大气压低温等离子体痤疮治疗装置的制作方法

文档序号:18399795发布日期:2019-08-09 23:45阅读:865来源:国知局
大气压低温等离子体痤疮治疗装置的制作方法

本发明涉及医疗器械领域,特别是涉及一种大气压低温等离子体痤疮治疗装置。



背景技术:

痤疮是一种常见的皮脂腺慢性炎症性皮肤病,从全球的统计数据来看12~30岁青少年人群痤疮的发病率高达85%,而几乎所有15~17岁青少年人群均患有不同程度的痤疮。痤疮多发于颜面部且容易产生瘢痕组织,对青少年的心理和社交产生了严重的负面影响。值得注意的是近三十年来的调查数据显示,成年人的痤疮发病率同样日渐升高。

引起痤疮的病理生理学基础是皮脂腺的快速发育和皮脂过量分泌,大量皮脂的分泌和排除障碍容易引起细菌感染,进而引发炎性疱疹或脓包,最终导致痤疮的发生。前人的大量研究工作指出痤疮丙酸杆菌(propionibacteriumacnes)是引发痤疮的主要病因之一,它是一种革兰氏阳性厌氧杆菌,广泛存在于人皮肤上的一类致病微生物。痤疮丙酸杆菌导致痤疮发生的机制与其分泌蛋白质、酶、脂多糖等成分刺激机体产生抗体炎性反应密切相关。

目前在临床中,皮肤科医师对痤疮的常见治疗方案主要有以下三种:

一是药物治疗,通过局部外用药物和口服抗生素等方式来达到杀灭痤疮丙酸杆菌和控制炎症进展的目的。但是药物治疗过程缓慢,患者治疗的依从性不高且无法避免药物对人体产生的药物毒副作用。而且,近年来有关痤疮丙酸杆菌耐药导致痤疮治疗失败的报道逐年增多。

二是物理治疗,通过光动力疗法、激光疗法、射频消融等物理方法来杀灭痤疮丙酸杆菌病原微生物来治疗痤疮。这些物理手段治疗程序复杂,成本较高,并且普遍带有副作用。例如光动力疗法治疗痤疮后容易引起皮肤的色素沉着;激光疗法和射频消融主要通过高温杀灭痤疮丙酸杆菌,缺乏组织选择性容易损伤正常的皮肤组织引发炎症反应。治疗过程中患者会有明显的疼痛感和不适感,同时由于治疗过程需要侵入到机体组织内部,需要严格控制激光和射频消融的穿透深度,因此对设备的操作者要求较高。

三是中医疗法,通过中药湿敷、针灸、拔罐等方式来缓解痤疮引起的炎症反应,达到活血化瘀的效果。但是,中医方法治存在治疗周期长,显效慢等问题。

总而言之,痤疮是一种常见的皮肤病,病程慢性、易复发。尽管现在的治疗方法很多,但是迄今尚未找到一个大家公认的较理想的治疗方案。因此,如何实现快速、安全、无痛、有效的痤疮治疗,就成了本领域研究人员亟待解决的一个问题。

低温等离子体(coldplasma)是气体在强电磁场作用下而产生的一种高度电离的气体云,主要由电子、离子、原子、分子、自由基等各种活性物质组成。等离子体是除固、液、气三态以外的新的物质形态,即物质的第四状态,因其中的正电荷总数与负电荷数在数值上总是相等的,故称其为等离子体。近十多年,随着大气压低温等离子体技术不断发展成熟,其在生物医学领域具有广泛的应用前景。众多研究表明低温等离子体可以有效的杀菌去除生物膜、引起细胞凋亡抑制肿瘤、加速活体伤口凝血促进创面愈合等。



技术实现要素:

鉴于以上所述现有技术在痤疮治疗中的不足和缺点,本发明的目的在于提供一种大气压低温等离子体痤疮治疗装置,用于解决现有技术中进行痤疮治疗时存在治疗过程漫长、操作复杂、缺乏组织选择性杀伤以及痤疮复发等问题。

为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供以下技术方案:

一种大气压低温等离子体痤疮治疗装置,包括便携式等离子体主机和与所述主机连接的等离子体治疗电极手柄,其中,至少包括两个与所述便携式等离子体主机连接的等离子体治疗电极手柄,两个所述治疗电极手柄分别为适用于调控皮脂腺分泌和选择性杀灭痤疮丙酸杆菌的非侵入手持式治疗电极手柄和非接触无创式负压电极罩。

优选地,所述便携式等离子体主机包括等离子体驱动电源、气流控制器和触摸式参数控制面板。

优选地,所述等离子体主机的等离子体驱动电源可以为交流电源、单极性和双极性脉冲电源、射频电源与微波电源,工作电压范围为100v-30kv,电场频率范围为1khz-10ghz

优选地,所述等离子体主机的工作气体可为空气、氮气或者惰性气体与氧气、氮气等气体的任意比例混合气体。

优选地,所述等离子体主机的工作气体的流速为0.1到100升/分钟。

优选地,所述等离子体主机的触摸式参数控制面板可以对激发等离子体的电源参数、工作气体流速、产生的等离子体强度和长度进行定量控制。

优选地,所述等离子体主机产生的低温等离子体可以安全触摸,且几乎不产生臭氧。

优选地,所述非侵入手持式治疗电极手柄包括手持把手和治疗头,所述手持把手和所述治疗头成一固定夹角连接在一起。

优选地,所述夹角的范围为40°-180°,更优地,所述夹角可以设置为180°。

优选地,所述非侵入手持式治疗电极手柄均采用铜、不锈钢、钨或钼中的一种材料制成。

优选地,所述非侵入手持式治疗电极手柄上的治疗头为特定形状的等离子体喷射装置构成,其中,所述等离子体喷射装置构件与所述把手成可拆卸连接。

优选地,特定形状的等离子体喷射装置为单圆形,更优地,所述特定形状为多阵列圆形排布。

优选地,所述特定形状的等离子体喷射装置电极产生的等离子体温度低于40摄氏度。

相对现有技术,本发明的技术方案具有如下优点:

首先,本装置产生的等离子体为大气压低温等离子体,温度不超过40摄氏度,完全区别于激光和射频的高温治疗痤疮作用机制。产生的低温等离子体中富含大量的活性氧自由基成分,能够有效的调控皮脂腺的分泌,高效杀灭痤疮丙酸杆菌。同时有效促进真皮胶原蛋白新生,加速痤疮创面伤口的愈合减少瘢痕组织的形成。

其次,本装置的操作简单,通过主机面板进行电压、工作气体气流、电流、等离子体能量等进行定量调控。治疗时间为5到10分钟,治疗过程中无任何疼痛感和不适感,治疗效果显著且能有效避免痤疮的复发。

附图说明

图1为本发明提供的一种大气压低温等离子体痤疮治疗装置的原理图。

图2为非侵入手持式等离子体治疗电极手柄的一种实施方式示意图。

图3为一种非接触无创式等离子体电极罩的结构示意图。

具体实施方式

以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式,熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。

须知,本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等,均仅用以配合说明书所揭示的内容,以供熟悉此技术的人士了解与阅读,并非用以限定本发明可实施的限定条件,故不具技术上的实质意义,任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整,在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下,均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时,本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语,亦仅为便于叙述的明了,而非用以限定本发明可实施的范围,其相对关系的改变或调整,在无实质变更技术内容下,当亦视为本发明可实施的范畴。

痤疮的病理生理学基础是因为皮脂腺的过量分泌和排除障碍引起痤疮丙酸杆菌富集感染,进而诱发炎性疱疹或脓包形成,最终导致痤疮的发生。

本发明的实施例中,将详细说明如何通过大气压低温等离子体装置实现调控皮脂腺分泌,杀灭痤疮丙酸杆菌,来达到治疗痤疮的目的。本发明有效的消除了皮肤炎症,极大的缩短了痤疮的康复时间,整个治疗过程中无疼痛感和不适感,进一步治疗过程中,能有效促进皮肤胶原蛋白新生,避免痤疮康复后的疤痕组织的形成。

见图1,为本发明提供的一种大气压低温等离子体痤疮治疗装置的原理图,所述大气压低温等离子体痤疮治疗装置包括便携式等离子体主机2和与所述主机连接的非侵入式等离子体治疗电极手柄3和4,非侵入手持式治疗电极手柄3和非接触无创式电极美容罩4用于调控皮脂腺分泌和选择性杀灭痤疮丙酸杆菌,治疗过程中无疼痛感和不适感。

在具体实施中,等离子体主机2用来为与其连接的非侵入式等离子体治疗电极手柄3和4提供驱动电源和对所述高压驱动电源的输出、工作气体流速1、激发的等离子体密度进行控制。另外,本发明实施例中提供的大气压低温等离子体治疗主机2由控制器、控制板、高压电源以及显示器构成,其中控制器分别与控制板、高压电源、高压气瓶及显示器连接。

在具体实施中,控制器还与非侵入式等离子体治疗电极手柄3和4连接,用于控制治疗电极产生的等离子体长度、面积和能量密度。

在具体实施中,见图2,给出了与主机2连接的非侵入手持式治疗电极手柄3的一种实施方式原理图,如图所示,手柄3为一种空心电极介质阻挡结构,其中包括工作气体进口5、绝缘介质管6、高压电源7、高压电极8、地极9和低温等离子体喷射口10。图2中的11代表人体的皮肤,工作气体进口5的流向与空心放电结构内电场方向平行。其中,低温等离子体喷射口10与高压电极8可以成一夹角的连接在一起,夹角的范围可以选择40°-180°,最佳的夹角度一般选择为180°

见图3,给出了与主机2连接的一种非接触无创式等离子体电极罩4的结构示意图,如图所示,手柄4包括高压电极12、工作气体进口13、高压电源14、绝缘介质管15、低温等离子体喷射口16、负压罩治疗头17和地极18。

上述实施例中,高压电极和地极均可以采用铜、铁、铝、钨或钼中的一种材料制成。

上述实施例中,特定形状的等离子体喷射装置中的高压电极和地极均可以采用圆形、三角形、矩形、正方形或多边形中的一种形状。

综上所述,通过低温等离子体装置可以有效调控皮脂腺分泌、杀死痤疮丙酸杆菌,也从根源上解决痤疮产生的源头,皮脂腺分泌过旺,缓解了皮肤炎症,且治疗的时间更短、疗效更佳,同时避免了复发的现象。所以,本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效,而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下,对上述实施例进行修饰或改变。因此,但凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变,仍应由本发明的权利要求所涵盖。

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