1.一种声音衰减装置，其特征在于，包括：
a.一件模型包括一条小信道，
b.至少一件听力保护器横跨在所述小通道中，
其中所述听力保护器包括：
i.一个底板，
ii.一片可震动的薄膜，薄膜边缘固定在底板上，
iii.一片至少有一个孔洞的膜片，所述膜片边缘固定在底板上，膜片与薄膜之间分隔了一段空间距离，声音令薄膜振动，当声音超过临界点，震动的薄膜挠曲和压住膜片，限制膜片进一步移动；或者一片至少有一个孔洞的膜片，膜片与薄膜之间分隔了一段空间距离，声音令薄膜振动，当声音超过临界点，震动的薄膜挠曲和压住膜片，限制膜片进一步移动。
2.根据权利要求1所述的声音衰减装置，其特征在于，在所述薄膜对着所述膜片的一面至少有一个凸出的小尖点。
3.根据权利要求1所述的声音衰减装置，其特征在于，所述膜片为硅膜片、氮化硅膜片、氧化硅膜片或多晶硅膜片，或者以上至少两种膜片组合叠加而成。
4.根据权利要求1所述的声音衰减装置，其特征在于，所述薄膜是可扩张的。
5.根据权利要求1所述的声音衰减装置，其特征在于，所述薄膜有波纹或中间凸出。
6.根据权利要求1所述的声音衰减装置，其特征在于，所述薄膜厚度小于10微米。
7.根据权利要求1所述的声音衰减装置，其特征在于，所述薄膜为硅薄膜、氮化硅薄膜、氧化硅薄膜或多晶硅薄膜，或者以上至少两种薄膜组合而成。
8.根据权利要求1所述的声音衰减装置，其特征在于，所述一段空间距离少于10微米。
9.根据权利要求1所述的声音衰减装置，其特征在于，所述声音临界点为85-140分贝。
10.根据权利要求1所述的声音衰减装置，其特征在于，所述底板为硅板，所述薄膜的表面和所述膜片在被薄膜压住的表面均涂有反粘滞作用层。
11.根据权利要求1所述的声音衰减装置，其特征在于，所述薄膜是不可扩张的。
12.一种制造声音衰减装置的方法，其特征在于，包括如下步骤:
a.提供一件模型包括一条小信道，
b.提供至少一件听力保护器横跨在该小通道中，
所述听力保护器的制造方法，包括如下步骤:
i.提供一个底板，
ii.提供一片可震动的薄膜，薄膜边缘固定在底板上，
iii.提供一片膜片，在膜片上开设至少一个孔洞，所述膜片边缘固定在底板上，将膜片与薄膜分隔了一段空间距离，声音令薄膜振动；当声音超过临界点，震动的薄膜挠曲和压住膜片，限制膜片进一步移动。
13.根据权利要求12所述的制造声音衰减装置的方法，其特征在于，在所述的薄膜对着膜片的一面设置至少有一个凸出的小尖点。
14.根据权利要求12所述的制造声音衰减装置的方法，其特征在于，所述的底板为硅板，在所述薄膜的表面和所述膜片被薄膜压住的表面涂上反粘滞作用层。
15.根据权利要求14所述的制造声音衰减装置的方法，其特征在于，所述反粘滞作用层为二甲基二氯硅烷或1H,1H,2H,2H-全氟癸基三氯硅烷。
16.根据权利要求14所述的制造声音衰减装置的方法，其特征在于，所述反粘滞作用层在硅板切为小芯片之后涂上。
17.根据权利要求14所述的制造声音衰减装置的方法，其特征在于，所述涂上反粘滞作用层的方法，包括如下步骤:
a.把硅板放在第一空室；
b.在第二空室内，把有反粘滞作用特点的物料加热至气化；
c.打开第一空室与第二空室中间的阀门，让第二空室充满了反粘滞作用的气体；
d.让反粘滞作用气体沉积成反粘滞作用层。
18.根据权利要求14所述的制造声音衰减装置的方法，其特征在于，所述反粘滞作用层用等离子体化学反应沉积法涂上，包括如下步骤:
a.把硅板放在一空室的阴极和阳极之间
b.让空室充满了反粘滞作用的气体；
c.在电极上加电压产生等离子体；
d.让反粘滞作用气体沉积成反粘滞作用层。
19.根据权利要求14所述的制造声音衰减装置的方法，其特征在于，在所述反粘滞作用层与硅板之间沉积一附着层。
20.根据权利要求19所述的制造声音衰减装置的方法，其特征在于，所述附着层为铝氧化物。