全电子无触点低压快速启辉器的制作方法

文档序号:8014402阅读:267来源:国知局
专利名称:全电子无触点低压快速启辉器的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种全电子无触点的启辉器。
中国专利授权公告号CN 2165601Y公开了一种“荧光灯电子启辉器”,由二极管、稳压管和可控硅组成,A、B两工作端串联荧光灯预热电路,A端经二极管与稳压管和可控硅相连,再联接B端。其不足之处是,当可控硅损坏,阴阳两极处于导通状态,易使荧光灯烧坏,此外,可控硅触发极无稳定装置,易使可控硅处于半导通状态,从而造成荧光灯多次闪烁。
本实用新型的目的就是提供一种稳定性高、低压快速启辉的启辉器。
本实用新型可由以下方式来实现本实用新型由可控硅的开关电路和互补型锯齿波发生器振荡电路构成。可控硅的开关电路由可控硅KG,可控硅的触发极串接稳压二极管Z、二极管D4和电阻R1。可控硅触发极串接有并联的电容C2和电阻R3。互补型锯齿波发生器振荡电路由PNP晶体管BG2、NPN晶体管BG1构成正反馈电路,再串接电阻R8和电容C4。互补型锯齿波发生器振荡电路并联电解电容C3,串接二极管D3,再连接二极管D2与可控硅KG阳极。
本实用新型由于采用了可控硅的开关特性和互补型锯齿波发生器振荡电路,因而具有低压,快速启辉,稳定性高的特点。
以下结合附图,对本实用新型作进一步描述。


图1为本实用新型的电路原理图。
参阅图1。A、B两端接日光灯预热电路,经电容C1、二极管D1并联,进行倍压整流后接人可控硅KG的阳极,可控硅KG的触发极由电阻R1、二极管D4与稳压二极管Z串联,接A端,以它来提供触发电流。由于稳压二极管的特性,当市电电压小于稳压二极管Z的稳定电压VZ时,可截止电流通过。日光灯启辉前两端电压VAB和市电电压相等,而日光灯启辉后VAB小于市电电压,根据这一原理,可以设定稳压二极管的稳定电压VZ,进行控制启辉电压,因此可达到低压启辉。当触发极有大于可控硅KG所需的触发电流时,可控硅导通,给日光灯提供启辉条件,启辉后触发极电流为D,故可维持启辉状态。可控硅触发极由电容C2、电阻R3并联后接B端,用于保证可控硅的稳定性。
互补型锯齿波发生器振荡电路电源由可控硅反向电压提供,此电压通过二极管D3和电容C3整流滤波,二极管D2可防止过大反向电压串入,烧坏元件。电阻R2为电容C3提供放电电阻,锯齿波发生器振荡电路接通电源时,电源通过电阻R4向电容C4充电,开始时C4上电压很低,即NPN晶体管BG1基极电压也很低,此时BG1截止,PNP晶体管BG2由于基极无偏置电压也截止,当C4上电压逐渐上升使BG1导通时,BG2基极产生偏置电压,BG2也导通,此时,C4通过R8放电,形成锯齿波,当C4放电使C4上电压低于BG1导通点时,BG1、BG2相继截止,C4又开始充电,开始下一个周期,以此产生锯齿波提供给可控硅触发极,使其有正常的开关状态,保证日光灯启辉,并有快速开关状,提供快速启辉的条件。
权利要求1.一种全电子无触点低压快速启辉器,其特征在于由可控硅的开关电路和互补型锯齿波发生器振荡电路构成。
2.依权利要求1所述的全电子无触点低压快速启辉器,其特征在于可控硅的开关电路由可控硅RG、可控硅的触发极串接稳压二极管2、二极管D4和电阻R1。
3.依权利要求1所述的全电子无触点低压快速启辉器,其特征在于互补型锯齿波发生器振荡电路由PNP晶体管BG2、NPN晶体管BG1构成正反馈电路,再串接电阻R8和电容C4。
4.依权利要求2所述的全电子无触点低压快速启辉器,其特征在于可控硅触发极串接有并联的电容C2和电阻R3。
5.依权利要求3所述的全电子无触点低压快速启辉器,其特征在于互补型锯齿波发生器振荡电路,并联电容C3,串联二极管D3,再连接二极管D2与可控硅KG阳极。
专利摘要本实用新型涉及一种全电子无触点低压快速启辉器,其特征是由可控硅的开关电路和互补型锯齿波发生器振荡电路构成。本实用新型由于采用了可控硅的开关特性和互补型锯齿波发生器振荡电路,因而具有低压,快速启辉,稳定性高的特点。
文档编号H05B41/02GK2236203SQ9422339
公开日1996年9月25日 申请日期1994年10月25日 优先权日1994年10月25日
发明者黄金文, 李强 申请人:黄金文, 李强
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1