一种冬季苗床繁育脱毒种苗的温度调控装置及繁育方法
【专利摘要】本发明属于作物脱毒种苗繁育【技术领域】,特别涉及一种冬季苗床繁育脱毒种苗的温度调控装置及繁育方法，包括地面和电线，所述装置主要设有温度控制器、温度传感器件、苗床和拱棚，苗床设有加热层、两层地布A、B和栽培基质层，两层地布A、B重叠，加热层设在两层地布A、B之间，地布A设在地面上，地布B上铺设栽培基质层，加热层由加热电线以一定图形铺设于地布A上形成，加热电线两端与温度控制器相连；温度传感器一端插入栽培基质中，另一端通过电线与温度控制器相连。该装置简单、温度易调控、使脱毒种苗受热均匀，解决了冬季低温条件下脱毒种苗不能正常生长和生长缓慢的问题，缩短培育时间，提高脱毒苗成活率，可运用于多种作物冬季脱毒种苗的繁育。
【专利说明】
一种冬季苗床繁育脱毒种苗的温度调控装置及繁育方法
【技术领域】
[0001]本发明属于作物脱毒种苗繁育【技术领域】，特别涉及一种冬季苗床繁育脱毒种苗的温度调控装置及繁育方法。
[0002]
【背景技术】
[0003]农作物经过几代种植，品质一般都不同程度的退化，在马铃薯、蔬菜、果树、草莓、花卉等农作物上表现得尤为突出，其品质衰退的原因主要是植物病毒的浸染。为获得高产和优良品质，生产中就必须使用无病毒种苗。
[0004]目前，农业科技工作者利用生物技术措施，从感染病毒的植株中获得了无病毒种植的苗木材料。如马铃薯植株的顶端分生组织很少或没有病毒，采用顶端分生组织培养技术得到无病毒植株，即脱毒马铃薯种苗，脱毒苗结出的薯块即原原种，繁殖更多的无病毒种薯，供生产中大面积推广使用，产量提高30%_50%。脱毒苗技术现在也运用到了花卉、果树、魔芋等农业生产中，从而生产出优质无毒花卉球种、无病毒果树苗木等。
[0005]但冬季气温过低，大部分作物脱毒种苗不能正常生长和生长缓慢，无法实现周年生产，脱毒种苗不能快速增殖，严重影响种薯(苗)供给。据统计，目前马铃薯脱毒种薯的占有率仅占30%，市场前景十分广阔。因此，需要在现有方法的基础上解决低温对作物脱毒种苗繁育的影响，以实现周年生产，在单位时间内繁育出更多的脱毒种苗应用到生产中，带来更多的社会经济效益、减少资源的浪费。
[0006]
【发明内容】
[0007]为了解决以上技术问题，本发明提供一种冬季苗床繁育脱毒种苗的温度调控装置及繁育方法，该装置简单、温度易调控、使脱毒种苗受热均匀，解决了冬季低温条件下(T ( 10°C)脱毒种苗不能正常生长和生长缓慢的问题，缩短培育时间，提高脱毒苗成活率，可运用于多种作物冬季脱毒种苗的繁育。
[0008]解决以上技术问题的本发明中的一种冬季苗床繁育脱毒种苗的温度调控装置，包括地面和电线，其特征在于:所述装置设有温度控制器、温度传感器件、苗床和拱棚，苗床设有加热层、两层地布A、B和栽培基质层，两层地布A、B重叠，加热层设在两层地布A、B之间，地布A设在地面上，地布B上铺设栽培基质层，加热层由加热电线以一定图形铺设于地布A上形成，加热电线两端与温度控制器相连；温度传感器一端插入栽培基质中，另一端通过电线与温度控制器相连；拱棚设有棚架和薄膜，棚架固定于苗床四周，薄膜覆盖于棚架上；温度控制器、温度传感器件设置于拱棚中。
[0009]地布可抑制各种杂草的生长，且具有适度的渗透性，再铺上1cm厚的栽培基质，栽培基质可为蛭石:珍珠岩=2:1的混合物，温度传感器可插入苗床中部的栽培基质中。所述温度控制器的电压为220v+10%，输出功率为220vX10A，温度控制为0_50°C。
[0010]所述装置中的苗床温度15-25°c。
[0011]所述苗床长X宽=14.5X1.5m。
[0012]所述棚架长X宽X高=14.5 X 1.5 X 0.5m，弧度1.9m，使用过程中棚架可以扣在苗床上。
[0013]所述地布为聚乙烯地布。
[0014]所述薄膜透光率大于80%、厚度为6丝、幅宽大于2m的聚乙烯薄膜。
[0015]本发明中的一种冬季苗床繁育脱毒种苗的繁育方法，包括下述步骤:
(1)将一层地布A放于地面上，加热电线以一定图形铺设于地布A上形成加热层，再在加热层上铺上一层地布B，然后将栽培基质平铺在地布B上；将温度控制器放在地布旁，温度传感器件一端插入栽培基质中，另一端通过电线与温度控制器相连，步骤(I)中的加热线与温度控制器相连；
(2)苗床消毒:用杀菌剂恶霉灵600-800倍液喷施床面；
(3)扦插苗准备:用生根液NAA20PPM、广谱性杀菌剂易保800倍液浸泡脱毒试管苗15min ;(杀菌剂、生根液可从市场上购买。)
(4)打开温度控制器电源加热升温，苗床温度控制在15-25°C；
(5)扦插脱毒试管苗，密度为300-650株/m2，浇定根水，将棚架固定于苗床四周，薄膜覆盖于棚架上形成拱棚，温度控制器、温度传感器件放置于拱棚中，温度控制在15_25°C，湿度控制在70%-80% ；
(6)定期浇水和营养液，苗期当白天拱棚内湿度>80%，可揭开拱棚薄膜两端透气，夜间再盖严保温，以保证植株生长旺盛；
(7)当扦插苗长至1cm时，可移栽扩繁或剪尖再次扦插，实现脱毒种苗在冬季低温条件下(T< 10°C)增殖扩繁。
[0016]本发明中加热电线铺设在地布A上形成的图形可为蛇形分布，使加热均匀和稳定。
[0017]本发明通过对苗床进行加热处理，可控制苗床温度15_25°C，利于作物脱毒种苗的生长，解决了冬季低温条件下(T ( 10°C)脱毒种苗不能正常生长和生长缓慢的问题，攻克了冬季繁育脱毒种苗的技术难关，特别适用于多种作物冬季脱毒种苗的繁育。
[0018]运用本发明中的装置及繁育方法，脱毒苗培育成苗时间缩短15天以上，成活率提闻80%以上。
[0019]
【专利附图】
【附图说明】
[0020]图1为本发明中苗床加热层蛇形分布示意图其中，1.加热电线2.地布A
【具体实施方式】
[0021]下面结合【具体实施方式】对本发明作进一步的详细描述。
[0022]但不应将此理解为本发明上述主题的范围仅限于下述实施例。
[0023]实施例1 一种冬季苗床繁育脱毒种苗的温度调控装置，包括地面和电线，所述装置还设有温度控制器、温度传感器件、苗床和拱棚，苗床设有加热层、两层地布A、B和栽培基质层，两层地布A、B重叠，加热层设在两层地布A、B之间，地布A设在地面上，地布B上铺设栽培基质层，加热层由加热电线以一定图形铺设于地布A上形成，加热电线两端与温度控制器相连；温度传感器一端插入栽培基质中，另一端通过电线与温度控制器相连；拱棚设有棚架和薄膜，棚架固定于苗床四周，薄膜覆盖于棚架上；温度控制器、温度传感器件设置于拱棚中。
[0024]地布为聚乙烯地布，温度控制器的电压为220v+10%,输出功率为220vX 10A,温度控制为0-50°C，苗床长X宽=14.5X1.5m，棚架长X宽X高=14.5X1.5X0.5m，弧度1.9m，薄膜透光率>80%、厚度为6丝、幅宽大于2m的聚乙烯薄膜，加热电线铺设在地布A上形成的图形可为蛇形分布，使加热均匀和稳定。
[0025]地布可抑制各种杂草的生长，且具有适度的渗透性，再铺上1cm厚的栽培基质，栽培基质可为蛭石:珍珠岩=2:1的混合物，温度传感器可插入苗床中部的栽培基质中。
[0026]实施例2
一种冬季苗床繁育脱毒种苗的温度调控装置，包括地面和电线，所述装置还设有温度控制器、温度传感器件、苗床和拱棚，苗床设有加热层、两层地布A、B和栽培基质层，两层地布A、B重叠，加热层设在两层地布A、B之间，地布A设在地面上，地布B上铺设栽培基质层，加热层由加热电线以一定图形铺设于地布A上形成，加热电线两端与温度控制器相连；温度传感器一端插入栽培基质中，另一端通过电线与温度控制器相连；拱棚设有棚架和薄膜，棚架固定于苗床四周，薄膜覆盖于棚架上；温度控制器、温度传感器件设置于拱棚中。
[0027]具体操作为:将一层地布A放于地面上，加热电线以蛇形铺设于地布A上形成加热层，再在加热层上铺上一层地布B，然后将栽培基质平铺在地布B上；将温度控制器放在地布旁，温度传感器件一端插入栽培基质中，另一端通过电线与温度控制器相连，加热线与温度控制器相连；苗床消毒:用杀菌剂恶霉灵600-800倍液喷施床面；扦插苗准备:用生根液NAA20PPM、广谱性杀菌剂易保800倍液浸泡脱毒试管苗15min ;打开温度控制器电源加热升温，苗床温度控制在15-25°C ;扦插脱毒试管苗，密度为300-650株/m2，浇定根水，将棚架固定于苗床四周，薄膜覆盖于棚架上形成拱棚，温度控制器、温度传感器件放置于拱棚中，温度控制在15-25°C，湿度控制在70%-80% ;定期浇水和营养液，苗期当白天拱棚内湿度>80%，可揭开拱棚薄膜两端透气，夜间再盖严保温，以保证植株生长旺盛；当扦插苗长至1cm时，可移栽扩繁或剪尖再次扦插，实现脱毒种苗在冬季低温条件下(T ( 10°C)增殖扩繁。
[0028]地布为聚乙烯地布，温度控制器的电压为220v+10%,输出功率为220vX 10A,温度控制为15-25°C，苗床长X宽=14.5X1.5m，棚架长X宽X高=14.5X1.5X0.5m，弧度1.9m，薄膜透光率大于80%、厚度为6丝、幅宽大于2m的聚乙烯薄膜，加热电线铺设在地布A上形成的图形可为蛇形分布，使加热均匀和稳定。
[0029]地布可抑制各种杂草的生长，且具有适度的渗透性，再铺上1cm厚的栽培基质，栽培基质可为蛭石:珍珠岩=2:1的混合物，温度传感器可插入苗床中部的栽培基质中。
[0030]实施例3
本实施例为将本发明用于马铃薯新品种蓉紫芋5号的冬季脱毒种苗繁育，具体方法如下:
2013年12月中旬，气温0°C _12°C，本发明人用消毒剂和杀菌剂喷施苗床床面进行苗床消毒7天；打开温度控制器电源加热升温，苗床温度控制在20°C;将株高为8cm的蓉紫芋5号脱毒试管苗出瓶，剪去根部，洗净培养基，用生根液NAA20PPM、光谱性杀菌剂易保800倍液浸泡脱毒试管苗15min，插入苗床栽培基质(蛭石:珍珠岩=2:1)中，密度为625株/m2，浇定根水，扣拱棚保温保湿；7天后扦插苗开始生根，浇1/4MS营养液；苗期每天定时观察，当白天拱棚内湿度>80%，揭开拱棚薄膜两端透气，夜间再盖严保温，同时定期浇水和营养液以保证扦插苗生长旺盛。
[0031]定植28天后，成活率达98%以上，扦插苗长至10cm，可剪尖再次扦插，实现脱毒种苗在冬季低温条件下(T ( 10°C)增殖扩繁。
[0032]实施例4
本实施例为将本发明用于甘薯新品种南紫-8的冬季脱毒种苗繁育，具体方法如下:2013年12月中旬，气温(TC-12°C，本发明人用消毒剂和杀菌剂喷施苗床床面进行苗床消毒7天；打开温度控制器电源加热升温，苗床温度控制在25°C ;将株高为8cm南紫-8的脱毒试管苗出瓶，洗净培养基，用生根液NAA20PPM、光谱性杀菌剂易保800倍液浸泡脱毒试管苗15min，带根栽入苗床栽培基质(蛭石:珍珠岩=2:1)中，密度为400株/m2，浇定根水，扣拱棚保温保湿；10天后长出新叶，浇1/2MS营养液；苗期每天定时观察，当白天拱棚内湿度>80%，揭开拱棚薄膜两端透气，夜间再盖严保温，同时定期浇水和营养液以保证脱毒苗生长旺盛。
[0033]定植25天后，成活率达96%以上，实现甘薯脱毒种苗在冬季低温条件下(T ^ 10°C)繁育生长。
[0034]实施例5
本实施例为将本发明用于草莓品种丰香的冬季脱毒种苗繁育，具体方法如下:
2013年12月中旬，气温(TC-12°C，本发明人用消毒剂和杀菌剂喷施苗床床面进行苗床消毒7天；打开温度控制器电源加热升温，苗床温度控制在25°C;将生根健壮的脱毒试管苗出瓶，洗净培养基，用生根液NAA20PPM、光谱性杀菌剂易保800倍液浸泡脱毒试管苗15min，带根栽入苗床栽培基质(蛭石:珍珠岩=2:1)中，密度为400株/m2，浇定根水，扣拱棚；待长出新叶，浇1/2MS营养液；苗期每天定时观察，控制棚内湿度70-80%，当湿度>80%揭开拱棚薄膜两端透气，夜间再盖严保温，同时定期浇水和营养液以保证脱毒苗生长旺盛。
[0035]定植20天后，成活率达95%以上，实现草莓脱毒种苗在冬季低温条件下(T ^ 10°C)繁育生长。
[0036]本发明提供的冬季苗床繁育脱毒种苗的温度调控方法，解决了现有脱毒种苗繁育技术中，冬季低温条件下(T ( I(TC)脱毒种苗不能正常生长和生长缓慢的问题，攻克了冬季繁育脱毒种苗的技术难关，可运用于多种作物冬季脱毒种苗的繁育。这对于实现周年生产作物脱毒种苗提供了强有力的技术支持，使脱毒种苗的产量在单位时间内大幅度提高，以便提供更多的脱毒种苗到种苗(薯)繁殖与生产上，将会创造出更大的经济效益、社会效益和生态效益。
【权利要求】
1.一种冬季苗床繁育脱毒种苗的温度调控装置，包括地面和电线，其特征在于:所述装置设有温度控制器、温度传感器件、苗床和拱棚，苗床设有加热层、两层地布A、B和栽培基质层，两层地布A、B重叠，加热层设在两层地布A、B之间，地布A设在地面上，地布B上铺设栽培基质层，加热层由加热电线以一定图形铺设于地布A上形成，加热电线两端与温度控制器相连；温度传感器一端插入栽培基质中，另一端通过电线与温度控制器相连；拱棚设有棚架和薄膜，棚架固定于苗床四周，薄膜覆盖于棚架上；温度控制器、温度传感器件设置于拱棚中。
2.根据权利要求1所述的一种冬季苗床繁育脱毒种苗的温度调控装置，其特征在于:所述温度控制器的电压为220v+10%，输出功率为220vX10A，调控装置控制温度范围为0-50。。。
3.根据权利要求1或2所述的一种冬季苗床繁育脱毒种苗的温度调控装置，其特征在于:所述装置中的苗床温度15-25°C。
4.根据权利要求1所述的一种冬季苗床繁育脱毒种苗的温度调控装置，其特征在于:所述苗床长X宽=14.5X1.5m。
5.根据权利要求1所述的一种冬季苗床繁育脱毒种苗的温度调控装置，其特征在于:所述棚架长X宽X高=14.5X1.5X0.5m,弧度1.9m。
6.根据权利要求1所述的一种冬季苗床繁育脱毒种苗的温度调控装置，其特征在于:所述地布为聚乙烯地布。
7.根据权利要求1所述的一种冬季苗床繁育脱毒种苗的温度调控装置，其特征在于:所述薄膜为透光率大于80%、厚度为6丝、幅宽> 2m的聚乙烯薄膜。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的一种冬季苗床繁育脱毒种苗的繁育方法，其特征在于:包括下述步骤: (1)将一层地布A放在地面上，加热电线以一定图形铺设于地布A上形成加热层，再在加热层上铺上一层地布B，然后将栽培基质平铺在地布B上；将温度控制器放在地布旁，温度传感器件一端插入栽培基质中，另一端通过电线与温度控制器相连，加热电线两端与温度控制器相连； (2)苗床消毒:用杀菌剂恶霉灵600-800倍液喷施床面； (3)扦插苗准备:用生根液NAA20PPM、杀菌剂800倍液浸泡脱毒试管苗15min； (4)打开温度控制器电源加热升温，使苗床温度控制在15-25°C； (5)扦插脱毒试管苗于栽培基质中，密度为300-650株/m2，浇定根水，再将棚架固定于苗床四周，薄膜覆盖于棚架上形成拱棚，温度控制器、温度传感器件放置于拱棚中，温度15-25 ?，湿度 70%-80% ； (6)定期浇水和营养液，苗期当白天拱棚内湿度>80%，揭开拱棚薄膜两端透气，夜间再盖严保温，以保证植株生长旺盛； (7)当扦插苗长至10cm时，移栽扩繁或剪尖再次扦插，实现脱毒种苗在冬季低温条件下增殖扩繁。
【文档编号】A01G1/00GK104472275SQ201410845332
【公开日】2015年4月1日 申请日期:2014年12月31日 优先权日:2014年12月31日
【发明者】桑有顺, 冯焱, 陈涛, 汤云川, 王波, 李倩, 淳俊, 黄敏, 彭慧, 郑光跃, 张 林, 张先德, 郑跃翔, 骆松华, 刘锋 申请人:成都市农林科学院