一种智能手环的心电信号采集电路的制作方法

文档序号:11324663阅读:1099来源:国知局
一种智能手环的心电信号采集电路的制造方法与工艺

本实用新型属于电子技术领域,尤其涉及一种智能手环的心电信号采集电路。



背景技术:

随着技术的发展,各种各样的可穿戴设备逐渐开始普及,其中智能手环一直是一种最常见的可穿戴设备。现有的智能手环通常都具有计步功能,但是仅有少数高端的智能手环具有心电监控功能;这是由于现有的心电监测电路普遍非常复杂且造价高,导致在中低端智能手环中很难普及。



技术实现要素:

针对现有技术中存在的智能手环的心电信号采集电路在电路设计方面不尽合理导致价格高问题,本实用新型要解决的技术问题是提供一种智能手环的心电信号采集电路,能够通过合理的电路设计实现低成本的心电信号采集。

为了解决上述问题,本实用新型实施例提出了一种智能手环的心电信号采集电路,包括BMD101心电采集芯片、ECG心电采集电路;其中所述BMD101心电采集芯片的第零管脚为片选引脚CS;第一管脚SEP和第二管脚SEN的电极模拟信号输入接口连接用于采集心电模拟信号的传感器;第三管脚的数据写入接口RX通过串行总线接收数据;第四管脚TX的信号输出接口连接蓝牙通讯芯片输出数据;第五管脚RESET的高电平复位接口连接高电平复位电路,所述高电平复位电路包括相互并联的上拉电阻R3及稳压二极管D1,且所述第五管脚RESET还通过滤波电容C4接地GND;第六管脚GND接地GND;

其中所述ECG心电采集电路包括连接器Header4,所述BMD101心电采集芯片通过连接器Header4连接采集心电模拟信号的传感器,其中连接器Header4的第四管脚连接所述BMD101心电采集芯片的第一管脚SEP,且连接 器Header4的第一管脚连接所述BMD101心电采集芯片的第二管脚SEN;且所述连接器Header4的第二管脚和第三管脚连接模拟地AGND;所述连接器Header4的第四管脚通过第一静电放电电路ESD D1连接模拟地AGND,且第一管脚通过第二静电放电电路ESD D2连接模拟地AGND;

其中所述模拟地AGND与接地GND之间通过缓冲电感L2连接。

其中,还包括第二插座header2,所述第二插座header2的第一管脚通过滤波电容C4连接所述BMD101心电采集芯片的第五管脚RESET,且所述第二插座header2的第二管脚为信号输出端口TX。

其中,所述BMD101心电采集芯片的第七管脚的供电接口VDD连接供电电路,并通过滤波电容C3接地。

其中,所述滤波电容C3的电容值为10μF。

其中,所述滤波电容C4的电容值为10μF。

其中,缓冲电感L2的电感值为10μH。

其中,所述上拉电阻R3的阻值为10KΩ。

其中,所述蓝牙通讯芯片为DA14580芯片。

其中所述BMD101心电采集芯片的第六管脚接地,且第零管脚为片选引脚。

本实用新型的上述技术方案的有益效果如下:本实用新型实施例提出了一种智能手环的心电信号采集电路,其采用了合理的电路设计以降低成本。其中对模拟地AGND与数字地GND之间采用了缓冲电感以实现一点接地,且能够减少模拟地AGND与数字地GND之间的相互干扰。

附图说明

图1为本实用新型实施例的智能手环的心电信号采集电路的电路连接结构图;

图2为模拟地AGND与数字地GND之间采用了缓冲电感以实现一点接地的电路结构图。

具体实施方式

为使本实用新型要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。

本实用新型实施例提出了一种智能手环的心电信号采集电路,其电路结构如图1和图2所示的,心电信号采集模块采用神念科技BMD101传感器作为设计核心。其中,Pin 0(CS)为片选引脚;Pin 1(SEP)及Pin 2(SEN)为电极模拟信号输入端,用来采集心电模拟信号;Pin 3(RX)是BMD101与串口进行通讯时接收数据的接口,即数据写入端;Pin 4(TX)为BMD101信号输出端,与DA14580芯片的Pin 6(P1_3)口相连;Pin 5为高平RC复位电路,设置了一个10K上拉电阻R3(R3需并联一个稳压二极管D1,起稳压作用)和一个0.1μF滤波电容C4;Pin 6为GND;Pin 7为VDD,VDD与GND之间串联一个10μF滤波电容C5(即去耦,消除高频噪声);AGND是电路的模拟地,模拟地和数字地不可以直接短路连接,否则会导致互相干扰。由于设备测量的都是低频模拟信号,信号端可以看做为一个电压源。如图2所示的,设计采用一点接地的接入方式,对模拟地AGND做了加粗处理,并缩短了其长度,同时在模拟地AGND和数字地GND之间加入10μH电感作为缓冲,以减少两者之间的相互干扰。

以上所述是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型所述原理的前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

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