多晶硅阵列基板的制作方法、多晶硅阵列基板及显示面板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种多晶硅阵列基板的制作方法、多晶硅阵列基板及显示面板。
【背景技术】
[0002]目前，随着电子设备的迅速发展，显示面板越来越多的应用于电子设备中，显示面板包括阵列基板和彩膜基板，阵列基板是显示面板的重要组成之一。根据阵列基板中的薄膜晶体管的材质，阵列基板可分为多晶硅阵列基板和非晶硅阵列基板，多晶硅阵列基板的电子迀移率远远大于非晶硅阵列基板，因此，多晶硅阵列基板在应用方面具有更大的优势，多晶硅阵列基板往往由低温多晶硅技术得到，低温多晶硅技术是在封装过程中，利用准分子镭射作为热源，镭射光经过投射系统后，会产生能量均匀分布的镭射光束，镭射光束投射于非晶硅结构的基板上，当非晶硅结构基板吸收准分子镭射的能量后，会转变成为多晶硅结构。
[0003]但在现有技术中，制作多晶硅阵列基板形成遮光层、有源层、栅极(含栅线)、层间绝缘层(含栅极绝缘层)、源/漏极(含数据线)、树脂平坦层、公共电极、钝化层和像素电极的图案，分别各需要一次构图工艺，一次构图工艺中进行一次掩膜工艺，也就是说，制作多晶硅阵列基板至少需要进行九次掩膜工艺，使得多晶硅阵列基板的制作过程较为复杂，制作困难。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种多晶硅阵列基板的制作方法、多晶硅阵列基板及显示面板，用于简化多晶硅阵列基板的制作过程，降低多晶硅阵列基板的制作难度。
[0005]为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案:
[0006]第一方面，本发明提供了一种多晶硅阵列基板的制作方法，包括:
[0007]依次形成栅极绝缘材料层、层间绝缘材料层和树脂材料层，通过一次构图工艺形成栅极绝缘层、层间绝缘层和树脂平坦层的图案；
[0008]和/或，依次形成公共电极层和源/漏电极层，通过一次构图工艺形成公共电极、源/漏极和数据线的图案。
[0009]第二方面，本发明提供了一种多晶硅阵列基板，所述多晶硅阵列基板采用上述方案中所述的制作方法制作。
[0010]第三方面，本发明提供了另一种显示面板，所述显示面板包括上述方案中所述的多晶硅阵列基板。
[0011]本发明提供的多晶硅阵列基板的制作方法、多晶硅阵列基板及显示面板中，通过一次构图工艺形成栅极绝缘层、层间绝缘层和树脂平坦层的图案，和/或通过一次构图工艺形成公共电极、源/漏极和数据线的图案，由于一次构图工艺中只需要进行一次掩膜工艺，与现有技术中制作多晶硅阵列基板中的层间绝缘层(含栅极绝缘层)、源/漏极(含数据线)、树脂平坦层、公共电极至少需要进行四次掩膜工艺的制作方法相比，本发明在制作多晶硅阵列基板中的层间绝缘层、含栅极绝缘层、源/漏极和数据线、树脂平坦层、公共电极的过程中只需要进行两至三次掩膜工艺，使得多晶硅阵列基板的过程中减少了一至两次掩膜工艺，简化了多晶硅阵列基板的制作过程，降低了多晶硅阵列基板的制作难度。
【附图说明】
[0012]此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
[0013]图1为本发明实施例一中的多晶硅阵列基板的制作方法的流程图；
[0014]图2为本发明实施例一中的多晶娃阵列基板的结构不意图一；
[0015]图3为本发明实施例一中的多晶硅阵列基板的结构示意图二；
[0016]图4为本发明实施例一中的多晶娃阵列基板的结构不意图三；
[0017]图5为本发明实施例二中的多晶硅阵列基板的制作方法的流程图；
[0018]图6为本发明实施例三中的多晶硅阵列基板的制作方法的流程图；
[0019]图7a-图7g为本发明实施例三中的多晶硅阵列基板的工序示意图。
[0020]附图标记:
[0021]10-衬底基板，11-遮光层，
[0022]12-缓冲层，13-有源层，
[0023]14-欧姆接触层，15-漏极轻掺杂层，
[0024]16-栅极绝缘层，17-栅极和栅线，
[0025]18-层间绝缘层，19-树脂平坦层，
[0026]20-公共电极，21-源/漏极和数据线，
[0027]22-钝化层，23-像素电极。
【具体实施方式】
[0028]为了进一步说明本发明实施例提供的多晶硅阵列基板的制作方法、多晶硅阵列基板及显示面板，下面结合说明书附图进行详细描述。
[0029]实施例一
[0030]请参阅图1，本发明实施例提供的多晶硅阵列基板的制作方法，包括:
[0031]步骤101，依次形成栅极绝缘材料层、层间绝缘材料层和树脂材料层，通过一次构图工艺形成栅极绝缘层16、层间绝缘层18和树脂平坦层19的图案；在此步骤中，形成一层栅极绝缘材料层，在栅极绝缘材料层上方形成一层层间绝缘材料层，在层间绝缘材料层上形成一层树脂材料层，利用一次构图工艺形成栅极绝缘层16、层间绝缘层18和树脂平坦层19的图案。
[0032]步骤102，依次形成公共电极层和源/漏电极层，通过一次构图工艺形成公共电极20、源/漏极和数据线21的图案；在此步骤中，形成一层公共电极层，在公共电极层上方形成一层源/漏电极层，通过一次构图工艺在公共电极层和源/漏电极层形成公共电极20、源/漏级和数据线21的图案。一次构图工艺可以包括涂胶、曝光、显影、刻蚀等步骤，在此并不限定。
[0033]需要说明的是，步骤101与步骤102是和/或的关系，即可以只存在步骤101，也可以只存在步骤102，或者同时存在步骤101和102，当步骤101和步骤102同时存在时，步骤101先于步骤102执行。
[0034]请参阅图2，图2为利用上述多晶硅阵列基板的制作方法制作的多晶硅阵列基板(上述多晶硅阵列基板的制作方法中执行步骤101和步骤102制作的多晶硅阵列基板)的截面示意图，其中，该多晶硅阵列基板包括衬底基板10，衬底基板10上设有遮光层11，遮光层11和衬底基板10上设有缓冲层12，缓冲层12上设有有源层13、欧姆接触层14以及漏极轻掺杂层15，在有源层13、欧姆接触层14、漏极轻掺杂层15以及缓冲层12上设有栅极绝缘层16，在栅极绝缘层16上设有栅极和栅线17，在栅极和栅线17以及栅极绝缘层16上设有层间绝缘层18，在层间绝缘层18上设有树脂平坦层19，在树脂平坦层19设有第一过孔和第二过孔，第一过孔截止于欧姆接触层14 ;第二过孔截止于栅极和栅线17，栅极和栅线17同层设置；在第一过孔、第二过孔中以及树脂平坦层19上设有公共电极20、源/漏极和数据线21，源/漏极和数据线21同层设置，并位于公共电极20上方；在树脂平坦层19、公共电极20、源/漏极和数据线21上设有钝化层22，钝化层22设有第三过孔；在第三过孔设有像素电极23。
[0035]或者，请参阅图3，图3为利用上述多晶硅阵列基板的制作方法制作的另一种多晶硅阵列基板(上述多晶硅阵列基板的制作方法中只执行步骤101制作的多晶硅阵列基板)的截面示意图，其中，该多晶硅阵列基板包括衬底基板10，衬底基板10上设有遮光层11，遮