技术总结
本发明属于磁约束聚变设计技术领域，具体涉及一种托卡马克混合偏滤器磁场位形构建方法。本发明的托卡马克混合偏滤器磁场位形构建方法，在强场侧设置第一极向场线圈、第二极向场线圈和第三极向场线圈，所述第一极向场线圈、第二极向场线圈和第三极向场线圈的几何中心位置与第一X点的距离分别为1～1.5a、1.5～3a和1.5～3a，其中a为等离子体小半径。本发明解决了现有的偏滤器磁场位形构建方法所构建出的偏滤器磁场位形会使靶板受热面积较小，在高加热运行条件下，靶板热流面临重大挑战的技术问题。混合偏滤器磁场位形结构，具备同时降低内外偏滤器靶板热负载和增强靶板粒子控制的能力，改善了偏滤器运行与芯部高加热等离子体运行的兼容性。
技术研发人员：郑国尧
受保护的技术使用者：核工业西南物理研究院
技术研发日：2016.12.30
技术公布日：2018.07.10