用于制造多晶硅的装置的制造方法
【专利摘要】本发明提供了一种使用化学气相沉积(CVD)反应器用于制造多晶硅的装置。所述用于制造多晶硅的装置包括：反应室，其包括基底和反应器盖；至少一对电极，其通过绝缘部件穿过所述基底安装并与电源连接；至少一对丝极，其通过电极夹头与该对电极耦合并且其上端彼此连接；以及盖组件，其包括在所述基底上围绕该对电极中每一个电极的上表面和侧面的电极盖，以及覆盖所述电极盖的上表面的盖屏蔽物。
【专利说明】
用于制造多晶硅的装置
技术领域
[0001]本发明涉及一种用于制造多晶硅的装置，并且特别是，本发明涉及包括电极盖的用于制造多晶硅的装置。
【背景技术】
[0002]多晶硅或多结晶硅在半导体产业、太阳能发电产业等中是用作基本材料的成分。在用于制造多晶硅的方法中，已知使用化学气相沉积(CVD)反应器的西门子沉淀法。
[0003]根据西门子沉淀法的用于制造多晶硅的装置包括连接在基底上的反应器盖、至少一对穿过基底安装的电极、通过电极夹头与电极親合的丝极，和连接一对丝极的上端的连接杆。该对电极与电源连接，并通过由绝缘材料制成的衬套和间隔环与基底绝缘。
[0004]从电源供给的电力通过电极、电极夹头、丝极和连接杆，并再次经由丝极、电极夹头、和电极输入至电源。当施加电力时，硅材料的丝极导致温度在1000 °C或以上的电阻热，并且当硅烷材料气体和氢气在高压的条件下被注入60小时至80小时时，硅以多晶的形式沉淀在丝极的表面上。
[0005]在这个过程中，电极通过例如水冷却的方式来冷却，但是电极接触电极夹头的上部温度会升高到800°C或以上。因此，硅沉积在电极的上表面和间隔环上，其结果是，电极和基底之间的绝缘特性变差。此外，在丝极的下部产生由电极造成的热损失。
[0006]在【背景技术】部分公开的上述信息仅用于增强对本发明背景的理解，因此其可能包含不构成在这个国家本技术领域中的普通技术人员已知的现有技术的信息。
【发明内容】
[0007]技术问题
[0008]本发明致力于提供一种用于制造多晶硅的装置，其具有基底对电极保持绝缘特性的优点，使得不会在电极与间隔环上沉积硅，抑制了由于电极的丝极的热损失，并降低维护成本。
[0009]技术方案
[0010]本发明示例性的实施方式提供了一种用于制造多晶硅的装置，其包括:反应室，其包括基底和反应器盖;至少一对电极，其通过绝缘部件穿过所述基底安装并与电源连接;至少一对丝极，其通过电极夹头与该对电极耦合(couple)并且其上端彼此连接；以及盖组件，其包括在所述基底上围绕该对电极中每一个电极的上表面和侧面的电极盖，以及覆盖所述电极盖的上表面的盖屏蔽物(cover shield)。
[0011]所述电极可具有在其上表面上形成的与所述电极夹头接合的凸起。所述电极盖可以包括水平盖和垂直盖，所述水平盖形成容纳所述凸起的开口并且布置在所述电极的上表面上，所述垂直盖在所述水平盖的边缘与所述水平盖垂直连接。
[0012]所述水平盖和所述垂直盖可以分别构造，以使其能够被单独更换。所述电极盖可以包括选自恪融氧化娃(S12)、氮化娃(Si3N4)、氧化铝(Al2O3)、氧化错(ZrO2)、氧化镁(MgO)、和莫来石(3AI2O3.2Si02)中的任一种。
[0013]所述盖屏蔽物可形成一个容纳所述凸起的开口，并且具有直径大于所述水平盖的圆盘形。
[0014]所述盖屏蔽物可以包括形成容纳所述凸起的开口和覆盖所述水平盖的上表面的第一屏蔽物，以及与第一屏蔽物的边缘连接以覆盖所述垂直盖的外表面的第二屏蔽物。所述第一屏蔽物和所述第二屏蔽物可以分别构造，以使其能够是单独可更换的。
[0015]所述盖屏蔽物可以由包括石墨的基于碳的材料制成。只要所述盖屏蔽物不影响多晶硅的沉积，所述盖屏蔽物在多晶硅制造后可以换新或重复使用。
[0016]本发明的另一个示例性的实施方式提供了一种用于制造多晶硅的装置，包括:反应室，其包括基底和反应器盖；至少一对电极，其通过绝缘部件穿过基底安装并与电源连接;至少一对丝极，其通过电极夹头与该对电极耦合并且其上端彼此连接；以及电极盖，所述电极盖在所述基底上围绕所述电极的上表面和侧面，其中所述电极夹头包括覆盖所述电极盖的上表面的下端。
[0017]所述电极可具有在其上表面上形成的与所述电极夹头接合的凸起。所述电极盖可以包括水平盖和垂直盖，所述水平盖形成容纳所述凸起的开口并且布置在所述电极的上表面上，所述垂直盖在所述水平盖的边缘与所述水平盖垂直连接。
[0018]所述水平盖和所述垂直盖可以分别构造，以使其能够被单独更换。所述电极盖可以包括选自恪融氧化娃(S12)、氮化娃(Si3N4)、氧化铝(Al2O3)、氧化错(ZrO2)、氧化镁(MgO)、和莫来石(3AI2O3.2Si02)中的任一种。
[0019]所述电极夹头可以包括固定丝极的末端的夹头部，和连接在所述夹头部下方的屏蔽部。所述屏蔽部的直径可以大于所述夹头部的最大直径，并且等于或大于所述电极盖的直径。
[0020]用于制造多晶硅的装置可进一步包括辅助屏蔽物。所述辅助屏蔽物可以在所述屏蔽部的边缘与所述屏蔽部垂直连接，以覆盖所述垂直盖的外表面。所述电极夹头和所述辅助屏蔽物可以由包括石墨的基于碳的材料制成，并且所述辅助屏蔽物可以与所述屏蔽部可拆卸地组装。
[0021]所述电极夹头可以包括固定所述丝极的上端，和连接所述上端和下端的单斜侧面。所述下端的直径可以等于或大于所述电极盖的直径。
[0022]用于制造多晶硅的装置可进一步包括辅助屏蔽物。所述辅助屏蔽物可以在所述下端的边缘与所述下端垂直连接，以覆盖所述垂直盖的外表面。所述电极夹头和所述辅助屏蔽物可以由包括石墨的基于碳的材料制成，并且所述辅助屏蔽物可以与所述下端可拆卸地组装。
[0023]有益效果
[0024]根据本发明的示例性实施方式，由于因电极盖而在制造多晶硅的过程中不在电极上以及间隔环的表面上沉积多晶硅，所以可以大大地保持基底对于电极的绝缘特性。另外，由于盖屏蔽物或电极夹头的下端覆盖电极盖的上表面，因此可以省略电极盖的清洁操作，可大大地减少用于制造多晶硅的装置的维护成本。
【附图说明】
[0025]图1是根据本发明的第一示例性实施方式的用于制造多晶硅的装置的剖面图。
[0026]图2是图1所示的用于制造多晶硅的装置的局部放大图。
[0027]图3是图2所示的盖组件的分解示意图。
[0028]图4是根据本发明的第二示例性实施方式的用于制造多晶硅的装置的局部放大图。
[0029]图5是根据本发明的第三示例性实施方式的用于制造多晶硅的装置的局部放大图。
[0030]图6和图7是根据本发明的第四示例性实施方式的用于制造多晶硅的装置的局部放大图。
[0031]图8和图9是根据本发明的第五示例性实施方式的用于制造多晶硅的装置的局部放大图。
[0032]图10和图11是根据本发明的第六示例性实施方式的用于制造多晶硅的装置的局部放大图。
[0033]图12和图13是根据本发明的第七示例性实施方式的用于制造多晶硅的装置的局部放大图。
【具体实施方式】
[0034]下文将参考附图更充分地描述本发明，其中示出了本发明的示例性实施方式。正如本领域的技术人员所认知的，所描述的实施方式可以以各种不同的方式来修改，但都不脱离本发明的精神或范围。
[0035]图1是根据本发明的第一示例性实施方式的用于制造多晶硅的装置的剖面图，图2是图1所示的用于制造多晶硅的装置的局部放大图。
[0036]参考图1和图2，用于制造多晶硅100的装置100由设置有可加热硅丝的化学气相沉积(CVD)反应器构造。具体而言，用于制造多晶硅的装置100包括反应室1、至少一对电极
20、至少一对丝极30和多个盖组件40。
[0037]反应室10由基底11(或者，底板)，和安装在基底11上的反应器盖12构造。反应器盖12可以具有钟形，以及可以由在其中有冷却流体流动的双壁结构形成。反应器盖12用气密性凸缘(未示出)组装在基底11上。
[0038]在基底11中形成气体入口 13和气体出口 14。基于硅烷的材料气体(如，三氯硅烷(SiHCl3))经由气体入口 13流入反应室10中，而经历CVD反应的气体经由气体出口 14被排放到反应室10外。进一步地，在基底11中形成多个用于安装电极20的开口。
[0039]基底11和电极20均由金属制成，因此电极20与绝缘部件50—起穿过基底11安装以保持与基底11的绝缘性。绝缘部件50可以由衬套51和间隔环52构造。
[0040]衬套51可以由耐热性树脂(如四氟乙烯树脂)制成，在基底11的开口中以圆筒状环围绕电极20。间隔环52可以由陶瓷制成，在基底11上以圆筒状环围绕电极20。衬套51和间隔环52分别在基底11的平面方向上以及在基底11的厚度方向上使电极20与基底11绝缘。
[0041]电极20可具有T形横截面，其中凸缘21在间隔环52上形成，与电极夹头60接合的凸起22可在电极20的上表面上形成。电极夹头60固定丝极30的端部，并与电极20的凸起22耦合，以将丝极30固定至电极20。电极夹头60由导电材料(如石墨)制成，以使电极20与丝极30电连接。
[0042]丝极30对分别安装在电极20对中。丝极30对在反应室10中垂直于基底11放置，并通过固定在其上端的连接杆31彼此电连接。丝极30和连接杆31由硅制成。在反应室10中设置有多组由丝极30对与一根连接杆31构成的杆丝极35。
[0043]在图1中，作为实例示出了两组杆丝极35，但实际上，可以将多于两组的杆丝极35放置在反应室10中。
[0044]电极20对连接到电源29，并且一组杆丝极35形成一个电路。因此，当电流经由电极20流入丝极30时，丝极30与连接杆31被电阻加热到1000°C或以上的高温，而当基于硅烷的材料气体和氢气在高压条件下注入60小时或更长时间时，娃以多晶娃的形式沉积在加热的丝极30与连接杆31的表面上。也就是说，多晶硅在丝极30和连接杆31的表面上形成。
[0045]电极20由例如水冷却的方法来冷却，以在制造多晶硅的过程中保持其温度低于丝极30的温度。为此，可以在电极20中形成循环冷却水的通道(未示出)。
[0046]多个电极20中的每一个都安装有盖组件40，以在制造多晶硅的过程中覆盖和保护电极20。盖组件40位于基底11和电极夹头60之间，并将电极夹头60下方的电极20与反应室10的内部空间分隔开。
[0047]图3是图2所示的盖组件的分解示意图。参考图2和图3，盖组件40是由在基底11上围绕电极20的上表面与侧面的电极盖41，以及覆盖电极盖41的上表面的盖屏蔽物45构造。
[0048]电极盖41可以由形成容纳凸起22的开口411并布置在电极20上表面上的水平盖42，以及在水平盖42的边缘与水平盖42垂直连接并围绕电极20的凸缘21和间隔环52的圆筒状垂直盖43构造。
[0049]水平盖42可以接触电极20的上表面，或与电极20的上表面保持预定的距离，而垂直盖43与电极20的凸缘21以及间隔环52保持预定的距离。在电极盖41与电极20保持预定的距离的情况下，可降低热传导。
[0050]水平盖42和垂直盖43可以整体地构造或分别构造。在分离型的情况下，水平盖42和垂直盖43可拆卸地组装，并且在用于制造多晶硅的装置100的维修过程中可被单独更换。在图2和图3中，图示了分离型的电极盖41作为实例。
[°°511电极盖41由绝缘体形成，以保持基底11和电极20两者的绝缘状态。电极盖41具有优良的绝缘性质，不影响多晶硅的纯度，并需要在反应室1中于高温(约1000 °C至1200 0C )下稳定，同时容易加工。
[0052]考虑到这样的内容，电极盖41可以包括熔融氧化硅(S12)、氮化硅(Si3N4)、氧化铝(Al2O3)、氧化锆(ZrO2)、氧化镁(MgO)、和莫来石(3A1203.2Si02)中的任一种。
[0053]在制造多晶硅的过程中，由于电极盖41，多晶硅不会沉积在电极20上以及间隔环52的表面上，其结果是，可以高度保持电极20和基底11的绝缘性质。再者，在相关技术中，为了重复使用电极20，可以省略掉移除附在电极20上的多晶硅的过程(多晶硅蚀刻工艺)，因此可以防止在该过程中对于电极20可能造成的损害。
[0054]盖屏蔽物45布置在电极盖41上，以覆盖电极盖41的上表面。盖屏蔽物45形成其中容纳凸起22的开口 451，并可以形成为直径大于电极盖41的圆盘形。
[0055]由上述具有尚绝缘性和在尚温下具有尚稳定性的材料制成的电极盖41是相对昂贵的组件，并且当多晶硅由于周围温度而沉积在电极盖41的表面上时，在使用后需要清洁电极盖41的过程。即，电极盖41不是消耗性的组件而是可重复使用的组件，但每一次都需要清洁操作才可重复使用，并且由于清洁而产生成本。
[0056]盖屏蔽物45的成本比电极盖41更低，并且盖屏蔽物45是由不影响多晶硅纯度的材料制成。例如，盖屏蔽物45可以用包括石墨的基于碳的材料来形成。盖屏蔽物45在电极盖41上形成为具有大于电极盖41直径的圆盘形，且多晶硅沉积在盖屏蔽物45而不是电极盖41的表面上。
[0057]在当作消耗组件使用之后，用一个新的盖屏蔽物45来更换盖屏蔽物45，或者，只要其不影响多晶硅的沉积，盖屏蔽物45可以使用多次。由于盖屏蔽物45，可以省略电极盖41的清洁过程，结果是，可以大大地减少用于制造多晶硅的装置100的维护成本。
[0058]图4是根据本发明的第二示例性实施方式的用于制造多晶硅的装置的局部放大图。
[0059]参考图4，除了盖屏蔽物45a是由第一屏蔽物46和第二盖屏蔽物47构造之外，第二示例性实施方式的用于制造多晶硅的装置是由与第一示例性实施方式相同的构造来形成的。与第一示例性实施方式中相同的部件使用相同的附图标记。
[0060]第一屏蔽物46形成容纳凸起22的开口，并覆盖水平盖42的上表面。第二屏蔽物47在第一屏蔽物46的边缘与第一屏蔽物46垂直连接，以覆盖垂直盖43的外表面。第一屏蔽物46和第二屏蔽物47可以一体地构造。
[0061]第二屏蔽物47与基底11隔开放置，从而不与基底11传导，并覆盖很可能沉积多晶硅的垂直盖43的上部。
[0062]图5是根据本发明的第三示例性实施方式的用于制造多晶硅的装置的局部放大图。
[0063]参考图5，除了第一屏蔽物46和第二屏蔽物47分别构造之外，第三示例性实施方式的用于制造多晶硅的装置具有与前述第二示例性实施方式相同的构造。与第二示例性实施方式中相同的部件使用相同的附图标记。
[0064]第一屏蔽物46和第二屏蔽物47可拆卸地组装，并且可以在使用盖屏蔽物45b后分别更换。在制造多晶硅的过程中，在第一屏蔽物46的表面上会比第二屏蔽物47沉积更多的多晶硅，因此在这种情况下，在使用盖屏蔽物45b后仅更换第一屏蔽物46来与第二屏蔽物47组装。
[0065]图6和图7是根据本发明的第四示例性实施方式的用于制造多晶硅的装置的局部放大图。
[0066]参考图6和图7，除了用于制造多晶硅的装置具有电极夹头60a覆盖电极盖41的上表面而无分开的盖屏蔽物的结构以外，第四示例性实施方式的用于制造多晶硅的装置是由与前述第一示例性实施方式相同的构造来形成的。与第一示例性实施方式中相同的部件使用相同的附图标记。
[0067]电极夹头60a包括一个覆盖电极盖41的上表面的下端61。也就是，电极夹头60a的下端61的直径等于或大于电极盖41的直径，以覆盖电极盖41的上表面。在第四示例性实施方式中，电极夹头60a包括一个固定丝极30的端部的夹头部62，以及连接在夹头部62下方以覆盖电极盖41的上表面的屏蔽部63。
[0068]屏蔽部63具有比夹头部62的最大直径更大的直径，并且其直径等于或大于电极盖41的直径，以覆盖电极盖41的上表面。图6图示出的情况是，屏蔽部63的直径等于电极盖41的直径，而图7图示出的情况是，屏蔽部63的直径大于电极盖41的直径。
[0069]电极夹头60a通常由包括石墨的基于碳的材料制成，并且在用于制造多晶硅的装置100使用之后当成消耗组件来更换，或者只要电极夹头60a不影响多晶硅的沉积就可以多次使用。因此，盖屏蔽物并不制造成一个单独的组件，而是屏蔽部63可以与电极夹头60a—体地形成。与上述第一到第三示例性实施方式相比，第四示例性实施方式的构造可避免分别制造盖屏蔽物所造成的不便。图8和9是根据本发明的第五示例性实施方式的用于制造多晶硅的装置的局部放大图。
[0070]参考图8和图9，除了用于制造多晶硅的装置进一步包括辅助屏蔽物70以外，第五示例性实施方式的用于制造多晶硅的装置具有与上述第四示例性实施方式中同样的构造。与第四示例性实施方式中相同的部件使用相同的附图标记。
[0071]辅助屏蔽物70在电极夹头60a的屏蔽部63的边缘与屏蔽部63垂直连接，以覆盖垂直盖43的外表面。辅助屏蔽物70与屏蔽部63可拆卸地组装，在这种情况下，辅助屏蔽物70可以单独更换。辅助屏蔽物70可以如电极夹头60b—样由石墨制成。
[0072]辅助屏蔽物70与基底11隔开放置，从而不与基底11传导，并覆盖很可能沉积多晶硅的垂直盖43的上部。
[0073]图10和图11是根据本发明的第六示例性实施方式的用于制造多晶硅的装置的局部放大图。
[0074]参考图10和图11，除了电极夹头60c具有单斜面而不分夹头部和屏蔽部以外，第六示例性实施方式的用于制造多晶硅的装置具有与上述第四示例性实施方式中同样的构造。与第四示例性实施方式中相同的部件使用相同的附图标记。
[0075]电极夹头60c包括固定丝极30的上端64;与电极20的凸起22耦合的下端61，以覆盖电极盖41的上表面;和连接上端64和下端61的单斜侧面65。下端61的直径大于上端64的直径，并等于或大于电极盖41的直径，以覆盖电极盖41的上表面。
[0076]电极夹头60c具有由除去锥体的一部分而形成的形状，并且具有很容易加工的简单形状。图10图示出的情况是，电极夹头60c的下端61的直径等于电极盖41的直径。图11图示出的情况是，电极夹头60c的下端61的直径大于电极盖41的直径。
[0077]图12和图13是根据本发明的第七示例性实施方式的用于制造多晶硅的装置的局部放大图。
[0078]参考图12和图13，除了用于制造多晶硅的装置进一步包括辅助屏蔽物70以外，第七示例性实施方式的用于制造多晶硅的装置具有与上述第六示例性实施方式中同样的构造。与第六示例性实施方式中相同的部件使用相同的附图标记。
[0079]辅助屏蔽物70在电极夹头60d的下端61的边缘与电极夹头60d垂直连接，以覆盖垂直盖43的外表面。辅助屏蔽物70与电极夹头60d可拆卸地组装，在这种情况下，辅助屏蔽物70可以单独更换。辅助屏蔽物70可以如电极夹头60d—样由石墨制成。
[0080]辅助屏蔽物70与基底11隔开放置，从而不与基底11传导，并覆盖很可能沉积多晶硅的垂直盖43的上部。
[0081]根据上述示例性的实施方式，在制造多晶硅的过程中，由于电极盖41，多晶硅并不沉积在电极20上以及间隔环52的表面上，结果是，可高度保持电极20和基底11的绝缘性质。此外，盖屏蔽物45、45a和45b或电极夹头60a、60b、60c和60d的下端覆盖电极盖41的上表面，因此可以省略电极盖41的清洁过程，结果是，可大大地减少用于制造多晶硅的装置100的维护成本。
[0082]虽然本发明已经结合目前被认为是实际的示例性实施方式进行了描述，但是应当理解的是，本发明并不限定于所公开的实施方式，而是，相反地，本发明意图涵盖包括在所附的权利要求的精神和范围内的各种修改和等同替代。
[0083]〈附图标记说明〉
[0084]100:用于制造多晶硅的装置
[0085]10:反应室
[0086]11:基底12:反应器盖
[0087]20:电极30:丝极
[0088]40:盖组件41:电极盖
[0089]45、45a、45b:盖屏蔽物 51:衬套
[0090]52:间隔环
[0091]60a、60b、60c、60d:电极夹头
【主权项】
1.一种用于制造多晶硅的装置，包括: 反应室，其包括基底和反应器盖； 至少一对电极，其通过绝缘部件穿过所述基底安装并与电源连接； 至少一对丝极，其通过电极夹头与该对电极耦合并且其上端彼此连接；以及盖组件，其包括在所述基底上围绕该对电极中每一个电极的上表面和侧面的电极盖，以及覆盖所述电极盖的上表面的盖屏蔽物。2.根据权利要求1所述的装置，其中所述电极具有在其上表面上形成的与所述电极夹头接合的凸起;并且所述电极盖包括水平盖和垂直盖，所述水平盖形成容纳所述凸起的开口并且布置在所述电极的上表面上，所述垂直盖在所述水平盖的边缘与所述水平盖垂直连接。3.根据权利要求2所述的装置，其中所述水平盖和所述垂直盖分别构造，以使其能够被单独更换。4.根据权利要求2所述的装置，其中所述电极盖包括选自熔融氧化硅(S12)、氮化硅(Si3N4)、氧化铝(Al2O3)、氧化锆(ZrO2)、氧化镁(MgO)和莫来石(3A1203.2Si02)中的任一种。5.根据权利要求2所述的装置，其中所述盖屏蔽物形成容纳所述凸起的开口，并且具有直径大于所述水平盖的圆盘形。6.根据权利要求2所述的装置，其中所述盖屏蔽物包括形成容纳所述凸起的开口并覆盖所述水平盖的上表面的第一屏蔽物，以及与所述第一屏蔽物的边缘连接以覆盖所述垂直盖的外表面的第二屏蔽物。7.根据权利要求6所述的装置，其中所述第一屏蔽物和所述第二屏蔽物分别构造，以使其能够是单独可更换的。8.根据权利要求5至权利要求7中任一项所述的装置，其中所述盖屏蔽物由包括石墨的基于碳的材料制成。9.根据权利要求8所述的装置，其中只要所述盖屏蔽物不影响多晶硅的沉积，所述盖屏蔽物在多晶硅制造后换新或重复使用。10.—种用于制造多晶硅的装置，其包括: 反应室，其包括基底和反应器盖； 至少一对电极，其通过绝缘部件穿过所述基底安装并与电源连接； 至少一对丝极，其通过电极夹头与该对电极耦合并且其上端彼此连接；以及 电极盖，其在所述基底上围绕所述电极的上表面和侧面， 其中所述电极夹头包括覆盖所述电极盖的上表面的下端。11.根据权利要求10所述的装置，其中所述电极具有在其上表面上形成的与所述电极夹头接合的凸起，并且所述电极盖包括水平盖和垂直盖，所述水平盖形成容纳所述凸起的开口并且布置在所述电极的上表面上，所述垂直盖在所述水平盖的边缘与所述水平盖垂直连接。12.根据权利要求11所述的装置，其中所述水平盖和所述垂直盖分别构造，以使其能够被单独更换。13.根据权利要求11所述的装置，其中所述电极盖包括选自熔融氧化硅(Si02)、氮化硅(Si3N4)、氧化铝(Al2O3)、氧化锆(ZrO2)、氧化镁(MgO)和莫来石(3A1203.2Si02)中的任一种。14.根据权利要求10至13任一项所述的装置，其中所述电极夹头包括固定所述丝极的末端的夹头部，和连接在所述夹头部下方的屏蔽部;并且所述屏蔽部的直径大于所述夹头部的最大直径并且等于或大于所述电极盖的直径。15.根据权利要求14所述的装置，进一步包括辅助屏蔽物，该辅助屏蔽物在所述屏蔽部的边缘与所述屏蔽部垂直连接，以覆盖所述垂直盖的外表面。16.根据权利要求15所述的装置，其中所述电极夹头和所述辅助屏蔽物由包括石墨的基于碳的材料制成;并且所述辅助屏蔽物与所述屏蔽部可拆卸地组装。17.根据权利要求10至13任一项所述的装置，其中所述电极夹头包括固定所述丝极的上端，和连接所述上端和下端的单斜侧面;并且所述下端的直径等于或大于所述电极盖的直径。18.根据权利要求17所述的装置，进一步包括辅助屏蔽物，该辅助屏蔽物在所述下端的边缘与所述下端垂直连接，以覆盖所述垂直盖的外表面。19.根据权利要求18所述的装置，其中所述电极夹头和所述辅助屏蔽物由包括石墨的基于碳的材料制成;并且所述辅助屏蔽物与所述下端可拆卸地组装。
【文档编号】C01B33/04GK105848774SQ201480070732
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2014年11月19日
【发明人】朴奎学, 朴成殷, 朴济城, 李熙东
【申请人】韩化石油化学株式会社