本发明涉及农业生产领域,具体涉及一种玉米大豆间作化学除草方法。
背景技术:
近年来,我国大力发展玉米和大豆的间作套种的农业生产模式,在时间和空间上有效提高土地产出,缓解我国粮食需求,增加农民收入;该模式通过在前人的基础上进行创新,实现规模化种植、机械化操作和相应配套的农艺技术,以此实现规模化生产与种植技术推广。
但是,在玉米大豆间作生产和推广中还存在很多问题,其中,在该模式中防除杂草的问题尤为突出,杂草通过与玉米、大豆竞争养分、水分和光照,作为传播病、虫害的介质,降低玉米、大豆的产量和品质;化学除草作为农业现代化的重要标志,使用除草剂能节省劳动力,提高劳动效率,降低除草成本。
玉米大豆间作模式涵括禾本科作物玉米和阔叶类作物大豆,进行杂草防除时不仅要防除该模式下的禾本科杂草和阔叶类杂草,还要避免对玉米、大豆造成不可恢复的药害,影响产量;因此,研究在玉米大豆间作生产中如何施用何种选择性除草剂极为重要。
技术实现要素:
本发明所要解决的技术问题是提供一种玉米大豆间作化学除草方法,该方法不仅能够有效防除一年生禾本科杂草和阔叶类杂草,并且不会对玉米和大豆造成伤害,有效提高玉米和大豆的产量。
本发明解决上述技术问题提供的技术方案如下:一种玉米大豆间作化学除草方法,包括:
将玉米和大豆同时播种,并且玉米和大豆采用间作种植方式,每2行玉米为一玉米种植排,且在每相邻的两个玉米种植排之间种植2-3行大豆, 大豆的种植方向与玉米相同;
在玉米和大豆种植1-2天后进行土壤封闭处理;然后在玉米3-5叶期时施用茎叶处理剂;再在玉米6叶期后,在大豆行定向喷雾除草剂。
本发明的有益效果为:该方法开创了在玉米大豆间作生产中的除草剂施用方式,是首次在禾本科作物和阔叶类作物的生产模式中防除禾本科杂草和阔叶类杂草的化学除草方法;该方法不仅能够有效防除一年生禾本科杂草和阔叶类杂草,并且不会对玉米和大豆造成伤害,避免造成玉米和大豆的产量损失。
在上述技术方案的基础上,本发明还可以做如下改进:
进一步,所述在玉米和大豆种植1-2天后进行土壤封闭处理的具体过程为:在玉米和大豆种植后1-2天内施用土壤处理剂96%精异丙甲草胺EC100-150ml对土壤进行喷雾处理。
采用上述进一步技术方案的有益效果为:该土壤处理剂对玉米和大豆安全,能够有效防除一年生禾本科杂草和阔叶杂草;96%精异丙甲草胺EC的剂量受土壤有机质含量影响,土壤质地疏松、有机质含量低时施用100-125mL/667m2,土壤有机质含量高时施用125-150mL/667m2。
进一步,在玉米3-5叶期时每667m2土壤内施用茎叶处理剂75%噻吩磺隆WP1-1.75g。
采用上述进一步技术方案的有益效果为:该茎叶处理剂能够有效防除一年生阔叶杂草,并对禾本科杂草有抑制其生长的作用。
进一步,在玉米6叶期后对每667m2土壤内的大豆行定向喷雾除草剂25%氟磺胺草醚40-70ml。
采用上述进一步技术方案的有益效果为:该除草剂能够有效防除阔叶杂草,同时也能够有效防除禾本科杂草。
进一步,玉米和大豆的间作种植模式为:
在每相邻的两个玉米种植排之间种植2行大豆,玉米行宽行行距为1.8 米,窄行行距为0.4m,大豆行间距为0.4米,玉米行与大豆行间距为0.7米。
进一步,玉米和大豆的间作种植模式为:在每相邻的两个玉米种植排之间种植3行大豆,玉米行宽行行间距为1.8米,窄行行距为0.4米,大豆行间距为0.3米,玉米行与大豆行间距为0.6米。
附图说明
图1为本发明实施例1和对比例1和2中的玉米大豆间作模式;
图2为本发明对比例3中的玉米大豆间作模式。
具体实施方式
以下结合附图对本发明进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。
实施例1
将玉米和大豆同时播种,并且玉米和大豆采用间作种植方式,如图1所示,在每相邻的两个玉米种植排之间种植2行大豆,玉米行宽行行距为1.8米,窄行行距为0.4m,穴距0.06m,每穴1粒;大豆行间距为0.4米,玉米行与大豆行间距为0.7米,穴距0.06m,每穴1粒。
在玉米大豆播后1-2天内,用96%精异丙甲草胺EC 100-150mL/667m2作为播后苗前土壤处理,每亩兑水30-50L,均匀喷雾土壤墒情决定兑水量;干旱气候或土壤墒情差时,可以利用浅覆土2-3cm发挥防效。
在玉米3-5叶期时施用茎叶处理剂75%噻吩磺隆WP 1-1.75g/667m2,每亩兑水30-50L,均匀喷雾。
在玉米6叶期后对大豆行定向喷雾25%氟磺胺草醚EC 40-70mL/667m2,每亩兑水30-50L。
对比例1
采用玉米-大豆2∶2的间作种植模式(见图1),玉米行宽行行距为 1.8m,窄行行距0.4m,穴距0.12m,每穴1粒;在玉米宽行内种2行大豆,行距40cm,玉米行与大豆行间距为70cm,穴距6cm,每穴1粒;在玉米和大豆播后1d进行土壤处理,试验区组采用单因素随机区组设计,各处理分别为96%精异丙甲草胺EC 125mL/667m2,90%乙草胺EC 125mL/667m2,24%乙氧氟草醚EC 56mL/667m2,清水对照(具体测量结果如表2所示);每个处理重复3次,共12个小区,随机区组排列,小区面积为5×4.4=22m2;成苗后选取长势相近的玉米和大豆各3株,每3d调查叶片的形状、叶片的颜色、抽出的叶片数、植株的形状,并进行描述,测定植株的株高和茎粗;观察受药害情况并确定其受到药害的等级;药害分级标准参考中华人民共和国农业行业标准(见表1);在药后7d、15d和30d,调查杂草的种类和数量,测定药后30d杂草地上部分鲜重,在玉米、大豆收获后测定其产量。
表1 药害等级划分标准
表2 土壤处理药害、防效及产量评价
由表2可得,采用96%精异丙甲草胺EC处理对玉米有轻微药害,对大豆没有药害;与90%乙草胺EC和24%乙氧氟草醚EC相比,96%精异丙甲草胺EC对玉米、大豆更安全,采用96%精异丙甲草胺EC处理具有较高的玉米、大豆产量,鲜重防效可以达到91.50%,对抑制杂草种子萌发有显著作用。
对比例2
采用玉米-大豆2∶2的间作种植模式(见图1),玉米行宽行行距1.8m,窄行行距0.4m,穴距0.12m,每穴1粒;在玉米宽行内种2行大豆,行距40cm,玉米行与大豆行间距为70cm,穴距6cm,每穴1粒;在玉米和大豆播后1d进行土壤处理,试验区组采用单因素随机区组设计,各处理分别为48%灭草松L 175mL/667m2,75%噻吩磺隆WP 1.75g/667m2,4%烟嘧磺隆SC85mL/667m2,25%氟磺胺草醚EC 100mL/667m2,5%咪唑乙烟酸L 116.5mL/667m2和清水对照(具体测量结果如表3所示);每个处理重复3次,共18个小区,随机区组排列,小区面积为5×4.4=22m2;药后选取长势相近的玉米和 大豆各3株,每3d调查叶片的形状、叶片的颜色、抽出的叶片数、植株的形状,并进行描述;测定植株的株高和茎粗。观察受药害情况并确定其受到药害的等级;药害分级标准参考中华人民共和国农业行业标准(见表1)。在药后7d、15d和30d,调查杂草的种类和数量,测定药后30d杂草地上部分鲜重。在玉米、大豆收获后测定其产量。
由表3可得,48%灭草松L对玉米、大豆最安全,但除草效果最差;4%烟嘧磺隆SC具有较好的除草效果,但对大豆药害,影响大豆产量;5%咪唑乙烟酸L对杂草的防除效果最好,但对玉米药害较重,影响玉米产量;25%氟磺胺草醚EC处理的大豆产量最高,但对玉米药害较重,严重影响玉米产量;75%噻吩磺隆WP对玉米和大豆有轻微药害,该处理的玉米产量最高,大豆产量高于清水对照,对杂草具有显著的防除效果。
表3 茎叶处理药害、防效及产量评价
对比例3
采用玉米-大豆2∶3的间作种植模式(见图2),玉米行宽行行距为1.8m,窄行行距0.4m,穴距0.12m,每穴1粒;在玉米宽行内种3行大豆,行距30cm,玉米行与大豆行间距为60cm,穴距6cm,每穴1粒;在玉米6叶期后进行定向喷雾防除杂草,试验区组采用单因素随机区组设计,各处理分别为4%烟嘧磺隆SC 85mL/667m2,4%烟嘧磺隆SC 42.5mL/667m2(大豆行定向喷雾),25%氟磺胺草醚EC 100mL/667m2,25%氟磺胺草醚EC50mL/667m2(大豆行定向喷雾),5%咪唑乙烟酸L 116.5mL/667m2,咪唑乙烟酸L 58.3mL/667m2(大豆行定向喷雾)和清水对照(具体测量结果如表4所示);每个处理重复3次,共21个小区,随机区组排列;小区面积为5×4.4=22m2;药后选取长势相近的玉米和大豆各3株,每3d调查叶片的形状、叶片的颜色、抽出的叶片数、植株的形状,并进行描述;测定植株的株高和茎粗,观察受药害情况并确定其受到药害的等级,药害分级标准参考中华人民共和国农业行业标准(见表1),在药后7d、15d和30d,调查杂草的种类和数量,测定药后30d杂草地上部分鲜重,在玉米、大豆收获后测定其产量。
由表4可得,进行全田喷雾和大豆行定向喷雾4%烟嘧磺隆SC的处理,对大豆药害严重,影响大豆产量;施用25%氟磺胺草醚EC和5%咪唑乙烟酸L进行全田喷雾的处理对杂草的防除效果好,但对玉米造成药害,影响玉米产量;大豆行定向喷雾25%氟磺胺草醚EC和5%咪唑乙烟酸L的处理对大豆安全,具有较好的除草效果;大豆行定向喷雾25%氟磺胺草醚EC除草效 果优于5%咪唑乙烟酸L,大豆产量也高于5%咪唑乙烟酸L;没有进行杂草防除的清水对照,玉米和大豆生长受草害严重,产量显著低于其他除草剂处理。因此,大豆行定向喷雾25%氟磺胺草醚EC是一种有效的为玉米大豆间作模式中的后期杂草防除方式。
表4 定向喷雾处理药害、防效及产量评价
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。