栅电容充电，使其逐渐导通。运算放大器Ul、第三电阻R3、第七电阻R7、第四NPN三极管Q4、第五N沟道MOS管Q5、取样电阻Rl组成了大电流控制与驱动部分，提供恒流电流给照明LED。在第一种电路实现方式中，把第五N沟道MOS管Q5替换为第六IGBT管Q6，就变成了下面所述的第二种电路实现 方式。具体如下:所述脉动恒流源Il包括第一 N沟道结型场效应管Q1、第二 N沟道MOS管Q2、第三NPN三极管Q3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第二稳压二极管D2 ;第一 N沟道结型场效应管Ql的漏极和第四电阻R4的一端连接整流后正电压Vp，第四电阻R4的另一端连接第二 N沟道MOS管Q2的漏极；第一 N沟道结型场效应管Ql的栅极连接其源极；第一 N沟道结型场效应管Ql的源极连接第二 N沟道MOS管Q2的栅极、第二稳压二极管D2的负极和第三NPN三极管Q3的集电极；第三NPN三极管Q3的基极通过第五电阻R5连接第二 N沟道MOS管Q2的源极和第六电阻R6的一端；第六电阻R6的另一端、第二稳压二极管D2的正极和第三NPN三极管Q3的发射极连接在同一个节点即第一节点nl上；第一稳压二极管Dl的负极和第二电阻R2的一端连接在第一节点nl ;第一稳压二极管Dl的正极和第二电阻R2的另一端连接在第二节点n2 ；所述压控电流源控制电路102包括运算放大器U1、第三电阻R3、第七电阻R7、第四NPN三极管Q4 ;所述压控电流源12为第六IGBT管Q6 ；第三电阻R3的一端连接第一节点nl，第三电阻R3另一端连接运算放大器Ul的同相输入端、第四NPN三极管Q4的集电极和基极，第四NPN三极管Q4的发射极接第二节点n2 ;第三电阻R3与第四NPN三极管Q4的连接点上产生的电压基准Vref输入运算放大器Ul的同相输入端；运算放大器Ul的正电源端和负电源端分别接第一节点nl和第二节点n2 ；运算放大器Ul的输出端连接第六IGBT管Q6的栅极，第六IGBT管Q6的发射极连接运算放大器Ul的反相输入端并通过取样电阻Rl连接第二节点n2，第六IGBT管Q6的集电极连接整流后正电压Vp ;第七电阻R7跨接在第一节点nl和第六IGBT管Q6的栅极之间。[0045]如图3所示，是第三种电路实现方式，具体如下:所述脉动恒流源Il包括第一 N沟道结型场效应管Q1、第二 N沟道MOS管Q2、第三NPN三极管Q3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第二稳压二极管D2 ;第一 N沟道结型场效应管Ql的漏极和第四电阻R4的一端连接整流后正电压Vp，第四电阻R4的另一端连接第二 N沟道MOS管Q2的漏极；第一 N沟道结型场效应管Ql的栅极连接其源极；第一 N沟道结型场效应管Ql的源极连接第二 N沟道MOS管Q2的栅极、第二稳压二极管D2的负极和第三NPN三极管Q3的集电极；第三NPN三极管Q3的基极通过第五电阻R5连接第二 N沟道MOS管Q2的源极和第六电阻R6的一端；第六电阻R6的另一端、第二稳压二极管D2的正极和第三NPN三极管Q3的发射极连接在同一个节点即第一节点nl上；第一稳压二极管Dl的负极和第二电阻R2的一端连接在第一节点nl ;第一稳压二极管Dl的正极和第二电阻R2的另一端连接在第二节点n2 ；所述压控电流源控制电路102包括运算放大器U1、第三电阻R3、第九电阻R9、第十电阻R10、第四NPN三极管Q4 ;所述压控电流源12为第七NPN三极管Q7 ;第三电阻R3的一端连接第一节点nl，第三电阻R3另一端连接运算放大器Ul的同相输入端、第四NPN三极管Q4的集电极和基极，第四NPN三极管Q4的发射极接第二节点n2 ;第三电阻R3与第四NPN三极管Q4的连接点上产生的电压基准Vref输入运算放大器Ul的同相输入端；运算放大器Ul的正电源端和负电源端分别接第一节点nl和第二节点n2 ;运算放大器Ul的输出端通过第九电阻R9连接第七NPN三极管Q7的基极，第七NPN三极管Q7的发射极连接运算放大器Ul的反相输入端并通过取样电阻Rl连接第二节点n2，第七NPN三极管Q7的集电极通过第八电阻R8连接整流后正电压Vp ;第十电阻RlO跨接在第七NPN三极管Q7的基极和运算放大器Ul的反相输入端之间。在第三种电路实现方式中，第一 N沟道结型场效应管Ql、第二 N沟道MOS管Q2、第三NPN三极管Q3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第二稳压二极管D2组成一个较小电流的恒流源，通过第一稳压二极管D1、第二电阻R2转换成稳压源给大电流控制与驱动部分(包括压控电流源控制电路102和压控电流源12)供电，同时也为照明LED串提供小部分供电电流。而运算放大器U1、第三电阻R3、第九电阻R9、第十电阻R10、第四NPN三极管Q4，取样电阻Rl共同决定了压控电流源12中流过的电流值。第七NPN三极管Q7为大电流驱动部分的功率驱动器件。在上述的第一、第二、第三种电路实现方式中，所述第一 N沟道结型场效应管Ql都能够用一电阻进行替代。如图4所示，是超长寿命大电流LED驱动电源电路的应用电路。其中AC为交流电源，其输入可以为交流电压I伏到10000伏，四个二极管构成整流电路，整流电路的工作电压可从I伏到10000伏。所驱动的照明LED为串联方式，串联的照明LED可以为I个到1000个。本实 用新型提供的超长寿命大电流LED驱动电源电路，无电解电容和电感等影响电源寿命的元件，使用分步恒流供电方式及缓变的恒流电流打开和关断方式，避免了电网高压浪涌及脉冲串等干扰对LED及电源部分寿命和发光效率的影响。
权利要求1.一种超长寿命大电流LED驱动电源电路，其特征在于:包括一个脉动恒流源(II)、压控电流源(12)、第一稳压二极管(Dl)、第二电阻(R2)、取样电阻(Rl)以及压控电流源控制电路(102)； 脉动恒流源(Il)的输入端接整流后正电压Vp，脉动恒流源(Il)的输出端与第一稳压二极管(Dl)的负极和第二电阻(R2)的一端连接在一起，该连接点为第一节点(nl);第一稳压二极管(Dl)的正极和第二电阻(R2)的另一端连接在第二节点(n2)； 压控电流源控制电路(102)连接第一节点(nl)和第二节点(n2),第一节点(nl)上的产生的电压为压控电流源控制电路(102)提供工作电压； 压控电流源控制电路(102)输出控制电压至压控电流源(12)的控制支路；压控电流源(12)的受控支路的一端连接整流后正电压Vp，受控支路另一端连接取样电阻(Rl)的一端；取样电阻(Rl)的另一端接第二节点(n2)。
2.如权利要求1所述的超长寿命大电流LED驱动电源电路，其特征在于: 所述脉动恒流源(Il)包括第一 N沟道结型场效应管(Ql)、第二 N沟道MOS管(Q2)、第三NPN三极管(Q3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第二稳压二极管(D2)；第一 N沟道结型场效应管(Ql)的漏极和第四电阻(R4)的一端连接整流后正电压Vp，第四电阻(R4)的另一端连接第二 N沟道MOS管(Q2)的漏极；第一 N沟道结型场效应管(Ql)的栅极连接其源极；第一 N沟道结型场效应管(Ql)的源极连接第二 N沟道MOS管(Q2)的栅极、第二稳压二极管(D2)的负极和第三NPN三极管(Q3)的集电极；第三NPN三极管(Q3)的基极通过第五电阻(R5)连接第二 N沟道MOS管(Q2)的源极和第六电阻(R6)的一端；第六电阻(R6)的另一端、第二稳压二极管(D2)的正极和第三NPN三极管(Q3)的发射极连接在同一个节点即第一节点(nl)上； 第一稳压二极管(Dl)的负极和第二电阻(R2)的一端连接在第一节点(nl);第一稳压二极管(Dl)的正极和第二电阻(R2)的另一端连接在第二节点(n2)； 所述压控电流源控制电路(102)包括运算放大器(Ul)、第三电阻(R3)、第七电阻(R7)、第四NPN三极管(Q4);所述压控电流源(12)为第五N沟道MOS管(Q5)； 第三电阻(R3)的一端连接第一节点(nl)，第三电阻(R3)另一端连接运算放大器(Ul)的同相输入端、第四NPN三极管(Q4)的集电极和基极，第四NPN三极管(Q4)的发射极接第二节点(n2);第三电阻(R3)与第四NPN三极管(Q4)的连接点上产生的电压基准Vref输入运算放大器(Ul)的同相输入端；运算放大器(Ul)的正电源端和负电源端分别接第一节点(nl)和第二节点(n 2);运算放大器(Ul)的输出端连接第五N沟道MOS管(Q5)的栅极，第五N沟道MOS管(Q5)的源极连接运算放大器(Ul)的反相输入端并通过取样电阻(Rl)连接第二节点(n2)，第五N沟道MOS管(Q5)的漏极连接整流后正电压Vp ;第七电阻(R7)跨接在第一节点(nl)和第五N沟道MOS管(Q5)的栅极之间。
3.如权利要求1所述的超长寿命大电流LED驱动电源电路，其特征在于: 所述脉动恒流源(Il)包括第一 N沟道结型场效应管(Ql)、第二 N沟道MOS管(Q2)、第三NPN三极管(Q3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第二稳压二极管(D2)；第一 N沟道结型场效应管(Ql)的漏极和第四电阻(R4)的一端连接整流后正电压Vp，第四电阻(R4)的另一端连接第二 N沟道MOS管(Q2)的漏极；第一 N沟道结型场效应管(Ql)的栅极连接其源极；第一 N沟道结型场效应管(Ql)的源极连接第二 N沟道MOS管(Q2)的栅极、第二稳压二极管(D2)的负极和第三NPN三极管(Q3)的集电极；第三NPN三极管(Q3)的基极通过第五电阻(R5)连接第二 N沟道MOS管(Q2)的源极和第六电阻(R6)的一端；第六电阻(R6)的另一端、第二稳压二极管(D2)的正极和第三NPN三极管(Q3)的发射极连接在同一个节点即第一节点(nl)上； 第一稳压二极管(Dl)的负极和第二电阻(R2)的一端连接在第一节点(nl);第一稳压二极管(Dl)的正极和第二电阻(R2)的另一端连接在第二节点(n2)； 所述压控电流源控制电路(102)包括运算放大器(Ul)、第三电阻(R3)、第七电阻(R7)、第四NPN三极管(Q4);所述压控电流源(12)为第六IGBT管(Q6)； 第三电阻(R3)的一端连接第一节点(nl)，第三电阻(R3)另一端连接运算放大器(Ul)的同相输入端、第四NPN三极管(Q4)的集电极和基极，第四NPN三极管(Q4)的发射极接第二节点(n2);第三电阻(R3)与第四NPN三极管(Q4)的连接点上产生的电压基准Vref输入运算放大器(Ul)的同相输入端；运算放大器(Ul)的正电源端和负电源端分别接第一节点(nl)和第二节点(n2);运算放大器(Ul)的输出端连接第六IGBT管(Q6)的栅极，第六IGBT管(Q6)的发射极连接运算放大器(Ul)的反相输入端并通过取样电阻(Rl)连接第二节点(n2)，第六IGBT管(Q6)的集电极连接整流后正电压Vp ;第七电阻(R7)跨接在第一节点(nl)和第六IGBT管(Q6)的栅极之间。
4.如权利要求1所述的超长寿命大电流LED驱动电源电路，其特征在于: 所述脉动恒流源(Il)包括第一 N沟道结型场效应管(Ql)、第二 N沟道MOS管(Q2)、第三NPN三极管(Q3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第二稳压二极管(D2)；第一 N沟道结型场效应管(Ql)的漏极和第四电阻(R4)的一端连接整流后正电压Vp，第四电阻(R4)的另一端连接第二 N沟道MOS管(Q2)的漏极；第一 N沟道结型场效应管(Ql)的栅极连接其源极；第一 N沟道结型场效应管(Ql)的源极连接第二 N沟道MOS管(Q2)的栅极、第二稳压二极管(D2)的负极和第三NPN三极管(Q3)的集电极；第三NPN三极管(Q3)的基极通过第五电阻(R5·)连接第二 N沟道MOS管(Q2)的源极和第六电阻(R6)的一端；第六电阻(R6)的另一端、第二稳压二极管(D2)的正极和第三NPN三极管(Q3)的发射极连接在同一个节点即第一节点(nl)上； 第一稳压二极管(Dl)的负极和第二电阻(R2)的一端连接在第一节点(nl);第一稳压二极管(Dl)的正极和第二电阻(R2)的另一端连接在第二节点(n2)； 所述压控电流源控制电路(102)包括运算放大器(Ul)、第三电阻(R3)、第九电阻(R9)、第十电阻(RlO)、第四NPN三极管(Q4);所述压控电流源(12)为第七NPN三极管(Q7);第三电阻(R3)的一端连接第一节点(nl)，第三电阻(R3)另一端连接运算放大器(Ul)的同相输入端、第四NPN三极管(Q4)的集电极和基极，第四NPN三极管(Q4)的发射极接第二节点(n2);第三电阻(R3)与第四NPN三极管(Q4)的连接点上产生的电压基准Vref输入运算放大器(Ul)的同相输入端；运算放大器(Ul)的正电源端和负电源端分别接第一节点(nl)和第二节点(n2);运算放大器(Ul)的输出端通过第九电阻(R9)连接第七NPN三极管(Q7)的基极，第七NPN三极管(Q7)的发射极连接运算放大器(Ul)的反相输入端并通过取样电阻(Rl)连接第二节点(n2)，第七NPN三极管(Q7)的集电极通过第八电阻(R8)连接整流后正电压Vp ;第十电阻(RlO)跨接在第七NPN三极管(Q7)的基极和运算放大器(Ul)的反相输入端之间。
5.如权利要求2、3或4所述的超长寿命大电流LED驱动电源电路，其特征在于:所述第一 N沟道结型场效应管(Ql)能够用一 电阻进行替代。
专利摘要本实用新型提供一种超长寿命大电流LED驱动电源电路，包括脉动恒流源、压控电流源、第一稳压二极管、第二电阻、取样电阻以及压控电流源控制电路；脉动恒流源的输入端接整流后正电压Vp，脉动恒流源的输出端与第一稳压二极管的负极和第二电阻的一端连接在第一节点；第一稳压二极管的正极和第二电阻的另一端连接在第二节点；压控电流源控制电路连接第一节点和第二节点，第一节点上的产生的电压为压控电流源控制电路提供输入电压；压控电流源控制电路输出控制电压至压控电流源的控制支路，压控电流源的受控支路的一端连接整流后正电压Vp，受控支路另一端连接取样电阻的一端。本实用新型用作照明LED的电源驱动。
文档编号H05B37/02GK203151827SQ20132009534
公开日2013年8月21日 申请日期2013年3月1日 优先权日2013年3月1日
发明者王开, 杜起麓 申请人:王开