本发明涉及医疗器械，具体涉及采用相位差技术的创口处理装置。
背景技术：
超声清洗是利用超声波在液体中产生的空化效应以及高速振动和剪切效应来清洗创口，这种“无刷清洗”的主要特点是速度快、效果好、容易实现对凹凸型等复杂结构创口进行深层清洗，对缝隙处的细菌有高效清洗的效果，从而降低伤口处的细菌数目和种类，降低感染率，减少并发症，在医用清创领域有广泛的应用前景。
然而现有的超声波清创仪对于超声波频率控制不便，从而导致了清创效果降低。
技术实现要素：
本发明所要解决的技术问题是现有的超声波清创仪对于超声波频率控制不便，从而导致了清创效果降低，目的在于提供采用相位差技术的创口处理装置，解决上述问题。
本发明通过下述技术方案实现：
采用相位差技术的创口处理装置，包括：用于提供交流电的ac模块；用于开关整个系统的驱动模块；用于将电能转换为超声波的超声波换能器；用于为超声波换能器提供特定功率的匹配模块；用于对超声波换能器上的电流进行采样的采样模块；用于对采样后的电流进行放大滤波的放大滤波模块；用于将放大滤波后的电流进行相位差处理的相位差处理模块；用于对相位差处理后的电流进行分析的dsp模块；用于根据dsp模块分析后的结果产生激励波形的dds模块。
现有技术中，超声波清创仪对于超声波频率控制不便，从而导致了清创效果降低。本发明应用时，ac模块提供交流电；驱动模块开关整个系统；超声波换能器将电能转换为超声波；匹配模块为超声波换能器提供特定功率；采样模块对超声波换能器上的电流进行采样；放大滤波模块对采样后的电流进行放大滤波；相位差处理模块将放大滤波后的电流进行相位差处理；dsp模块对相位差处理后的电流进行分析；dds模块根据dsp模块分析后的结果产生激励波形。由于ac模块提供的交流电频率往往无法直接适用于超声波换能器，所以采样模块对换能器上的电流采样，并经相位差处理后传送到dsp模块，dsp模块对采用后的电流分析并调整波形参数，再交由dds模块产生激励波形，从而对输入到换能器上的波形进行循环处理，直至满足换能器要求，从而实现了对超声波频率方便的控制，提高了清创效果。
进一步的，所述相位差模块的相位差处理包括提取采样电路的相位差方向和相位差数值。
进一步的，所述dsp模块对相位差处理后的电流进行分析包括针对超声波换能器对电流调整幅值和频率。
进一步的，所述dds模块产生的激励波形采用正弦波。
进一步的，所述dds模块采用ad9833。
本发明与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：
本发明采用相位差技术的创口处理装置，对输入到换能器上的波形进行循环处理，直至满足换能器要求，从而实现了对超声波频率方便的控制，提高了清创效果。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明实施例的进一步理解，构成
本技术：
的一部分，并不构成对本发明实施例的限定。在附图中：
图1为本发明系统结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本发明作进一步的详细说明，本发明的示意性实施方式及其说明仅用于解释本发明，并不作为对本发明的限定。
实施例
如图1所示，本发明采用相位差技术的创口处理装置，包括：用于提供交流电的ac模块；用于开关整个系统的驱动模块；用于将电能转换为超声波的超声波换能器；用于为超声波换能器提供特定功率的匹配模块；用于对超声波换能器上的电流进行采样的采样模块；用于对采样后的电流进行放大滤波的放大滤波模块；用于将放大滤波后的电流进行相位差处理的相位差处理模块；用于对相位差处理后的电流进行分析的dsp模块；用于根据dsp模块分析后的结果产生激励波形的dds模块。所述相位差模块的相位差处理包括提取采样电路的相位差方向和相位差数值。所述dsp模块对相位差处理后的电流进行分析包括针对超声波换能器对电流调整幅值和频率。所述dds模块产生的激励波形采用正弦波。所述dds模块采用ad9833。
本实施例实施时，ac模块提供交流电；驱动模块开关整个系统；超声波换能器将电能转换为超声波；匹配模块为超声波换能器提供特定功率；采样模块对超声波换能器上的电流进行采样；放大滤波模块对采样后的电流进行放大滤波；相位差处理模块将放大滤波后的电流进行相位差处理；dsp模块对相位差处理后的电流进行分析；dds模块根据dsp模块分析后的结果产生激励波形。由于ac模块提供的交流电频率往往无法直接适用于超声波换能器，所以采样模块对换能器上的电流采样，并经相位差处理后传送到dsp模块，dsp模块对采用后的电流分析并调整波形参数，再交由dds模块产生激励波形，从而对输入到换能器上的波形进行循环处理，直至满足换能器要求，从而实现了对超声波频率方便的控制，提高了清创效果。
以上所述的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。