一种用于稻田温室气体减排的方法

1.本发明涉及水稻种植技术领域，具体涉及一种稻田温室气体减排的方法。


背景技术：

2.水稻是我国三大主要粮食作物之一，具有悠久的栽培历史，我国水稻年种植面积3000万公顷左右，约占全国粮食种植面积的25.8%，占世界水稻面积的20%，总产量占全国粮食总产量的44%，其播种面积和总产量均居国内粮食作物首位，约有60%的人口以稻米为主食，在我国粮食生产中具有举足轻重的地位。
3.同时，稻田是大气ch4和n2o重要排放源，淹水稻田排放的ch4和n2o分别占全球农业温室气体排放的30%和11%（us-epa，2006）。截至2019年，我国水稻播种面积2969.4万hm2，占我国耕地面积的23%以上，约占世界水稻面积的30%。《中华人面共和国气候变化第三次信息简报》显示，我国稻田ch4排放量高达8.73
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103gg，n2o的年排放量为33-40gg，总排放约1.83亿吨co2排放当量，约占我国整个农业源温室气体排放的贡献为22.1%。
4.水稻产量的增长，在一定程度上保障了粮食安全，但是随即带来了一个隐患，水稻需求的增加有可能会进一步刺激稻田温室气体的排放；反之，利于稻田温室气体减排的技术措施有可能会影响水稻的产量水平，因此，亟需开展稻田温室气体减排耕作技术创新，协调好稻田生产与温室气体减排之间的关系。
5.传统的漫灌耕作方式，大大增加了稻田中ch4的排放量。同时氮肥的不完全吸收，也导致稻田释放大量温室气体n2o，传统的水稻的种植方式，通常在向水稻施氮肥时，是将肥料粗放的撒在稻田里，使肥料渗入稻田土壤中再被水稻根系吸收，使肥料更均匀更广地辐射到稻田的水稻中，然而在水稻生长时，水稻难以将稻田各处的肥料进行吸收，在距离水稻根系较远的土壤中的养分不利于水稻根系对养分的吸收，如此，不利于水稻对肥料的吸收利用率，易造成稻田中残留大量的氮肥,从而为温室气体n2o的生成提供了更多的底物，在水稻种植过程中稻田会释放大量的温室气体n2o。
6.所以，基于上述问题，目前亟需实际一种用于稻田温室气体减排的方法，以降低水稻种植过程中的温室气体的释放量。


技术实现要素：

7.本发明的目的在于：针对目前水稻种植过程中存在的上述不足，提供了一种用于稻田温室气体减排的方法，以降低水稻种植过程中的温室气体的释放量。
8.为了实现上述发明目的，本发明提供了以下技术方案：一种用于稻田温室气体减排的方法，包括如下步骤：步骤s1：起垄，以形成垄梗和垄沟，并使所述垄梗上形成若干个呈竖向的通道；步骤s2：种植，将水稻种植在所述垄梗上，且水稻种植部位与所述通道相错开；步骤s3：施肥，将肥料添加至所述通道内，使肥料渗入到所述通道四周的土壤中。
9.作为本技术优先的技术方案，在所述步骤s3中，施肥涉及施分蘖肥、施穗肥和施粒
肥；且通过使用管道插入所述垄梗内的方式以形成所述通道；且所述管道的一端开口，所述管道的另一端封堵，所述管道的侧壁上设置有若干出口，肥料能添加至所述管道内并从所述出口处渗入稻田的土壤中。
10.作为本技术优先的技术方案，在所述步骤s3中，在施分蘖肥后，在水稻分蘖末期或拔节初期进行晒田作业或者垄沟降水位作业。
11.作为本技术优先的技术方案，在所述步骤s1中，将所述垄沟深度设置为25-28cm；在水稻分蘖期使稻田水位淹没所述垄梗的垄面3-5cm；水稻分蘖结完成后，进行所述垄沟降水位作业，使所述垄沟的水位低于垄面且距垄面5-10cm。
12.作为本技术优先的技术方案，在进行晒田作业时，晒田时间为5-10天。
13.作为本技术优先的技术方案，在晒田作业结束后，向所述垄沟中灌水，直至所述垄沟中的水面处于所述垄梗的垄腰处。
14.作为本技术优先的技术方案，在所述步骤s1和s2之间还设置有步骤a1，所述步骤a1为：施基肥，将肥料添加至所述通道内，并通过向所述垄梗插入所述管道的形式以形成所述通道。
15.作为本技术优先的技术方案，若干所述管道形成管道组，且所述管道组上的若干所述管道通过连接杆相连接成一体，从而提高了管道插入垄梗以形成通道的效率。
16.作为本技术优先的技术方案，所述出口为筛孔状通孔，且所述管道外侧设置有若干呈环状的凸起，所述凸起环绕所述管道的中心轴线设置，所述凸起沿所述管道的长度方向排布；且在沿所述管道上的开口端至封堵端的方向上，所述管道的直径逐渐缩小。
17.作为本技术另一种优先的技术方案，所述出口呈条状，所述出口的长度方向与所述管道的长度方向同向，所述出口的长度与所述管道的长度相适配，且所述出口沿所述管道的周向排布；所述管道上还设置有若干叶片，所述叶片与所述出口相适配，所述叶片的一端与所述管道相连，所述叶片能遮挡所述出口，且在所述管道插入稻田土壤后，稻田土壤能挤推所述叶片以使所述叶片朝所述管道的中心轴线弯曲变形并使所述出口暴露，在撤销对所述叶片的作用力时，所述叶片能恢复形变。
18.作为本技术优先的技术方案，所述管道上的用于与所述叶片相连的部分靠近所述管道上的被封堵的一端。
19.作为本技术优先的技术方案，所述管道和所述叶片采用树脂制作，且选用非降解材料，以便所述管道和所述叶片的长期反复使用，同时便于所述管道在插入土壤后能维持原形，也便于所述叶片的弯曲变形。
20.作为本技术优先的技术方案，所述步骤s3还包括如下子步骤：步骤b1：置入所述管道，将所述管道插入至对应水稻种植区域的所述垄梗内；步骤b2：投放肥料，将肥料从所述管道的开口处投入所述管道内，使所述管道内的肥料渗入所述垄梗内的土壤中；步骤b3：在所述垄梗土壤吸收肥料后，将所述管道从所述垄梗内拔出。
21.作为本技术优先的技术方案，在所述步骤b3中，使所述管道在所述垄梗中插入1-2周后，在将所述管道从所述垄梗中拔出。
22.与现有技术相比，本发明的有益效果：
在本技术的方案中，先在稻田起垄，以形成垄梗和垄沟，并使垄梗形成若干个呈竖向的通道；接着将水稻种植在垄梗上，并使水稻种植部位与通道相错开；在进行施肥作业，将肥料添加至通道内，使得肥料渗入到通道四周的土壤中，如此操作，使得通道附近的土壤中的养分含量较高，在水稻的生长过程中，水稻根系易向通道附近的土壤处生长，如此，利于使水稻根系集中分布在通道附近，在后续的追肥中，通过持续向通道中施肥，会使施肥的区域为水稻根系生长较为发达的区域，更利于水稻根系对肥料养分的吸收利用，同时，由于水稻根系集中生长在通道附近，在水稻生长过程中，通道为水稻根系的生长提供了更多的生长空间，利于水稻根系向通道内生长，进而能够提高水稻根系对肥料养分的吸收能力，同时通道的设置，利于空气沿着通道进入土壤深层，从而能避免通道附近的土壤中形成极度缺氧的环境，进而能够抑制甲烷菌的生长，从而降低温室气体ch4的生成和排放；并且通道的设置，在利于水稻根系生长的同时，提高了水稻根系的吸肥能力，也提高了肥料的利用率，从而降低了土壤中的肥料的残留，在施氮肥时，提高了氮肥的利用率，降低了氮肥在土壤中的残留，降低了生成温室气体n2o的底物，从而降低了温室气体n2o的生成和排放，进而有利于改善温室效应；在本技术中，在步骤s1和s2之间还设置有步骤a1，在起垄后施基肥，通过将肥料添加在通道内，使得基肥从通道渗入到通道附近的土壤中，而传统的施基肥的方式是将基肥与整个稻田土壤混合，而在本技术中，通过局部施基肥的方式，便于水稻根系朝通道附近的土壤中生长，如此，提高了水稻根部对基肥的吸收率，同时基肥能引导处于成长初期的水稻幼苗的根系朝通道附近的土壤中生长，从而在后续追肥时，能提高水稻根系对养分的吸收，从而降低n2o的产生；进一步的，通过在管道外侧设置若干个呈环状的凸起，使得管道在插入垄梗的过程中，管道竖直向下运动并带动凸起竖直向下运动，使得凸起能起对其下方的土壤进行挤压，并为处于凸起上方的出口预留空间，使得肥料添加至管道后，肥料与土壤中的水分相混合后，便于肥料从出口流至出口附近的预留空间内，如此，在肥料添加至管道后，能使更多的土壤直接接触肥料，进而能进一步提高肥料渗入管道附近的土壤中的速度和范围，同时预留空间的存在，能提高土壤上的与空气接触的表面积，能进一步提高管道附近的土壤中的含氧量，在施肥过程中，肥料主要施在管道附近的土壤里，如此，能进一步避免管道附近的土壤中形成极端缺氧的环境，进一步抑制了甲烷菌的产生，从而进一步将低稻田中的ch4的排放；并且在沿管道上的开口端至封堵端的方向上，管道的直径逐渐缩小，其中，开口端为管道上的开口的一端，封堵端为管道上的被封堵的一端，如此，能降低管道插入垄梗时的阻力，便于管道的插入工作；在本技术的另一种方案中，通过在管道上设置若干叶片，在将管道插入土壤内时，土壤能挤推叶片使叶片朝管道的中心轴线弯曲变形，在叶片弯曲变形的过程中，能逐渐使叶片所对应的出口暴露，且该出口能逐渐被土壤所填充，并且在管道插入土壤的过程中，管道上的被封堵的一端挤推管道下方的土壤，使得在此过程中，叶片所受到的土壤的作用力较小，进而在此过程中，叶片能对出口进行遮挡，从而在管道插入土壤的过程中能防止土壤从出口将管道进行填堵，进而为后续肥料和空气进入管道并作用于土壤提供了保障；同时在管道插入土壤至预设位置后，土壤对叶片的作用力是呈递增的，作用力为f，使得在土壤的作用力下，叶片逐渐朝管道的中心轴线弯曲变形，并使所暴露的出口逐渐被土壤填充，进
而在后续施肥料时，肥料进入管道中，肥料直接作用于该将出口进行填充的土壤，能扩大管道内的肥料所直接接触的土壤面积，从而提高肥料渗入管道侧壁附近的土壤中的速度和范围，利于水稻根系对肥料的吸收，进而在施氮肥时，能提高氮肥的利用率，进而能降低土壤中的氮肥残留，进而减小温室气体的排放；在本技术中，使管道在垄梗中插入1-2周后，再将管道从垄梗中拔出，如此，使得在施肥后的1-2周的时间内，水稻的根系在管道附近的土壤中生长得更密集，在将管道从垄梗内拔出后，利于通道附近的水稻根系对通道形状的维持，能减缓通道收缩的速度，利于水稻在通道内的生长，以及利于提高通道及通道附近的土壤的透气性。
附图说明
23.图1为本技术一种用于稻田温室气体减排的方法其中一种实施方式的流程示意图；图2为本技术一种用于稻田温室气体减排的方法其中一种实施方式中的稻田结构的结构示意图；图3为本技术一种用于稻田温室气体减排的方法其中一种实施方式中的稻田结构的结构示意图；图4为本技术一种用于稻田温室气体减排的方法其中一种实施方式中的管道的结构示意图；图5为本技术一种用于稻田温室气体减排的方法其中一种实施方式中的管道的结构示意图；图6为本技术一种用于稻田温室气体减排的方法其中一种实施方式中的管道的剖视结构示意图；图7为本技术一种用于稻田温室气体减排的方法其中一种实施方式中的管道的剖视结构示意图；图8为本技术一种用于稻田温室气体减排的方法其中一种实施方式的流程示意图；图中标示：1-垄梗，2-垄沟，3-通道，4-管道，5-出口，6-管道组，7-连接杆，8-凸起，9-叶片。
具体实施方式
24.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。
25.因此，以下对本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的部分实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
26.需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征和技术方案可以相互组合。
27.应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一
个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
28.在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，或者是本领域技术人员惯常理解的方位或位置关系，这类术语仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
29.实施例一：参见图1-3所示，本实施例提供的一种用于稻田温室气体减排的方法，包括如下步骤：步骤s1：起垄，以形成垄梗1和垄沟2，并使所述垄梗1上形成若干个呈竖向的通道3；步骤s2：种植，将水稻种植在所述垄梗1上，且水稻种植部位与所述通道3相错开；步骤s3：施肥，将肥料添加至所述通道3内，使肥料渗入到所述通道3四周的土壤中。
30.在本技术中，先在稻田起垄，以形成垄梗1和垄沟2，并使垄梗1形成若干个呈竖向的通道3；接着将水稻种植在垄梗1上，并使水稻种植部位与通道3相错开；在进行施肥作业，将肥料添加至通道3内，使得肥料渗入到通道3四周的土壤中，如此操作，使得通道3附近的土壤中的养分含量较高，在水稻的生长过程中，水稻根系易向通道3附近的土壤处生长，如此，利于使水稻根系集中分布在通道3附近，在后续的追肥中，通过持续向通道3中施肥，会使施肥的区域为水稻根系生长较为发达的区域，更利于水稻根系对肥料养分的吸收利用，同时，由于水稻根系集中生长在通道3附近，在水稻生长过程中，通道3为水稻根系的生长提供了更多的生长空间，利于水稻根系向通道3内生长，进而能够提高水稻根系对肥料养分的吸收能力，同时通道3的设置，利于空气沿着通道3进入土壤深层，从而能避免通道3附近的土壤中形成极度缺氧的环境，进而能够抑制甲烷菌的生长，从而降低温室气体ch4的生成和排放；并且通道3的设置，在利于水稻根系生长的同时，提高了水稻根系的吸肥能力，也提高了肥料的利用率，从而降低了土壤中的肥料的残留，在施氮肥时，提高了氮肥的利用率，降低了氮肥在土壤中的残留，降低了生成温室气体n2o的底物，从而降低了温室气体n2o的生成和排放，进而有利于改善温室效应。
31.作为优选的实施方式，在上述方式的基础上，进一步的，在所述步骤s3中，施肥涉及施分蘖肥、施穗肥和施粒肥；且通过使用管道4插入所述垄梗1内的方式以形成所述通道3；且所述管道4的一端开口，所述管道4的另一端封堵，所述管道4的侧壁上设置有若干出口5，肥料能添加至所述管道4内并从所述出口5处渗入稻田的土壤中。
32.进一步的，在步骤s3中，施肥涉及施分蘖肥、施穗肥和施粒肥，通过采用多次施肥的方式，在水稻的不同生长时期内，能提高水稻根系对肥料的吸收率，同时便于种植者根据水稻的长势对肥料进行调整，更利于水稻对养分的吸收；进一步的，通过使用管道4插入垄梗1的方式以形成通道3，并且通道3的一端开口，通道3的另一端被封堵，同时在通道3的侧壁上设置若干出口5，肥料能添加至管道4内并从出口5处渗入稻田的土壤中，具体的，肥料从通道3上的开口的一端投入，在肥料添加至管道4后，肥料能溶解在管道4内的从土壤中渗出的水中，使得肥料再从出口5处渗入到稻田的土
壤中，如此，使得水稻的根系更易遍布在管道4附近的土壤中，利于在施肥时维持管道4的形状，利于通道3附近的土壤对肥料的吸收。
33.实施例二：参见图1所示，在实施例一技术方案的基础上，进一步的，在所述步骤s3中，在施分蘖肥后，在水稻分蘖末期或拔节初期进行晒田作业或者垄沟降水位作业。
34.进一步的，在步骤s3中，在施分蘖肥后，在水稻分蘖末期或拔节初期进行晒田作业或垄沟降水位作业，利于水稻根系的生长，能进一步增强水稻根系吸肥的能力，进而在后续施肥过程中，利于水稻根系对肥料的吸收，在施肥时，能提高肥料的利用率，其肥料包括有机肥和氮肥，进而降低温室气体n2o以及ch4的产生，同时还能进一步增加土壤中的含氧量，能有效抑制无效分蘖，从而提高成穗率，进而提高水稻的产量。
35.作为优选的实施方式，在上述方式的基础上，进一步的，在所述步骤s1中，将所述垄沟2深度设置为25-28cm；并在水稻分蘖期使稻田水位淹没所述垄梗1的垄面3-5cm；且在进行所述垄沟降水位作业时，使所述垄沟的水面距离所述垄梗1的垄面10-20cm。
36.如此，通过降低垄沟水位，并将垄沟2的水位控制在距离垄梗1的垄面10-20cm处，从而能进一步减少ch4的排放。
37.作为优选的实施方式，在上述方式的基础上，进一步的，在进行晒田时间为5-10天。
38.通过将晒田时间控制在5-10天，能使晒田达到最佳的效果，利于土壤含氧量的提高，利于水稻的增产。
39.作为优选的实施方式，在上述方式的基础上，进一步的，在晒田作业结束后，向所述垄沟2中灌水，直至所述垄沟2中的水面处于所述垄梗1的垄腰处。
40.进一步的，在晒田作业结束后，向垄沟2中灌水，直至垄沟2中的水面处于垄梗1的垄腰处，经晒田的水稻在复水后，利于保持水稻根系的活力，利于水稻吸收更多的养分。
41.实施例三：参见图1-3所示，在实施例二技术方案的基础上，进一步的，在所述步骤s1和s2之间还设置有步骤a1，所述步骤a1为：施基肥，将肥料添加至所述通道3内，并通过向所述垄梗1插入所述管道4的形式以形成所述通道3。
42.在本技术中，在步骤s1和s2之间还设置有步骤a1，在起垄后施基肥，通过将肥料添加在通道3内，使得基肥从通道3渗入到通道3附近的土壤中，而传统的施基肥的方式是将基肥与整个稻田土壤混合，而在本技术中，通过局部施基肥的方式，便于水稻根系朝通道3附近的土壤中生长，如此，提高了水稻根部对基肥的吸收率，同时基肥能引导处于成长初期的水稻幼苗的根系朝通道3附近的土壤中生长，从而在后续追肥时，能提高水稻根系对养分的吸收，从而降低n2o的产生。
43.作为优选的实施方式，在上述方式的基础上，进一步的，若干所述管道4形成管道组6，且所述管道组6上的若干所述管道4通过连接杆7相连接成一体，从而提高了管道4插入垄梗1以形成通道3的效率。
44.实施例四：参见图4所示，在实施例三技术方案的基础上，进一步的，所述出口5为筛孔状通孔，且所述管道4外侧设置有若干呈环状的凸起8，所述凸起8环绕所述管道4的中心轴线设置，所述凸起8沿
所述管道4的长度方向排布；且在沿所述管道4上的开口端至封堵端的方向上，所述管道4的直径逐渐缩小。
45.进一步的，通过在管道4外侧设置若干个呈环状的凸起8，使得管道4在插入垄梗1的过程中，管道4竖直向下运动并带动凸起8竖直向下运动，使得凸起8能起对其下方的土壤进行挤压，并为处于凸起8上方的出口5预留空间，使得肥料添加至管道4后，肥料与土壤中的水分相混合后，便于肥料从出口5流至出口5附近的预留空间内，如此，在肥料添加至管道4后，能使更多的土壤直接接触肥料，进而能进一步提高肥料渗入管道4附近的土壤中的速度和范围，同时预留空间的存在，能提高土壤上的与空气接触的表面积，能进一步提高管道4附近的土壤中的含氧量，在施肥过程中，肥料主要施在管道4附近的土壤里，如此，能进一步避免管道4附近的土壤中形成极端缺氧的环境，进一步抑制了甲烷菌的产生，从而进一步将低稻田中的ch4的排放；并且在沿管道4上的开口端至封堵端的方向上，管道4的直径逐渐缩小，其中，开口端为管道4上的开口的一端，封堵端为管道4上的被封堵的一端，如此，能降低管道4插入垄梗1时的阻力，便于管道4的插入工作。
46.实施例五：参见图5和图7所示，在实施例三技术方案的基础上，进一步的，所述出口5呈条状，所述出口5的长度方向与所述管道4的长度方向同向，所述出口5的长度与所述管道4的长度相适配，且所述出口5沿所述管道4的周向排布；所述管道4上还设置有若干叶片9，所述叶片9与所述出口5相适配，所述叶片9的一端与所述管道4相连，所述叶片9能遮挡所述出口5，且在所述管道4插入稻田土壤后，稻田土壤能挤推所述叶片9以使所述叶片9朝所述管道4的中心轴线弯曲变形并使所述出口5暴露，在撤销对所述叶片9的作用力时，所述叶片9能恢复形变。
47.在本技术中，通过在管道4上设置若干叶片9，在将管道4插入土壤内时，土壤能挤推叶片9使叶片9朝管道4的中心轴线弯曲变形，在叶片9弯曲变形的过程中，能逐渐使叶片9所对应的出口5暴露，且该出口5能逐渐被土壤所填充，并且在管道4插入土壤的过程中，管道4上的被封堵的一端挤推管道4下方的土壤，使得在此过程中，叶片9所受到的土壤的作用力较小，进而在此过程中，叶片9能对出口5进行遮挡，从而在管道4插入土壤的过程中能防止土壤从出口5将管道4进行填堵，进而为后续肥料和空气进入管道4并作用于土壤提供了保障；同时在管道4插入土壤至预设位置后，土壤对叶片9的作用力是呈递增的，作用力为f，使得在土壤的作用力下，叶片9逐渐朝管道4的中心轴线弯曲变形，并使所暴露的出口5逐渐被土壤填充，进而在后续施肥料时，肥料进入管道4中，肥料直接作用于该将出口5进行填充的土壤，能扩大管道4内的肥料所直接接触的土壤面积，从而提高肥料渗入管道4侧壁附近的土壤中的速度和范围，利于水稻根系对肥料的吸收，进而在施氮肥时，能提高氮肥的利用率，进而能降低土壤中的氮肥残留，进而减小温室气体的排放。
48.作为优选的实施方式，在上述方式的基础上，进一步的，所述管道4和所述叶片9采用树脂制作，且选用非降解材料，以便所述管道4和所述叶片9的长期反复使用，同时便于所述管道4在插入土壤后能维持原形，也便于所述叶片9的弯曲变形。
49.作为优选的实施方式，在上述方式的基础上，进一步的，所述管道4上的用于与所述叶片9相连的部分靠近所述管道4上的被封堵的一端。
50.进一步的，使管道4上的用于与叶片9相连的部分靠近管道4上的被封堵的一端，如此，使得在土壤挤压叶片9并使叶片9弯曲时，在管道4和叶片9的作用下，能使所形成的通道
3上的处于上方的区域的截面面积缩小，使得所形成的通道3呈上方收口的长瓶状结构，在施肥料后，肥料进入通道3内并作用于管道4附近的土壤，在土壤及水稻的根系吸收肥料的过程中，其所形成的通道3结构能降低肥料的挥发，并且在施肥后的降雨时期，且在管道4处于稻田土壤内时，通道3上的位于上方的收口区域能逐渐缩小，同时通道3上的位于上方的收口区域能起到阻挡作用，能对降水起到阻挡作用，进而在施肥后的降雨中，能有效降低通道3内的肥料流出通道3至稻田表面的情况，进而能提高肥料的利用率，同时能降低肥料在稻田表面的挥发，在施氮肥时，能有效降低氨挥发，进而能降低出现大气中的nh3被氧化后与酸反应引起雾霾天气的情形，以及能降低出现nh3沉降并返回到陆地和土壤中的情形，进而能降低温室气体的排放，并减缓温室效应。
51.实施例六：参见图1-3和图8所示，在实施例五技术方案的基础上，进一步的，所述步骤s3还包括如下子步骤：步骤b1：置入所述管道4，将所述管道4插入至对应水稻种植区域的所述垄梗1内；步骤b2：投放肥料，将肥料从所述管道4的开口处投入所述管道4内，使所述管道4内的肥料渗入所述垄梗1内的土壤中；步骤b3：在所述垄梗1土壤吸收肥料后，将所述管道4从所述垄梗1内拔出。
52.在进行施肥时，将管道4插入至对应水稻种植区域的垄梗1内，以形成施肥所需的通道3，在进行肥料的投放，将肥料从管道4的开口处投入管道4内，使得肥料从管道4渗入到土壤中，具体的，在管道4插入垄梗1后，管道4中含有从土壤中渗出的水分，进而在施肥时，能使肥料与水进行混合，进而使肥料渗入到管道4附近的垄梗1土壤内，从而使得水稻根系朝养分丰富的土壤处生长，即水稻根系朝管道4附近的土壤处生长；在垄梗1土壤吸收肥料后，将管道4从垄梗1中拔出，使得管道4所形成的通道3无管道4的阻挡，进而为生长在通道3附近的水稻根系提供了更多的生长空间，如此，为水稻根系的生长提供了更多的空间以及更丰富的养分，提高水稻对肥料的吸收利用率，在利于水稻生长的同时，能降低温室气体n2o的排放，同时为水稻根系所生长的土壤补充了氧气，抑制了甲烷菌的生长，从而降低温室气体ch4的释放。
53.作为优选的实施方式，在上述方式的基础上，进一步的，在所述步骤b3中，使所述管道4在所述垄梗1中插入1-2周后，在将所述管道4从所述垄梗1中拔出。
54.在本技术中，使管道4在垄梗1中插入1-2周后，再将管道4从垄梗1中拔出，如此，使得在施肥后的1-2周的时间内，水稻的根系在管道4附近的土壤中生长得更密集，在将管道4从垄梗1内拔出后，利于通道3附近的水稻根系对通道3形状的维持，能减缓通道3收缩的速度，利于水稻在通道3内的生长，以及利于提高通道3及通道3附近的土壤的透气性。
55.以上实施例仅用以说明本发明而并非限制本发明所描述的技术方案，尽管本说明书参照上述的各个实施例对本发明已进行了详细的说明，但本发明不局限于上述具体实施方式，因此任何对本发明进行修改或等同替换；而一切不脱离发明的精神和范围的技术方案及其改进，其均涵盖在本发明的权利要求范围当中。