晶体管无级调光镇流器的制作方法

文档序号:8011181阅读:419来源:国知局
专利名称:晶体管无级调光镇流器的制作方法
技术领域
本实用新型是一种晶体管无级调光镇流器。
现有技术虽然具有节能、调光、不用启辉器的特点,但调光范围窄,尚不能实现大范围无级调光,而且成本高,节能效果不够理想,不利于普及应用。
本实用新型的目的在于提供一种成本低、节能效果好、能实现大范围无级调光的镇流器。
本实用新型的技术解决方案如下本实用新型由壳体、底座、电子电路组成,其中电子电路包括电源电路、自激式多谐振荡电路、输出电路和输出功率调整电路。电源电路与自激式多谐振荡电路连接。自激式多谐振荡电路的负载线圈即初级线圈N1、正反馈线圈NA、NB和输出功率调整电路的电源线圈均绕在E型磁心的中心磁路上,输出电路为负载变压器的非紧密耦合线圈、其灯管电源线圈NG和灯丝电源线圈N8分别绕在E型磁心的两侧磁轭。输出功率调整电路可以调整控制自激式多谐振荡电路的振荡频率,由振荡频率给定输出功率。
灯管电源线圈NG两端并联电容CG,由于它与初级线圈N1采用非紧密耦合的方式,所以,当自激式多谐振荡电路的振荡频率发生改变的时候,漏感压降和电容CG的电流均作相应的变化,导致灯管电流改变,实现输出功率的调整。另外,电容CG的并入还使得灯管电源线圈输出电压远大于线圈NG与初级线圈N1的正比电压,从而有利于实现启动。
本实用新型的电源电路可以在其输出端间串联分压电容C2、C3,形成以C2、C3的接点为公共输出端的分压式电源。从而使自激式多谐振荡电路中的晶体管最高反压减半,降低对晶体管的耐压要求,从而降低了成本,降低了能耗。
本实用新型由于采用与初级线圈N1非紧密耦合的灯管电源线圈,并在其两端并联电容CG,使得能够利用漏感压降和电容电流的变化实现输出功率的连续调整,因而它能实现大范围的无级调光。又因为电容C2、C3构成分压式电源,降低了对自激式多谐振荡电路中晶体管的耐压要求,所以,大大降低了成本和能耗,因而它又具有低成本和节能的优点。
以下结合附图描述一个实施例

图1为本实用新型电子电路的方框图。
图2为连接电源电路的自激式多谐振荡电路图。
图3为输出电路图。
图4为输出功率调整电路图本实用新型由壳体、底座、电子电路组成。
如图1电子电路包括电源电路、自激式多谐振荡电路、输出电路和输出功率调整电路。
如图2电源UCC经桥式整流,再经T型滤波后,在其输出端间串联分压电容C2、C3,形成以C2、C3的接点为公共输出端的分电压输出,公共输出端与晶体管BG1的发射极和晶体管BG2的集电极的接点间连接初级线圈N1,另外两个输出端,即电容C2、C3的非共接端分别与晶体管BG1的集电极和晶体管BG2的发射极连接。初级线圈N1和正反馈线圈NA、NB均绕在E型磁心的中心磁路上。晶体管BG1、BG2各自组成相同的具有两对反馈输入端的放大电路,一对输入端连接正反馈线圈,另一对输入端连接输出功率调整电路的反馈线圈。在晶体管BG1的放大电路中,输出功率调整电路反馈信号输入端连接二极管半波整流和RC积分电路,RG积分电路输出端连接晶体管BG3的基极和发射极,晶体管BG3的集电极与晶体管BG1的基极间连接关断电容C4,晶体管BG3的基极与晶体管BG1的基极间连接电阻R1、R2和二极管D1、D2,其中电阻R2、二极管D2组成积分电路的放电电路,二极管D1与电阻R1并联,在晶体管BG3的集电极与发射极之间反向连接二极管D3,以保证关断电容C4充电,在晶体管BG1的集电极与发射极间反向连接振荡电路感性负载的放电二极管D4,以保护晶体管免被击穿。晶体管BG2的放大电路与BG1的放大电路相同。
在晶体管BG1、BG2的发射极之间连接放电二极管D5和启动电容C5及电阻R3,电阻R3与二极管D5并联,二极管D5与晶体管BG2的基极间连接启动双向二极管D6。当电源UCC接通时,启动电容C5首先充电,达到预定值时,启动双向二极管D6导通,晶体管BG2回路开始导通,晶体管BG2集电极电流增大,当基极电流无法维持其饱和导通时,集电极电流减小,引致负载线圈N1产生反向电动势,线圈NB的反馈电压方向改变,晶体管BG2截止。晶体管BG1回路立即导通,当其积分电压达到预定值时,晶体管BG3导通,关断电容C4的压降加到晶体管BG1的发射极,使其反向偏置,晶体管BG1截止,晶体管BG2回路导通。如此反复,形成推挽振荡,当输出功率调整电路的反馈信号电压改变时,积分电路所控制的关断周期发生对应变化,从而调整自激式多谐振荡电路的振荡频率。
如图3输出电路是负载变压器的非紧密耦合线圈,其灯管电源线圈NG和灯丝电源线圈NS分别绕在E型磁心的两侧磁轭。灯管电源线圈NG并联电容CG,它与灯管间串联与输出功率调整电路耦合的灯管变流器。灯管两端并联电容C6,电容CG与C6间连接隔直流电容C7。灯丝电源线圈NS串联能减小灯丝负载阻抗的电容C8,以减小控制灯管电流所需的频率变量。当自激式多谐振荡电路振荡频率增大时,漏感压降增大,电容CG的电流增大,从而导致灯管电流减小,输出功率减小;反之,振荡频率减小时,漏感压降减小,电容CG电流减小,从而导致灯管电流增大,输出功率增大。
如图4输出功率调整电路连接三个耦合线圈,其中电压UV、UF由主磁路引出,电压UI从灯管变流器中引出。电压UI经桥式整流后输出与灯管电流成正比的直流电压,其高电位端连接晶体管BG5的基极,低电位端与电压UV的低电位端共接,两端间串联稳压管D7和电阻R4。电压UV经二极管半波整流和RC∏型滤波,其输出端间连接电阻R5、电位器W、电阻R6,电位器W与晶体管BG5的发射极连接,与基极间连接二极管D8。电位器W可以调整晶体管BG5的发射极与共接低电位端间的电压,它与电压UI的输出电压的差值控制了晶体管BG5的导通状态,从而控制其负载即与输出功率调整电路反馈线圈相耦合的线圈BF的电压降,也就控制了输出功率调整电路的反馈电压信号,从而决定自激式多谐振荡电路的振荡频率。晶体管BG5的集电极与发射极间并联滤波电容C9和最大输出限制电阻R6,电压UF经桥式整流后输出直流电压,保证晶体管BG5对输出频控电压的调整。
权利要求1.一种晶体管无级调光镇流器,由壳体、底座、电子电路组成,其中电子电路包括电源电路、自激式多谐振荡电路、输出电路和输出功率调整电路,自激式多谐振荡电路与电源电路连接,其负载线圈即初级线圈N1和正反馈线圈及输出功率调整电路电源线圈均绕在E型磁心的中心磁路上,输出电路为初级线圈N1的非紧密耦合线圈,其灯管电源线圈N6和灯丝电源线圈N5分别绕在E型磁心的两侧磁轭,输出功率调整电路可以调整控制自激式多谐振荡电路的振荡频率,进而调整控制输出功率,本实用新型的特征在于在灯管输出电路中,与初级线圈N1非紧密耦合的灯管电源线圈N6的两端并联能够与漏感共同作用调整输出功率的电容C6。
2.根据权利要求1所述的晶体管无级调光镇流器,其特征在于所述的电源电路在其输出端间串联分压电容C2、C3,形成以C2、C3的接点为公共输出端的分压式电源。
专利摘要本实用新型提供了一种晶体管无级调光镇流器,它的电子电路由电源电路,自激式多谐振荡电路,输出电路和输出功率调整电路组成。它采用非紧密耦合的灯管电源线圈并联电容的方式,通过振荡频率变化调整输出功率,因而,它具有大范围无级调光的优点,可从4瓦至额定功率实现无级调光。另外,它还采用电源电路输出端连接分压电容的方式,降低了振荡管的耐压要求,大大降低了成本,且空载能耗比普通镇流器减小一半以上,适于普及应用。
文档编号H05B41/392GK2105170SQ91222419
公开日1992年5月20日 申请日期1991年10月31日 优先权日1991年10月31日
发明者郭学谦, 张乃栋, 杨守波 申请人:郭学谦, 张乃栋, 杨守波
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1