一种防静电膜的制作方法

文档序号:16872710发布日期:2019-02-15 20:46阅读:324来源:国知局
一种防静电膜的制作方法

本实用新型涉及电子产品包装等领域,具体为一种防静电膜。



背景技术:

随着电子工业的迅猛发展,电子线路板集成度越来越高,主机板上电子元器件的高密度、布线的紧凑、甚至表面贴装式元件的广泛采用,都易导致静电损伤线路板卡。美国机构对某大型通信系统装备中的集成电路进行测试时,发现有故障的集成电路有三分之一是被静电放电击穿的。用防静电膜包装产品能够避免静电损坏集成电路。

现有的防静电膜其性能较差,缺乏足够柔韧性、抗震性的这类包装材料不能对电子产品提供足够的保护,有时,金属层在使用时,会发生局部的裂痕,其防静电效果大大下降,难以避免对产品造成的破坏。而且其导热性能较差,在由于产品在运输过程中,由于喷撞产生静电和热量,薄膜散热效果不佳,会影响防静电效果。若静电过大,产生的热量过多,或者因外部原因发生火灾,怎样使防静电膜起到保护电子产品是目前需要解决的问题。



技术实现要素:

本实用新型的目的是:提供一种防静电膜,以解决现有技术中至少一种技术问题。

实现上述目的的技术方案是:一种防静电膜,包括第一基膜,其一面镀有第一金属层;第二基膜,其一面镀有第二金属层,且朝向所述第一金属层;石墨烯粉末层,矩阵式分布于所述第一金属层和第二金属层之间;第一阻燃层,涂覆于所述第一基膜和/或第二基膜的另一面;第二阻燃层,填充于所述石墨烯粉末层中。

进一步的,所述第一基膜和第二基膜的材料为普通PE或普通CPP材料。

进一步的,所述第一金属层和第二金属层的材料为铝、铜、铝铜氧化物中的至少一种。

进一步的,所述第一阻燃层为三氧化二锑、氢氧化镁、氢氧化铝中的至少一种。

进一步的,所述第二阻燃层为有机硅树脂。

进一步的,所述石墨烯粉末层的厚度为在2um-3um之间。

进一步的,所述第一金属层或第二金属层的厚度在3um-5um之间。

进一步的,所述第二阻燃层的厚度在7um-15um之间。

进一步的,所述第一基膜或第二基膜的厚度在10um-20um之间。

本实用新型的优点是:本实用新型的防静电膜,有效的改善了防静电膜的防静电效果,防静电膜表面电阻可控制在107Ω/sq以下,石墨烯粉末层与第一金属层和第二金属层之间的配合使用,使得其防静电性能可靠、稳定;通过石墨烯粉末层的设置,能够有效的提高了防静电膜的导热性能,通过阻燃层而且能够有效的起到阻燃效果。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步解释。

图1是本实用新型实施例的防静电膜的结构示意图。

其中,

1第一基膜; 2第二基膜;

3石墨烯粉末层; 4第一阻燃层;

11第一金属层; 21第二金属层;

5第二阻燃层。

具体实施方式

以下实施例的说明是参考附加的图式,用以例示本实用新型可用以实施的特定实施例。本实用新型所提到的方向用语,例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「顶」、「底」等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本实用新型,而非用以限制本实用新型。

实施例:如图1所示,一种防静电膜,包括第一基膜1和第二基膜2、石墨烯粉末层3、第一阻燃层4、第二阻燃层5。

其中,第一基膜1和第二基膜2的材料为普通PE或普通CPP材料即可,不需要采用特殊的基膜材料。第一基膜1作为内层时,第一基膜1的一面镀有第一金属层11,另一面涂覆有第一阻燃层4;第二基膜2的一面镀有第二金属层21,且朝向第一金属层11。若第二基膜2作为内层时,则第二基膜2的一面镀有第二金属层21,另一面涂覆有第一阻燃层4。或者,不分内外层,在第一基膜1和第二基膜2的外表面均涂覆第一阻燃层4,以便于使用。本实施例中,第一阻燃层4为三氧化二锑、氢氧化镁、氢氧化铝中的至少一种。

石墨烯粉末层3矩阵式分布于第一金属层11和第二金属层21之间;石墨烯粉末层3具有良好的导电性,同时具有良好的导热性能。

第二阻燃层5填充于所述石墨烯粉末层3中。第二阻燃层5为有机硅树脂,有机硅树脂具有良好的阻燃性能,即使外层的第一阻燃层4被破坏,内层的第二阻燃层5也会阻止静电薄膜燃烧,同时有机硅树脂具有透明性。

第一金属层11和第二金属层21的材料为铝、铜、铝铜氧化物中的至少一种。本实施例中,为了减轻防静电薄膜的质量,采用铝作为金属层。

本实施例中,石墨烯粉末层3的厚度为在2um-3um之间,优选为2.5um。

本实施例中,第一金属层11或第二金属层21的厚度在3um-5um之间。优选为4um。

本实施例中,第二阻燃层5的厚度在7um-15um之间。优选为10um。

本实施例中,第一基膜1或第二基膜2的厚度在10um-20um之间。优选为15um。

以上仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

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