专利名称：芍药无土栽培产业化盆花生产方法
技术领域：
本发明属于花卉无土栽培技术和花期调控技术领域，涉及芍药无土栽培产业化盆花生产方法，具体涉及种苗选择、栽培基质、施肥技术、环境调控技术。
背景技术：
近年来，随着我国人民消费水平的不断提高，特别是大中型城市中，对盆栽花卉种类的需求也越来越大。苟药(Paeonia lactiflora Pali.)是处于产业化开发阶段的传统名花，具有深厚的历史文化内涵和民族特色，其花大色艳，芳香馥郁，观赏价值高，极具盆花生产的潜力。但由于受到其盆花栽培技术限制，目前仍多以露地观赏栽培为主，从而也制约了芍药盆花市场的发展和产业化的实现。
目前国外芍药产业化栽培主要是露地切花生产，在自然花期提供切花产品，未见盆栽技术方面的报道。国内芍药盆栽技术主要是采用无土盆栽进行春节催花，在品种筛选、盆栽基质筛选、营养特性及专用营养液研究有一定进展。目前，芍药种苗的选择和预处理方法不一，并没有统一的操作规范，栽培的盆花品质不一，不利于大规模设施化生产；芍药花期调控主要是通过催花栽培，在春节开花，基本仿照牡丹催花的技术方法，针对芍药催花研究不多，且都是小规模、多品种的无土栽培模式，芍药大规模、单一品种产业化生产技术尚未建立。
发明内容
为解决上述问题，本发明提供一种芍药无土栽培产业化盆花生产方法。经过长期的试验研究和验证后，本发明人提供了一种芍药品种‘大富贵’无土盆花产业化生产技术，包括种苗选择及处理、栽培基质配制与消毒、配套施肥技术、促成栽培环境调控技术。详述如下I)种苗的选择及处理秋季地上器官枯萎后，挖取3 4年生分株苗作为种苗，预处理及消毒处理后进行移栽；2)栽培基质配制及消毒按照草炭蛭石珍珠岩体积比3:1:1混合作为无土栽培基质，进行化学消毒和高温消毒；3)配套的施肥方法将芍药生长阶段划分为6个时期，为萌芽期、茎伸长期、茎叶生长期、成熟期、花期、花后期；萌芽期至茎伸长期施用N、P、K质量百分比分别为30% 10% :10%的的水溶性复合肥，每个时期各施用一次，施肥浓度为1.5g/L，施肥量为IL/株 次；茎叶生长期至成熟期施用N、P、K质量百分比分别为20% 20% 20%的水溶性复合月巴，每个时期各施用两次，共施用4次，施肥浓度为I. 5g/L，施肥量为IL/株·次；花后期施用N、P、K质量百分比分别为15% :10% 30%的水溶性复合肥，前两个月每20天施肥一次，施3次；之后，每40天施肥一次，施2次，地上器官开始枯萎前再施肥一次，共施肥6次，施肥浓度为I. 5g/L，施肥量为IL/株 次；4)促成栽培环境调控方法
温度控制芍药上盆后，放置于室外接受自然低温，待温度降至0°C之后，保持温度在-4 4°c 40-60天；如果室外温度低于-4°C时，用草席覆盖于种植盆上以免植株受冻，或将盆移入温室，温室不加温，使温度保持在-4 4°C 40-60天；之后进行人工加温，加温第I 7天，日温控制在10 15°C，夜温5 10°C ;第8 17天，日温控制在15 20°C，夜温10 15°C ;第18 35天，日温控制在20 25°C，夜温10 15°C ;第36 45天，日温控制在25 28°C，夜温保持于15 °C;第46 60天，未售出的产品，日温控制在20 25°C，夜温保持15 18°C ;待室外平均温度稳定于25°C时，撤除温室塑料棚膜，或将盆花移出温室，放于通风平坦开阔的地方；光照控制当芍药植株移入温室全部萌芽后，对其进行补光，使植株顶部光照强度达到200ymol/m2s，补光时间为早上6 00点至8 00点，晚上16 30至19:30 ；水分及湿度控制种苗上盆后浇水，之后保持基质湿润，加温催花过程中，温室湿度控制在40-60%。
芍药生长阶段划分如下萌芽期识别特征芍药地上芽芽鳞开裂，缓慢生长，叶片聚生于枝顶，不外展。茎伸长期识别特征从芍药种苗茎快速生长，叶片开始外展，至叶片基本平展、花雷不被叶片包被结束。茎叶生长期识别特征从叶片基本平展开始，至花蕾快速膨大结束。成熟期(可销售期)识别特征株高生长停止，花萼裂开，花蕾外瓣松软。花期识别特征为从第一朵花花瓣完全展开至最后一朵花花瓣凋谢。花后期识别特征全部花调谢后至地上器官完全枯萎为止。在本发明一个实施方案中，所述的方法还可包括进行病虫害防治，具体包括移栽的芍药移入温室前，先用600-1000倍70%的代森锰锌喷洒温室，对温室进行消毒；芍药进入茎伸长期和茎叶生长期时，用2000倍45%的咪鲜胺水乳剂，1000倍液70%的代森锰锌，1000倍液40%施佳乐，1500倍50%扑海因液交替喷洒，喷撒间隔为10 15天；如果发现根腐病，则用1000倍70%的代森锰锌或1500 2000倍45%的咪鲜胺水乳剂，与2000倍阿维菌素或1000倍50%的辛硫磷交替灌根施用。其中，种苗预处理包括去除病、残根和部分生长过密的根，并在伤口涂抹草木灰，同时去除干瘪、过小和生长过密的部分芽体,芽数控制在10 12个。其中，种苗消毒处理包括用1000倍70%的代森锰锌和2000倍阿维菌素的混合液浸泡15 20分钟；若发现种苗根部存在土传病害，用1000倍70%的代森锰锌和1000倍50%的辛硫磷混合液浸泡15 20分钟。其中，基质化学消毒和高温消毒方法为基质的各组分在掺混的过程中同时喷洒1000倍70%的代森锰锌或1500 2000倍45%的咪鲜胺水乳剂溶液对基质进行消毒；将混合好的基质用塑料薄膜覆盖，晴天下堆放5 7天进行高温消毒。其中，所述补光的方法为按照温室植床的长轴走向，离植株盆I. 5米，每间距3米处安装一盏400瓦的高压钠灯。在本发明优选的一个实施方案中，所述的芍药的品种为‘大富贵’。
本发明有益效果本发明是建立在多年对芍药盆花无土栽培技术、花期调控技术研究、生产环境控制技术、病虫害防治技术系统研究基础上，经过了多轮试验种植和生产检验后提出的。使用该技术生产的‘大富贵’盆花，产品在北京地区花期比大田花期提前50 60天，成品率达100%，每盆开花5枝以上，花径在12 15cm，株高为50 65cm，花色和花型正常，可以作为芍药‘大富贵’无土盆花产业化生产使用。I、本发明提出了统一、科学的种苗选择和种苗处理方法、将减少后期盆花生长发病的概率、使盆花株型更加美观、产品规格更加统一、品质更好。2、本发明提出了一种适合‘大富贵’的盆花栽培基质，基质具有较好的浙水性和透气性，保证了芍药根部良好的生长环境，同时有一定的保温性，防止基质温度变动过大。
3、本发明提出了针对‘大富贵’盆花生产配套施肥技术、同施肥相对应的施肥时期的划分和便于实际操作的不同时期的辨识图谱，在实现芍药盆花栽培精准施肥的同时更便于操作，减少了肥水损失，同时该方法在提高了盆花的产量和品质，实现不同生长阶段更为科学的供肥。4、本发明提出了针对‘大富贵’盆花促成生产的设施环境调控技术，实现了温度、光照、水分的分阶段精细管理，同时摆脱了芍药传统促成栽培中需要冷库进行低温处理的制约，在降低生产成本的基础上提高了盆花促成栽培的产量和质量。5、本发明针对‘大富贵’盆花促成生产的栽培中常见的病害提出了有效的解决方案，该方案对预防病害、病害出现后的处理等均效果显著，提高了促成栽培中盆花的产量和品质。具体实施方法以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。实施例I2009年9月15日，将芍药盆栽用基质以草炭蛭石珍珠岩按照体积比3:1:1混合均匀，基质混合的过程中同时喷洒1000倍70%的代森锰锌对基质进行消毒。将混合好的基质堆放于室外开阔处，用塑料薄膜覆盖，放置7天进行日光高温消毒。2009年9月17日从大田取3 4年生芍药品种‘大富贵’种苗，晾晒3天，同时去除干瘪、过小和部分生长过密的芽，芽数控制在10 12个。去除腐、烂根和部分生长过密的根，将伤口涂抹草木灰，用1000倍70%的代森锰锌和2000倍阿维菌素的混合液浸泡15 20分钟。2009年9月21日 22日将准备好的‘大富贵’种苗上盆栽种于混合好的专用基质中，盆上口径28cm，高30cm。并于栽种后浇I次透水,整齐摆放于通风、开阔的室外空地，之后保持基质湿润即可。2009年12月20日，室外温度已经降至_4°C后，为防止芍药冻伤，将盆栽的芍药‘大富贵’移入温室，但温室内不加温，温度控制在0°c (±4°C)，移入温室后浇一遍透水。2010年I月20日温室内开始逐步加温，初期(第f 7天)，温室日温控制在10 15°C，夜温5 10°C ;前期(第8 17天)，日温控制在I 20°C，夜温10 15°C ;中期(第18 35天)，日温控制在25°C左右，夜温10 15°C;后期(即可售期，第36 50天)日温控制在25°C 30°C，夜温保持于150C左右。花期时(第46 60天)，未售出的产品，可适当降低温室温度，日温控制在20 25°C，夜温保持15 18°C ;保持设施内最高温度不超过30°C。根据芍药品种‘大富贵’无土盆花产业化生产施肥时期的划分及其标准图谱对其进行施肥萌芽期至茎伸长期施用N、P、K质量百分含量为30% 10%10%的水溶性复合肥每个时期各施用一次，施肥浓度为I. 5g/L，施肥量为IL/株·次；茎叶生长期至成熟期施用N、P、K质量百分含量为20% 20% 20%的水溶性复合肥，每个时期各施用两次，共施用4次，施肥浓度为I. 5g/L，施肥量为IL/株·次。当芍药移入温室完全萌芽后(约进温室后15天)对温室内进行补光。按照温室植床的长轴走向，离植株盆I. 5米，每间距3米处安装一盏400瓦的高压钠灯，植株顶部光照强度达到200ymol/m2so补光时间为早上6 00点至8 00点，晚上16 30至19:30。产品出售后即可停止补光。
芍药移入温室前，先用600-1000倍70%的代森锰锌喷洒温室，对温室进行消毒。芍药进入茎伸长期和茎叶生长期时，用2000倍45%的咪鲜胺水乳剂，1000倍液70%的代森锰锌交替喷洒，各时期喷撒一次。基质干后浇水，I次浇透，温室内湿度保持在50%左右，直到产品售出。于2010年6月15日，将没有售出的盆花移出温室，放置于提前搭好的遮光率为50%的遮阳网下，之后逐渐撤除遮阳网，使芍药充分接受自然条件下的光照。没有售出的产品花后施用N、P、K质量百分含量为15% :10% :30%的水溶性复合肥，前两个月每20天施肥一次，约3次，之后每40天施肥一次，约2次，地上器官开始枯萎前再施肥一次，共施肥6次，施肥浓度为1.5g/L，施肥量为IL/株 次。水分管理同前。9月中下旬将地上器官部分减去，保持基质湿润即可。当年未售出的盆花可进行下一批次的盆花催花生产。通过上述栽培方式生产的芍药品种‘大富贵’盆花，产品在北京地区花期比大田花期提前50 60天，成品率达100%，每盆开花5枝以上，最高可达10枝，花径在12 15cm，株高为50 65cm，花色和花型正常。以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
权利要求
1.一种芍药无土栽培产业化盆花生产方法，包括如下步骤 1)种苗的选择及处理秋季地上器官枯萎后，挖取3 4年生分株苗作为种苗，预处理及消毒处理后进行移栽； 2)栽培基质配制及消毒按照草炭蛭石珍珠岩体积比3:1:1混合作为无土栽培基质，进行化学消毒和高温消毒； 3)配套的施肥方法将芍药生长阶段划分为6个时期，为萌芽期、茎伸长期、茎叶生长期、成熟期、花期、花后期；萌芽期至茎伸长期施用N、P、K质量百分比分别为30% 10% 10%的的水溶性复合肥，每个时期各施用一次，施肥浓度为I. 5g/L，施肥量为IL/株·次；茎叶生长期至成熟期施用N、P、K质量百分比分别为20% 20% 20%的水溶性复合肥，每个时期各施用两次，共施用4次，施肥浓度为I. 5g/L，施肥量为IL/株·次；花后期施用N、P、K质量百分比分别为15% 10% :30%的水溶性复合肥，前两个月每20天施肥一次，施3次；之后，每40天施肥一次，施2次，地上器官开始枯萎前再施肥一次，共施肥6次，施肥浓度为I. 5g/ L,施肥量为IL/株 次； 4)促成栽培环境调控方法 温度控制芍药上盆后，放置于室外接受自然低温，待温度降至0°C之后，保持温度在-4 4°C 40-60天；如果室外温度低于-4°C时，用草席覆盖于种植盆上以免植株受冻，或将盆移入温室，温室不加温，使温度保持在-4 4°C 40-60天；之后进行人工加温，加温第I 7天，日温控制在10 15°C，夜温5 10°C;第8 17天，日温控制在15 20°C，夜温10 150C ;第18 35天，日温控制在20 25°C，夜温10 15°C ;第36 45天，日温控制在25 28°C，夜温保持于15°C ’第46 60天，未售出的产品，日温控制在20 25°C，夜温保持15 18°C;待室外平均温度稳定于25°C时，撤除温室塑料棚膜，或将盆花移出温室，放于通风平坦开阔的地方； 光照控制当芍药植株移入温室全部萌芽后，对其进行补光，使植株顶部光照强度达到200ymol/m2s，补光时间为早上6 00点至8 00点，晚上16 :30至19:30 ； 水分及湿度控制种苗上盆后浇水，之后保持基质湿润，加温催花过程中，温室湿度控制在 40-60%。
2.如权利要求I所述的方法，其特征在于，还包括进行病虫害防治，具体包括 移栽的芍药移入温室前，先用600-1000倍70%的代森锰锌喷洒温室，对温室进行消毒； 芍药进入茎伸长期和茎叶生长期时，用2000倍45%的咪鲜胺水乳剂，1000倍液70%的代森锰锌，1000倍液40%施佳乐，1500倍50%扑海因液交替喷洒，喷撒间隔为10 15天； 如果发现根腐病，用1000倍70%的代森锰锌或1500 2000倍45%的咪鲜胺水乳剂，与2000倍阿维菌素或1000倍50%的辛硫磷交替灌根施用。
3.如权利要求I或2所述的方法，其特征在于，种苗预处理包括去除病、残根和部分生长过密的根,并在伤口涂抹草木灰，同时去除干瘪、过小和生长过密的部分芽体,芽数控制在10 12个。
4.如权利要求I或2所述的方法，其特征在于，种苗消毒处理包括用1000倍70%的代森锰锌和2000倍阿维菌素的混合液浸泡15 20分钟；若发现种苗根部存在土传病害，用1000倍70%的代森锰锌和1000倍50%的辛硫磷混合液浸泡15 20分钟。
5.如权利要求I或2所述的方法，其特征在于，基质化学消毒和高温消毒方法为基质的各组分在掺混的过程中同时喷洒1000倍70%的代森锰锌或1500 2000倍45%的咪鲜胺水乳剂溶液对基质进行消毒；将混合好的基质用塑料薄膜覆盖，晴天下堆放5 7天进行高温消毒。
6.如权利要求I或2所述的方法，其特征在于，所述补光的方法为按照温室植床的长轴走向，离植株盆I. 5米，每间距3米处安装一盏400瓦的高压钠灯。
7.如权利要求I或2所述的方法，其特征在于，所述的芍药的品种为‘大富贵’。
全文摘要
本发明公开了一种芍药无土栽培产业化盆花生产方法，包括种苗选择及处理、栽培基质配制与消毒、配套施肥技术、促成栽培环境调控技术。使用该方法生产的芍药‘大富贵’盆花，产品在北京地区花期比大田花期提前50～60天，成品率达100%，每盆开花5枝以上，花径在12～15cm，株高为50～65cm，花色和花型正常，可以作为芍药‘大富贵’无土盆花产业化生产使用。
文档编号A01C21/00GK102960222SQ20121044895
公开日2013年3月13日 申请日期2012年11月12日 优先权日2012年11月12日
发明者刘燕, 韩婧, 牛立军, 刘利刚, 刘爱青, 陈士宁 申请人:北京林业大学