所描绘的FinFET晶体管，所述FinFET晶体管可根据图4至7和10中的一者或一者以上来操作，且可根据图9而形成，或其任何组合。尽管将FinFET存储器1164描绘为数字信号处理器(DSP) 1110的部分，但在其它实施例中，FinFET存储器1164可与DSP 1110分离。
[0048]图11还展示显示控制器1126，其耦合到数字信号处理器1110且耦合到显示器1128。编码器/解码器(C0DEC)1134还可耦合到数字信号处理器1110。扬声器1136和麦克风1138可耦合到CODEC 1134。
[0049]图11还指示无线控制器1140，其可耦合到数字信号处理器1110且耦合到无线天线1142。在特定实施例中，FinFET存储器1164、DSP 1110、显示控制器1126、存储器1132、C0DEC1134和无线控制器1140包含在系统级封装或系统芯片装置1122中。在特定实施例中，输入装置1130和电源1144耦合到系统芯片装置1122。此外，在特定实施例中，如图11中所说明，显示器1128、输入装置1130、扬声器1136、麦克风1138、无线天线1142和电源1144是在系统芯片装置1122外部。然而，显示器1128、输入装置1130、扬声器1136、麦克风1138、无线天线1142和电源1144中的每一者可耦合到系统芯片装置1222的组件，例如，接口或控制器。
[0050]所属领域的技术人员将进一步了解，结合本文中所揭示的实施例而描述的各种说明性逻辑块、配置、模块、电路和算法步骤可实施为电子硬件、电脑软件或两者的组合。为了清楚地说明硬件与软件的此可互换性，各种说明性组件、块、配置、模块、电路和步骤已在上文大体在其功能性方面加以描述。将所述功能性实施为硬件或是软件取决于特定应用和外加于整个系统的设计约束。对于每一特定应用而言，所属领域的技术人员可以变化的方式实施所描述的功能性，但不应将所述实施决策解释为导致脱离本发明的范畴。
[0051 ]结合本文中所揭示的实施例而描述的方法或算法的步骤可直接体现于硬件中、由处理器执行的软件模块中，或两者的组合中。软件模块可驻存于随机存取存储器(RAM)、快闪存储器、只读存储器(R0M)、可编程只读存储器(PROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、寄存器、硬盘、抽取式磁盘、压缩光盘只读存储器(CD-ROM)，或此项技术中已知的任何其它形式的存储媒体中。示范性存储媒体耦合到处理器，使得处理器可从存储媒体读取信息和将信息写入到存储媒体。在替代例中，存储媒体可集成到处理器。处理器和存储媒体可驻存于专用集成电路(ASIC)中。所述ASIC可驻存于计算装置或用户终端中。在替代例中，处理器和存储媒体可作为离散组件驻存于计算装置或用户终端中。
[0052]提供所揭示的实施例的前述描述以使任何所属领域的技术人员能够制作或使用所揭示的实施例。这些实施例的各种修改对于所属领域的技术人员而言将显而易见，且本文所界定的原理可在不脱离本发明的范畴的情况下应用于其它实施例。因此，本发明并非希望限于本文中所展示的实施例，而应符合可能与如权利要求书所界定的原理和新颖特征相一致的最广泛范畴。
【主权项】
1.一种制造晶体管的方法，所述方法包括: 在具有表面的衬底内形成晶体管的栅极； 在所述衬底内形成内埋氧化物BOX层，所述BOX层在第一BOX层面处邻近于所述栅极；以及 形成凸起的源极-漏极通道，即鳍，其中所述鳍的至少一部分从所述衬底的所述表面延伸，且其中所述鳍具有邻近于所述BOX层的第二 BOX层面的第一鳍面。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述栅极经由所述BOX层电耦合到所述鳍。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述栅极可操作以电耦合到第一偏压源。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述栅极是底栅极，且所述方法进一步包括形成前栅极，所述前栅极在第二鳍面处电耦合到所述鳍。5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括形成后栅极，所述后栅极在第三鳍面处电耦合到所述鳍。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述前栅极可操作以电耦合到第二偏压源，且其中所述后栅极可操作以电耦合到第三偏压源。7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括形成顶栅极，其中所述顶栅极在第四鳍面处电耦合到所述鳍。8.—种半导体装置，其包括: 衬底； 所述衬底内的第一栅极； 所述衬底内的内埋氧化物BOX层，所述BOX层具有邻近于所述第一栅极的第一面且具有第二面；以及 凸起的源极-漏极通道，即鳍，其中所述鳍的至少一部分从所述衬底的表面延伸，且其中所述鳍具有邻近于所述BOX层的所述BOX层的所述第二面的第一鳍面。9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述第一栅极经由所述BOX层电耦合到所述鳍，且其中所述第一栅极电耦合到第一偏压源。10.根据权利要求8所述的半导体装置，其进一步包括: 第二栅极，所述第二栅极在第二鳍面处电耦合到所述鳍；以及 第三栅极，所述第三栅极在第三鳍面处电耦合到所述鳍。11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述第一栅极为底栅极，其中所述第二栅极为前栅极，且其中所述第三栅极为后栅极。12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述第一栅极耦合到第一偏压源，其中所述第二栅极耦合到第二偏压源，且其中所述第三栅极耦合到第三偏压源。13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中由所述第一偏压源提供的第一栅极电压、由所述第二偏压源提供的第二栅极电压以及由所述第三偏压源提供的第三栅极电压致使多个空穴在所述鳍内的累积。14.根据权利要求10所述的半导体装置，其进一步包括第四栅极，所述第四栅极在第四鳍面处耦合到所述鳍。15.—种设备，其包括: 用于选择性地传导电流的装置，其中所述用于选择性地传导电流的装置的至少一部分从衬底的表面延伸； 用于控制所述用于选择性地传导电流的装置的第一装置，其中用于控制的所述第一装置在所述衬底内；以及 用于将用于控制的所述第一装置与所述用于选择性地传导电流的装置隔离的装置，其中用于隔离的所述装置在所述衬底内，其中用于隔离的所述装置的第一面邻近用于控制的所述第一装置，且其中用于隔离的所述装置的第二面邻近所述用于选择性地传导电流的装置的第一面。16.根据权利要求15所述的设备，其中用于控制的所述第一装置经由用于隔离的所述装置电耦合到所述用于选择性地传导电流的装置，且其中用于控制的所述第一装置电耦合到用于提供第一栅极电压的装置。17.根据权利要求15所述的设备，其进一步包括: 用于控制所述用于选择性地传导电流的装置的第二装置，其中用于控制的所述第二装置在所述用于选择性地传导电流的装置的第二面处电耦合到所述用于选择性地传导电流的装置;及 用于控制所述用于选择性地传导电流的装置的第三装置，其中用于控制的所述第三装置在所述用于选择性地传导电流的装置的第三面处电耦合到所述用于选择性地传导电流的装置。18.根据权利要求17所述的设备，其中用于控制的所述第一装置电耦合到用于提供第一栅极电压的装置，其中用于控制的所述第二装置电耦合到用于提供第二栅极电压的装置，且其中用于控制的所述第三装置电耦合到用于提供第三栅极电压的装置。19.根据权利要求18所述的设备，其中通过所述用于选择性地传导电流的装置的电流流动量是基于所述第一栅极电压、所述第二栅极电压和所述第三栅极电压的。20.根据权利要求17所述的设备，其进一步包括用于控制所述用于选择性地传导电流的装置的第四装置，其中用于控制的所述第四装置在所述用于选择性地传导电流的装置的第四面处电耦合到所述用于选择性地传导电流的装置。
【专利摘要】本发明揭示一种鳍型装置系统和方法。在特定实施例中，揭示一种制造晶体管的方法，其包含在具有表面的衬底内形成晶体管的栅极，以及在所述衬底内形成内埋氧化物BOX层，所述BOX层在第一BOX层面处邻近于所述栅极。所述方法还包含形成凸起的源极-漏极通道(“鳍”)，其中所述鳍的至少一部分从所述衬底的所述表面延伸，且其中所述鳍具有邻近于所述BOX层的第二BOX层面的第一鳍面。
【IPC分类】H01L27/108, H01L21/336, H01L29/78
【公开号】CN105655336
【申请号】
【发明人】宋森秋, 穆罕默德·哈桑·阿布-拉赫马, 韩秉莫
【申请人】高通股份有限公司
【公开日】2016年6月8日
【申请日】2010年9月1日