源层13上形成栅极电极层，通过一次构图工艺形成栅极和栅线17的图案；其中，在完成步骤105之后，可以利用栅极和栅线17的遮挡，对部分有源层13进行重掺杂或漏极轻掺杂，形成有源层13、欧姆接触层14和漏极轻掺杂层15的最终图案，有源层13、欧姆接触层14和漏极轻掺杂层15的具体形成过程参见实施例一相关说明内容。
[0055]步骤106，在公共电极20、源/漏极和数据线21上方形成钝化材料层，并通过一次构图工艺形成钝化层22的图案；其中，通过一次构图工艺形成钝化层22的图案具体可以细化为利用一次掩膜工艺，对钝化材料层进行刻蚀工艺，在钝化材料层形成第三过孔，第三过孔贯穿钝化材料层，从而得到钝化层22的图案，钝化层22的具体结构可参阅图2和图3。需要说明的是，如图4所示，多晶硅阵列基板中还可以不设置钝化层22，在多晶硅阵列基板中不设置钝化层22的情况下，公共电极20、源/漏极和数据线21位于层间绝缘层18上，在公共电极20、源/漏极和数据线21上方形成树脂材料层，并通过一次构图工艺形成树脂平坦层19的图案；其中，通过一次构图工艺形成树脂平坦层19的图案的步骤具体可以细化为利用一次掩膜工艺，对树脂材料层进行刻蚀工艺，在树脂材料层形成第六过孔，第六过孔贯穿树脂材料层，从而得到树脂平坦层19的图案。
[0056]步骤107，在钝化层22上方形成像素电极层，并通过一次构图工艺形成像素电极23的图案；具体的，像素电极23可以位于第三过孔。需要说明的是，如图4所示，多晶硅阵列基板中还可以不设置钝化层22，在多晶硅阵列基板中不设置钝化层22的情况下，在树脂平坦层19上方形成像素电极层，通过一次构图工艺形成像素电极23的图案，具体的，像素电极可以位于第六过孔。
[0057]结合实施例一至实施例三，可以得知，本发明实施例中多晶硅阵列基板的制作方法只需要进行七至八次掩膜工艺，相比现有技术，减少了一至两次掩膜工艺，简化了多晶硅阵列基板的制作过程。比如:图7a_图7g为多晶硅阵列基板的工序示意图，说明了多晶硅阵列基板的制作过程中的七次掩膜工艺，其中，图7a与步骤103对应，图7b与步骤104对应，图7c与步骤105对应，图7d与步骤101对应，图7e与步骤102对应，图7f与步骤106对应，图7g与步骤107对应，利用该制作方法制作的多晶硅阵列基板参见实施例一中的相关说明内容。
[0058]实施例四
[0059]本发明实施例提供一种显示面板，该显示面板包括上述实施例中所述的多晶硅阵列基板，所述显示面板中的多晶硅阵列基板与上述实施例中制作得到的多晶硅阵列基板具有的优势相同，此处不再赘述。具体的，显示面板可以为液晶显示面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0060]在上述实施方式的描述中，具体特征、结构或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
[0061]以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
【主权项】
1.一种多晶硅阵列基板的制作方法，其特征在于，包括: 依次形成栅极绝缘材料层、层间绝缘材料层和树脂材料层，通过一次构图工艺形成栅极绝缘层、层间绝缘层和树脂平坦层的图案； 和/或，依次形成公共电极层和源/漏电极层，通过一次构图工艺形成公共电极、源/漏极和数据线的图案。2.根据权利要求1所述的多晶硅阵列基板的制作方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺形成栅极绝缘层、层间绝缘层和树脂平坦层的图案的步骤具体包括: 利用一次掩膜工艺，对所述树脂材料层、所述层间绝缘材料层和所述栅极绝缘材料层进行刻蚀工艺，在所述树脂材料层、所述层间绝缘材料层和所述栅极绝缘材料层上形成第一过孔、第二过孔，得到所述栅极绝缘层、层间绝缘层和树脂平坦层的图案，所述第一过孔贯穿所述树脂材料层、所述层间绝缘材料层和所述栅极绝缘材料层，所述第二过孔贯穿所述树脂材料层和所述层间绝缘材料层。3.根据权利要求1所述的多晶硅阵列基板的制作方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺形成公共电极、源/漏极和数据线的图案的步骤具体包括: 利用灰度掩膜板，通过一次掩膜工艺形成光刻胶完全去除区、光刻胶完全保留区和光刻胶半保留区，所述光刻胶完全去除区对应除所述公共电极、所述源/漏极和所述数据线之外的区域，所述光刻胶半保留区对应所述公共电极，所述光刻胶完全保留区对应除所述光刻胶完全去除区和所述光刻胶半保留区对应的区域； 通过刻蚀工艺，将所述光刻胶完全去除区对应的所述公共电极层和所述源/漏电极层的部分去除； 对所述光刻胶完全保留区和所述光刻胶半保留区的光刻胶进行灰化处理，将所述光刻胶完全保留区的光刻胶变薄，将所述光刻胶半保留区的光刻胶完全去除； 对剩余的所述源/漏电极层进行刻蚀，并将所述光刻胶完全保留区的光刻胶完全去除，形成所述公共电极、所述源/漏极和所述数据线的图案。4.根据权利要求1所述的多晶硅阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括: 在衬底基板上形成遮光材料层，通过一次构图工艺形成遮光层的图案； 在所述遮光层和所述衬底基板上方形成有源材料层，通过一次构图工艺形成有源层的图案； 在所述有源层上方形成栅极电极层，通过一次构图工艺形成栅极和栅线的图案。5.根据权利要求1所述的多晶硅阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括: 在所述公共电极、所述源/漏极和所述数据线上方形成钝化材料层，通过一次构图工艺形成所述钝化层的图案； 在所述钝化层上方形成像素电极层，通过一次构图工艺形成像素电极的图案。6.根据权利要求5所述的多晶硅阵列基板的制作方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺形成所述钝化层的图案的步骤具体包括: 利用一次掩膜工艺，对所述钝化材料层进行刻蚀工艺，在所述钝化材料层形成第三过孔，得到所述钝化层的图案，所述第三过孔贯穿所述钝化材料层。7.一种多晶硅阵列基板，其特征在于，所述多晶硅阵列基板采用如权利要求1-6中任一项所述的制作方法制作。8.—种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求7所述的多晶硅阵列基板。
【专利摘要】本发明公开一种多晶硅阵列基板的制作方法、多晶硅阵列基板及显示面板，涉及显示技术领域，为解决多晶硅阵列基板的制作过程较为复杂，制作困难的问题。所述多晶硅阵列基板的制作方法，包括：依次形成栅极绝缘材料层、层间绝缘材料层和树脂材料层，通过一次构图工艺形成栅极绝缘层、层间绝缘层和树脂平坦层的图案；和/或，依次形成公共电极层和源/漏电极层，通过一次构图工艺形成公共电极、源/漏极和数据线的图案。所述多晶硅阵列基板由上述技术方案所提到的制作方法包括上述技术方案制作得到，所述显示面板包括上述技术方案所提的多晶硅阵列基板。本发明提供的多晶硅阵列基板的制作方法用于制作多晶硅阵列基板。
【IPC分类】H01L27/12, H01L21/77
【公开号】CN105336684
【申请号】CN201510691223
【发明人】孙双, 张斌
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2016年2月17日
【申请日】2015年10月22日