光层11和衬底基板10上设有缓冲层12，缓冲层12上设有有源层13、欧姆接触层14以及漏极轻掺杂层15，在有源层13、欧姆接触层14、漏极轻掺杂层15以及缓冲层12上设有栅极绝缘层16，在栅极绝缘层16上设有栅极和栅线17，在栅极和栅线17以及栅极绝缘层16上设有层间绝缘层18，在层间绝缘层18上设有树脂平坦层19，在树脂平坦层19设有第一过孔和第二过孔，第一过孔截止于欧姆接触层14 ;第二过孔截止于栅极和栅线17，栅极和栅线17同层设置；在第一过孔、第二过孔以及树脂平坦层19上设有源/漏极和数据线21，源/漏极和数据线21同层设置，在第二过孔中的源/漏极和数据线21上设有公共电极20，在树脂平坦层19、公共电极20、源/漏极和数据线21上设有钝化层22，钝化层22设有第三过孔；在第三过孔设有像素电极23。
[0036]或者，请参阅图4，图4为利用上述多晶硅阵列基板的制作方法制作的又一种多晶硅阵列基板(上述多晶硅阵列基板的制作方法中只执行步骤102制作的多晶硅阵列基板)的截面示意图，其中，该多晶硅阵列基板包括衬底基板10，衬底基板10上设有遮光层11，遮光层11和衬底基板10上设有缓冲层12，缓冲层12上设有有源层13、欧姆接触层14以及漏极轻掺杂层15，在有源层13、欧姆接触层14、漏极轻掺杂层15以及缓冲层12上设有栅极绝缘层16，在栅极绝缘层16上设有栅极和栅线17，在栅极和栅线17以及栅极绝缘层16上设有层间绝缘层18，在层间绝缘层18上设有第四过孔和第五过孔，第四过孔贯穿层间绝缘层18和栅极绝缘层16，截止于欧姆接触层14 ;第五过孔贯穿层间绝缘层18，截止于栅极和栅线17，栅极和栅线17同层设置；在第四过孔、第五过孔和层间绝缘层18上设有公共电极20、源/漏极和数据线21，源/漏极和数据线21同层设置，并位于公共电极20上方；在层间绝缘层18、公共电极20、源/漏极和数据线21上设有树脂平坦层19，树脂平坦层19上设有第六过孔，第六过孔贯穿树脂平坦层19 ;第六过孔设有像素电极23。
[0037]下面将具体说明上述多晶硅阵列基板中有源层13、欧姆接触层14以及漏极轻掺杂层15的具体制作方法:形成有源层13的过程包括，形成一层非晶硅(a-Si)薄膜(即有源材料层)，采用准分子激光退火工艺，将非晶硅薄膜转化为多晶硅(P-Si)薄膜，并经过曝光、显影、刻蚀等构图工艺，形成有源层13的图案；形成栅极和栅线17的过程包括，在有源层13和缓冲层12上形成栅极绝缘层16，在栅极绝缘层16上形成一层栅极电极层，对栅极电极层进行涂胶、曝光、显影和刻蚀等构图工艺，形成栅极和栅线17的图案；形成欧姆接触层14的过程包括，对与栅极和栅线17的图案不对应的有源层13的区域进行重掺杂，形成欧姆接触层14的图案；形成漏极轻掺杂层15的过程包括，对部分多晶硅薄膜进行漏极轻掺杂，形成漏极轻惨杂层15的图案。
[0038]本发明实施例中利用上述制作方法制作的多晶硅阵列基板的结构包括但不限于上述结构，使用本发明实施例中上述制作方法能够制作出的多晶硅阵列基板均在本发明实施例的保护范围内。
[0039]本发明提供的多晶硅阵列基板的制作方法和多晶硅阵列基板中，通过一次构图工艺形成栅极绝缘层、层间绝缘层和树脂平坦层的图案，和/或通过一次构图工艺形成公共电极、源/漏极和数据线的图案，由于一次构图工艺中只需要进行一次掩膜工艺，与现有技术中制作多晶硅阵列基板中的层间绝缘层(含栅极绝缘层)、源/漏极(含数据线)、树脂平坦层、公共电极至少需要进行四次掩膜工艺的制作方法相比，本发明在制作多晶硅阵列基板中的层间绝缘层、含栅极绝缘层、源/漏极和数据线、树脂平坦层、公共电极的过程中只需要进行两至三次掩膜工艺，使得多晶硅阵列基板的过程中减少了一至两次掩膜工艺，简化了多晶硅阵列基板的制作过程，降低了多晶硅阵列基板的制作难度。
[0040]实施例二
[0041]请参阅图5，下面将说明实施例一中的步骤101和步骤102的具体实施方法，其中，步骤101具体可以细化为步骤1011和步骤1012，步骤102具体可以细化为步骤1021-步骤1024，具体内容如下:
[0042]步骤1011，依次形成栅极绝缘材料层、层间绝缘材料层和树脂材料层。
[0043]步骤1012，利用一次掩膜工艺，对树脂材料层、层间绝缘材料层和栅极绝缘材料层进行刻蚀工艺，在树脂材料层、层间绝缘材料层和栅极绝缘材料层形成第一过孔和第二过孔，得到树脂平坦层19、层间绝缘层18和栅极绝缘层16的图案；其中，第一过孔贯穿树脂材料层、层间绝缘材料层和栅极绝缘材料层，第二过孔贯穿树脂材料层和层间绝缘材料层，从而得到树脂平坦层19、层间绝缘层18和栅极绝缘层16的图案。
[0044]步骤1021，依次形成公共电极层和源/漏电极层，利用灰度掩膜板，通过一次掩膜工艺形成光刻胶完全去除区、光刻胶完全保留区和光刻胶半保留区；其中，光刻胶完全去除区对应除公共电极20、源/漏极和数据线21之外的区域，光刻胶半保留区对应公共电极20，光刻胶完全保留区对应除光刻胶完全去除区和光刻胶半保留区对应的区域。
[0045]步骤1022，通过刻蚀工艺，将光刻胶完全去除区对应的公共电极层和源/漏电极层的部分去除；在步骤1022中，进行步骤102中的一次构图工艺中的第一次刻蚀工艺。
[0046]步骤1023，对光刻胶完全保留区和光刻胶半保留区的光刻胶进行灰化处理，将光刻胶完全保留区的光刻胶变薄，将光刻胶半保留区的光刻胶完全去除。
[0047]步骤1024，对剩余的源/漏电极层进行刻蚀，并将光刻胶完全保留区的光刻胶完全去除，形成公共电极20、源/漏极和数据线21的图案；其中，在步骤1024中，进行步骤102中一次构图工艺中的第二次刻蚀工艺；步骤1021-步骤1024通过一次构图工艺中的两次刻蚀工艺，得到了公共电极20、源/漏极和数据线21的图案。
[0048]需要说明的是，如图4所不，多晶娃阵列基板中还可以不设置纯化层22，在多晶娃阵列基板中不设置钝化层22的情况下，依次形成栅极绝缘材料层和层间绝缘材料层，利用一次掩膜工艺，对栅极绝缘材料层和层间绝缘材料层进行刻蚀工艺，在栅极绝缘材料层和层间绝缘材料层上形成第四过孔和第五过孔，从而形成栅极绝缘层16和层间绝缘层18的图案，其中，第四过孔贯穿栅极绝缘材料层和层间绝缘材料层，截止于欧姆接触层14，第五过孔贯穿层间绝缘材料层，截止于栅极和栅线17。
[0049]利用本发明实施例中的多晶硅阵列基板的制作方法制作的多晶硅阵列基板可以参见实施例一中的相关说明内容。
[0050]实施例三
[0051]请参阅图6，在多晶硅阵列基板中，还包括衬底基板10、遮光层11、有源层13、欧姆接触层14、漏极轻掺杂层15、栅极和栅线17、钝化层22和像素电极23等结构，为了制作上述结构，在实施例一中的步骤101之前，还包括步骤103-步骤105，在步骤102之后，还包括步骤106和步骤107，步骤103-步骤107的具体内容如下:
[0052]步骤103，在衬底基板10上形成遮光材料层，通过一次构图工艺形成遮光层11的图案。
[0053]步骤104，在遮光层11和衬底基板10上方形成有源材料层，通过一次构图工艺形成有源层13的图案。
[0054]步骤105，在有