多晶硅化学气相沉积反应器中的叶片冷却结构的制作方法
【专利摘要】多晶硅化学气相沉积反应器中的叶片冷却结构，包括，冷却水进口1、分水仓2、叶片进水口3、叶片冷却水道4、叶片冷却水出口5、回水仓6、回水出口7；其中，冷却水通过进口1进入分水仓2，每个叶片的冷却水从分水仓2流入各叶片进水口3，再通过叶片冷却水道4对叶片进行冷却，冷却回水通过各叶片冷却水出口5返回到回水仓6，然后通过回水出口7引出；本冷却结构提供了在高温高压腐蚀性环境中，为气流提供推力并使气场和温度场均匀化的水冷却叶片结构。该结构在保证工作叶片在高温、高压和腐蚀性气氛环境中有效工作，而不因其表面温度过高被腐蚀，和在其表面发生硅的沉积，同时也有效避免叶片温度过高所引起的力学性能恶化现象发生。
【专利说明】多晶硅化学气相沉积反应器中的叶片冷却结构
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及多晶硅化学气相沉积反应器中的叶片冷却结构，属于化学热处理和化学气相沉积领域。
【背景技术】
[0002]无论在化学热处理还是化学气相沉积炉中，为了保证沉积、吸附和扩散过程的快速进行，气场、温度场和气流状态至关重要，但这却使得叶片的工作环境恶化，为了避免或减少环境中的氯化氢腐蚀和硅沉积，所使用的叶片表面温度不能超过500°C，必须采取可靠的冷却措施来控制叶片的表面温度在500°C以下，以防止氯化氢腐蚀和硅沉积，从而保证叶片安全运行，提高工作叶片工作效率，是发展快速多晶硅化学气相沉积的必然要求。
实用新型内容
[0003]本实用新型的目的在于提供一种多晶硅化学气相沉积反应器中的叶片冷却结构；该结构可保证工作叶片在高温、高压和腐蚀性气氛环境中有效工作，而不因其表面温度过高被腐蚀，和在其表面发生硅的沉积，同时也有效避免叶片温度过高所引起的力学性能恶化现象发生。
[0004]本实用新型的技术方案是:多晶硅化学气相沉积反应器中的叶片的冷却结构，所述的工作叶片的冷却结构包括，冷却水进口 1、分水仓2、叶片进水口 3、叶片冷却水道4、叶片冷却水出口 5、回水仓6、回水出口 7 ;其中，冷却水通过进口 I进入分水仓2，每个叶片的冷却水从分水仓2流入各叶片进水口 3，再通过叶片冷却水道4对叶片进行冷却，冷却回水通过各叶片冷却水出口 5返回到回水仓6，然后通过回水出口 7引出；
[0005]进一步，所述的分 水仓2与进水口相连，回水仓6与回水出口 7相连通，确保进入每个叶片的冷却水量和压力相等。
[0006]进一步，所述的冷却水为不含盐分的超纯水或者是脱盐水，避免叶片流道产生水垢，影响传热效率。
[0007]进一步，所述的冷却水压力为0.3^0.55MPa。
[0008]进一步，，所述的叶片采用高温合金或者铸造高温合金加工，运行温度为3500C~900°C，叶片表面控制温度350°C飞50°C。
[0009]进一步，所述的叶片采用焊接或者铸造的成型。
[0010]本实用新型提供了在高温高压腐蚀性环境中，为气流提供推力并使气场和温度场均匀化的水冷却叶片结构。该结构在保证工作叶片在高温、高压和腐蚀性气氛环境中有效工作，而不因其表面温度过高被腐蚀，和在其表面发生硅的沉积，同时也有效避免叶片温度过高所引起的力学性能恶化现象发生。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中:
[0012]图1本实用新型的多晶硅化学气相沉积反应器中的叶片冷却结构主视示意图。
[0013]图2本实用新型的多晶硅化学气相沉积反应器中的叶片冷却结构俯视示意图。
[0014]图中，1-冷却水进口，2-冷却水分水仓，3-叶片进水口，4-叶片冷却水道，5-叶片冷却水出口，6-回水仓，7-回水出口，8-冷却水进水管螺纹联接部，9-传动轴，10-冷却水进水管，11-风机叶片。
【具体实施方式】
[0015]以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。其中，图1是本实用新型的多晶硅化学气相沉积反应器中的叶片冷却结构主视示意图；图2是该叶片冷却结构俯视本意图；图3是图2中A-A处的截面图。从图可以看出:
[0016]多晶硅化学气相沉积反应器中的叶片冷却结构，该工作叶片冷却结构包括，冷却水进口 1、分水仓2、叶片进水口 3、叶片冷却水道4、叶片冷却水出口 5、回水仓6、回水出口7 ;其中，冷却水通过进口 I进入分水仓2，每个叶片的冷却水从分水仓2流入各叶片进水口3，再通过叶片冷却水道4对叶片进行冷却，冷却回水通过各叶片冷却水出口 5返回到回水仓6，然后通过回水出口 7引出；
[0017]所述的分水仓2与进水口相连，回水仓6与回水出口 7相连通，确保进入每个叶片的冷却水量和压力相等。
[0018]所述的冷却水为不含盐分的超纯水或者是脱盐水，避免叶片流道产生水垢，影响传热效率。
[0019]所述的冷却水压力为0.3-0.55MPa。
[0020]所述的叶片采用高温合金或者铸造高温合金加工，运行温度为350°C _900°C，叶片表面控制温度350°C -550°C。
[0021]所述的叶片采用焊接或者铸造的成型。
[0022]本实用新型提供了在高温高压腐蚀性环境中，为气流提供推力并使气场和温度场均匀化的水冷却叶片结构；该结构在保证工作叶片在高温、高压和腐蚀性气氛环境中有效工作，而不因其表面温度过高被腐蚀，和在其表面发生硅的沉积，同时也有效避免叶片温度过高所引起的力学性能恶化现象发生。
[0023]以上所述仅为本实用新型的实施例，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，参照前述实施例，可以对前述实施例中记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.多晶硅化学气相沉积反应器中的叶片冷却结构，其特征在于，叶片冷却结构包括，冷却水进口⑴、分水仓⑵、叶片进水口⑶、叶片冷却水道⑷、叶片冷却水出口 (5)、回水仓(6)、回水出口(7);其中，冷却水通过进口⑴进入分水仓⑵，每个叶片的冷却水从分水仓⑵流入各叶片进水口⑶，再通过叶片冷却水道⑷对叶片进行冷却，冷却回水通过各叶片冷却水出口 (5)返回到回水仓(6)，然后通过回水出口 (7)引出。
2.按照权利要求1所述的多晶硅化学气相沉积反应器中的叶片冷却结构，其特征在于，所述的分水仓⑵与进水口相连，回水仓(6)与回水出口(7)相连通，确保进入每个叶片的冷却水量和压力相等。
3.按照权利要求1所述的多晶硅化学气相沉积反应器中的叶片冷却结构，其特征在于，所述的冷却水为不含盐分的超纯水或者是脱盐水，避免叶片流道产生水垢，影响传热效率。
4.按照权利要求3所述的多晶硅化学气相沉积反应器中的叶片冷却结构，其特征在于，所述的冷却水压力为0.3^0.55MPa。
5.按照权利要求1所述的多晶硅化学气相沉积反应器中的叶片冷却结构，其特征在于，所述的叶片采用高温合金或者铸造高温合金加工，运行温度为350°C ~90(TC，叶片表面控制温度350°C飞50°C。
6.按照权利要求5所述的多晶硅化学气相沉积反应器中的叶片冷却结构，其特征在于，所述的叶片采用焊接 或者铸造的成型。
【文档编号】C30B28/14GK203602753SQ201320700107
【公开日】2014年5月21日 申请日期:2013年11月8日 优先权日:2013年11月8日
【发明者】郭增昌, 刘申良, 杨连勇 申请人:新特能源股份有限公司