本发明涉及一种菊花的高产栽培方法。
背景技术：
近年来我国菊花面积在不断扩大，我国现有菊花约 3000万亩，其中，中低产菊花的比例占一半以上，低产林经过改造后的生产潜力巨大，因此，扩大种植面积不是提高菊花产量的唯一途径。现有菊花种植中水土流失严重、土层“薄、板、廋”、经营粗放、地力下降，致使菊花产量低、经济效益差。土壤管理和合理施肥与间作是菊花成林大面积丰产的重要措施。因此，适时进行疏松土壤，通过长期管理培肥土壤，改善土壤水分和营养状况，对提高花质量有很大的作用。本发明将松土、整地与绿肥间作结合起来，充分利用绿肥种植和翻压进行松土，实现有机无机肥相结合，达到培肥土壤，增厚和疏松土层的目的；同时种植生物篱，减少养分损失，涵养水土，提高土壤肥力和土壤的保水保肥性能，使土壤中的养分能满足核桃生长发育所需。通过该技术的应用，土壤中保存的氮、磷、钾显著增加，比粗放管理的菊花林增产可达60％以上，并且大小年不明显，在菊花高产种植生产中具有重要的推广价值。
技术实现要素：
本发明的目的在于针对现有技术的不足提供一种通过造林地的选择、整地、造林，防治水土流失，达到促进菊花早开花、提高菊花产量和品质，减少化肥的投入量、减少劳动力投入的目的核桃的高产栽培方法 , 本方法能在国内外菊花的生产实践中广泛应用。
本发明通过以下技术方案实现上述目的：
一种菊花的高产栽培方法，选择安庆市低山丘陵地带，沿等高线在山区山地或低山丘陵的垂直方向上划分出多个菊花种植区，每个菊花种植区向山体内开挖有用于种植菊花的水平梯带，在相邻菊花种植区之间边坡上种植防治水土流失的生物篱，生物篱行间和菊花种植区的核桃树行间种植绿肥或种植经济作物。
所述造林地的选择，在海拔600米以下的低山、丘陵平原地区，选择阳光充足、坡度35°以下、土层浓厚、肥沃，排水良好的酸性土壤种植菊花。
所述整地，穴恳，环山水平按株行距定点挖穴，穴长60㎝×深40㎝；密度，一般要求每亩80-90株，即株行距2.8×3.7米或4×5米；施基肥，在挖穴后，适当施用垃圾肥、稻草、芒箕、农家肥，每穴加施石灰1.5斤，复合肥1.5-2斤，或者是磷肥1.5-2斤，钾肥0.6斤，氮肥0.6斤，然后回填表上，再将穴填满呈馒头形，供造林时使用。
所述的菊花的高产栽培方法，其特征在于，所述造林，种苗选择，一般选用优良无性系嫁接苗；苗木质量要求，生长健壮，无病虫害；二年生苗高60厘米以上，地径0.9厘米以上，一年生苗高90厘米以上，地径0.9厘米以上；造林季节，2月初至3月上旬土壤湿润时为宜；造林方法，植苗造林，一穴一株，将苗栽中，舒展根系，栽紧踩实，栽后复一层松土，栽植深度以比苗木根颈高1-3厘米为宜。
采用上述方法，本发明具有如下优点：
1、将菊花的种植的方法规范化，采用等高线对种植区域进行划分，使得菊花在山区山地或低山丘陵地带上形成梯田形式的规范化菊花种植区，在每层菊花种植区之间种植生物篱，保持水土、防止水土养分流失，从而保证土壤中的养分，提高菊花的产量和品质。
通过间作绿肥和生物篱增加覆盖，改善土壤结构，增强土壤的透气性和透水性，增加土壤含水量，提高土壤墒情。由于沟内土壤中增加了大量有机质物料，可诱导菊花吸收根群生长至沟内，促进菊花生长发育。这样经过每年的开沟垦复与间作绿肥、翻压绿肥相结合，既垦复了土壤，又增加了土壤有机质，并可较好地防止水土流失。在高温的夏季，可反射太阳的直接辐射降低夏季土壤的温度，使菊花生长在适宜的温度，也能减少水分的蒸发，防治夏季持续高温带来的干旱。在低温季节，调节土壤水分、空气和温度，促进了土壤微生物活动和有机质分解，显著改善土壤的水肥条件。
通过绿肥和化肥相结合，增加根系生长土层养分库存，优化菊花种植中肥料组合，达到提高菊花产量和品质的目的。
综上所述，本发明将解决安庆菊花种植生产中水土流失严重、土层“浅、板、廋”导致的菊花花产量较低等问题，提高菊花产量和品质，对安庆菊花种植业发展将起到直接的推动作用。
具体实施方式
下面进一步详细说明本专利的具体实施方式。
造林地的选择 在海拔500米以下的低山、丘陵平原地区，选择阳光充足、坡度25°以下、土层浓厚、肥沃，排水良好的酸性土壤种植油茶。
2、整地
（1）整地方式穴恳：环山水平按株行距定点挖穴，穴长60㎝×深40㎝。
（2）密度：一般要求每亩80-90株，即株行距2.8×3.7米。
（3）施基肥：在挖穴后，适当施用垃圾肥、稻草、芒箕、农家肥，每穴加施石灰1.5斤，复合肥1.5-2斤，或者是磷肥1.5-2斤，钾肥0.6斤，氮肥0.6斤，，然后回填表上，再将穴填满呈馒头形，供造林时使用。
3、造林
（1）种苗选择：一般选用优良无性系嫁接苗。苗木质量要求为：生长健壮，无病虫害。二年生苗高60厘米以上，地径0.9厘米以上，一年生苗高90厘米以上，地径0.9厘米以上。
（2）造林季节：2月20日土壤湿润时为宜。
（3）造林方法：植苗造林，一穴一株，将苗栽中，舒展根系，栽紧踩实，栽后复一层松土，栽植深度以比苗木根颈高2厘米为宜。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。